制备多孔硅微结构的电化学表征
作者单位：厦门大学化学系材料科学与工程系固体表面物理化学国家重点实验室 厦门大学化学系材料科学与工程系固体表面物理化学国家重点实验室 厦门大学化学系材料科学与工程系固体表面物理化学国家重点实验室 厦门大学化学系材料科学与工程系固体表面物理化学国家重点实验室
会议名称：《第十三次全国电化学会议》
会议日期：2005年
学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学]
摘 要：正硅单晶是现代半导体和大规模集成电路的基础,但由于其为间接带隙半导体,发光效率很低,在光电子学领域中的应用受到一定的限制．1990年英国科学家Canham发现多孔硅在室温下具有强烈的光致发光效应．掀起了多孔硅的研究热潮．孔硅可以通过多种电化学技术制得,不同的技术和制备条件对多孔硅微结构和形貌会产生不同的影响．多孔硅因具有很多特殊性质而有着广泛的应用,可作光电子器件和光子器件,其它材料的载体,还可作热传感器和湿敏元件．但由于多孔硅微结构的均匀性和稳定性较难控制,使出其难以实现产业化的应用,同时多孔硅的形成机理和发光机理至今仍不清楚．针对上述问题, 我们实验小组通过尝试采用不同的电化学技术来制备多孔硅,包括恒电流法,恒电压法和周期交化的电流法及周期性交化电压法．系统的考察了不同的制备技术对多孔硅生成和结构性能的影响,初步探讨了多孔硅微结构的形成机理．