检索结果-南通市图书馆

物理学报 2022年第14期71卷 365-387页

作者：沈柳枫胡令祥康逢文叶羽敏诸葛飞宁波大学材料科学与化学工程学院宁波315211 中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波315201 中国科学院脑科学与智能技术卓越创新中心上海200031

传统冯·诺依曼计算机在并行性计算和自适应学习方面效率较低,无法满足当前飞速发展的信息技术对高效、高速计算的迫切需求.受脑启发的神经形态计算具有高度并行性、超低功耗等优势,被认为是打破传统计算机局限性,实现新一代人工智能的... 详细信息

传统冯·诺依曼计算机在并行性计算和自适应学习方面效率较低,无法满足当前飞速发展的信息技术对高效、高速计算的迫切需求.受脑启发的神经形态计算具有高度并行性、超低功耗等优势,被认为是打破传统计算机局限性,实现新一代人工智能的理想途径.神经形态器件是实施神经形态计算的硬件载体,是构建神经形态芯片的关键.与此同时,人类视觉系统与光遗传学的发展为神经形态器件的研究提供了新的思路.新兴的光电神经形态器件结合了光子学与电子学各自的优势,在神经形态计算领域展露出巨大潜力,受到了国内外研究人员广泛关注.本文对光电神经形态器件及其应用的最新研究进行了总结.首先综述了人工光电突触与人工光电神经元,内容包括器件结构、工作机制以及神经形态功能模拟等方面.然后,对光电神经形态器件在人工视觉系统、人工感知系统、神经形态计算等领域中的潜在应用作了阐述.最后,总结了当前光电神经形态器件所面临的挑战,并对其未来的发展方向进行了展望.

关键词：光电神经形态器件光电突触光电神经元神经形态计算

工作气压对管内壁沉积Si/O-DLC薄膜结构与性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

表面技术 2023年第6期52卷 439-449页

作者：许浩杰陈仁德周广学叶羽敏汪爱英宁波大学材料科学与化学工程学院浙江宁波315211 中国科学院宁波材料技术与工程研究所、中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室浙江宁波315201 中国科学院宁波材料技术与工程研究所、浙江省海洋材料与防护技术重点实验室浙江宁波315201

目的探讨工作气压对管内等离子体放电光学现象以及Si/O-DLC(Si and O Incorporated DLC,Si/O-DLC)薄膜结构与性能的影响,为获得管内高质量、均匀的Si/O-DLC薄膜制备工艺技术提供指导。方法利用空心阴极等离子体增强化学气相沉积(Hollow ... 详细信息

目的探讨工作气压对管内等离子体放电光学现象以及Si/O-DLC(Si and O Incorporated DLC,Si/O-DLC)薄膜结构与性能的影响,为获得管内高质量、均匀的Si/O-DLC薄膜制备工艺技术提供指导。方法利用空心阴极等离子体增强化学气相沉积(Hollow Cathode Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,HC-PECVD)技术,通过改变工作气压在管内沉积Si/O-DLC薄膜。利用高速摄像机记录并对比不同工作气压下管内等离子体放电光学现象。通过SPM、XPS和Raman光谱仪表征不同工作气压下薄膜的三维立体表面形貌和微观结构,并利用SEM、纳米压痕仪以及划痕测试系统,对比研究管内Si/O-DLC薄膜的硬度、弹性模量、膜基结合力以及沿管轴向的薄膜厚度分布。结果随着工作气压的上升,管径向中心处亮斑面积和光强先增大增强后趋于缩小暗淡。在不同工作气压下,均能够在管内获得表面光滑的Si/O-DLC薄膜,粗糙度为3~10 nm。随着工作气压的上升,管内Si/O-DLC薄膜的平均厚度从1.42μm增大到2.06μm,且沿管轴向的薄膜厚度分布均匀度从24%显著提高到65%;不同工作气压下管内Si/O-DLC薄膜沿管轴向平均硬度呈先增大后减小的趋势,总体平均硬度可达(14±1)GPa。管内Si/O-DLC薄膜在工作气压上升到25 mTorr时获得较高的平均膜基结合力。结论改变工作气压能够显著影响管内壁Si/O-DLC薄膜的结构与性能,当工作气压为25 m Torr时,在管内获得均匀性最优、结合力较高的Si/O-DLC薄膜。

关键词：工作气压空心阴极等离子体增强化学气相沉积管内壁 Si/O-DLC 等离子体放电光学现象均匀性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

ZnO全光控忆阻器及其类突触行为

材料科学与工程学报 2021年第3期39卷 393-397页

作者：杨静卢焕明叶羽敏诸葛飞宁波大学材料科学与化学工程学院浙江宁波315211 中国科学院宁波材料技术与工程研究所浙江宁波315201 中国科学院脑科学与智能技术卓越创新中心上海200031

本研究基于ZnO制备了一种全光控忆阻器,短波光照射可增大器件电导,长波光则可降低电导,并且电导态可以长时间保持。因此,通过改变施加光信号的波长,可实现忆阻器电导的可逆调控。基于以上特性,该器件可以模拟突触基本功能,包括长程增强... 详细信息

本研究基于ZnO制备了一种全光控忆阻器,短波光照射可增大器件电导,长波光则可降低电导,并且电导态可以长时间保持。因此,通过改变施加光信号的波长,可实现忆阻器电导的可逆调控。基于以上特性,该器件可以模拟突触基本功能,包括长程增强与长程抑制、光功率密度依赖可塑性、频率依赖可塑性以及学习-遗忘-再学习的经验学习行为。与电相比,光具有高带宽、低串扰、速度快等优势,并且不改变器件微结构,因此全光控忆阻器有望应用于类脑智能系统的构建。

关键词：忆阻器全光控 ZnO 突触可塑性

直流反应磁控溅射法制备Al-N和In-N共掺p型ZnMgO与ZnO薄膜

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

直流反应磁控溅射法制备Al-N和In-N共掺p型ZnMgO与ZnO薄膜

作者：叶羽敏浙江大学

学位级别：硕士

ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙(室温下3.37eV),属于六方纤锌矿结构。ZnO在光电、压电、热电、铁电等诸多领域都具有优异的性能,但在最具潜力的应用是在光电器件领域。ZnO的禁带宽度宽,激子结合能为60meV,远高于其它... 详细信息

ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙(室温下3.37eV),属于六方纤锌矿结构。ZnO在光电、压电、热电、铁电等诸多领域都具有优异的性能,但在最具潜力的应用是在光电器件领域。ZnO的禁带宽度宽,激子结合能为60meV,远高于其它宽禁带半导体材料,如GaN为25meV。ZnO激子在室温下也是稳定的,可以实现室温或更高温度下高效的激子受激发光。另外,将ZnO与MgO形成半导体合金薄膜,可以达到随Mg组分不同调节ZnMgO合金半导体禁带宽度的目的。所以,ZnO在短波长光电器件领域有着极大的应用潜力,如紫蓝光发光二极管(LEDs)和激光器(LDs)等,可作为白光的起始材料。本文采用直流反应磁控溅射法,分别采用Al-N和In-N共掺方法制备了p型ZnMgO三元合金和ZnO薄膜。主要的研究工作如下: 1.以直流反应磁控溅射法制备了高质量的ZnMgO薄膜,并研究了衬底温度及Mg含量对薄膜晶体质量、表面形貌与禁带宽度的影响,得出了最优的生长条件。同时也验证Mg的掺入对薄膜禁带宽度有较大的影响。 2.在制备出高质量ZnMgO合金薄膜的基础上,对ZnMgO薄膜进行Al-N共掺制备了优质低阻的p型ZnMgO薄膜。实验发现所得薄膜具有良好的晶体取向性,平整致密的表面形貌,紫外透射谱也证实所得薄膜禁带宽度与ZnMgO薄膜相仿。并分析了衬底温度对于薄膜电学性能的影响,发现只在一定温度区间内薄膜呈现为p型。得出最优的生长温度在450℃～500℃之间,薄膜具有电阻率26Ωcm和空穴浓度3.6x10cm。 3.尝试以直流反应磁控溅射法制备了In-N共掺的p型ZnO薄膜。发现所得薄膜具有良好的晶体质量与优良的电学性能。通过研究衬底温度与薄膜电学性能关系,得出最佳的生长温度在540℃左右。在此温度下生长于玻璃衬底上的p型ZnO具有23.7Ωcm的电阻率和3.51×10cm的载流子浓度。同时我们还研究了不同衬底材料对薄膜电学性能影响。发现SiO衬底上生长的ZnO薄膜具有最低的电阻率和较高的载流子浓度,分别为3.12Ωcm和2.04×10cm。

关键词： ZnMgO薄膜 ZnO薄膜直流反应磁控溅射法光电器件

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

聚合物生物纳米涂层的引发式化学气相沉积

聚合物生物纳米涂层的引发式化学气相沉积

一种用于自然场景文本识别的多路并行位置关联网络

中国化学会2017全国高分子学术论文报告会

作者：孙敏叶羽敏竺亚斌宁波大学

引发式化学气相沉积（i CVD）是一种新型的聚合物薄膜制备方法,其主要通过气化的引发剂和聚合单体在真空中聚合反应并成膜于基底,具有条件温和,成膜可控,共型性好等优势。我们以乙烯基吡咯烷酮（VP）为单体,丙烯酸乙二醇酯（EGDA）为交... 详细信息

引发式化学气相沉积（i CVD）是一种新型的聚合物薄膜制备方法,其主要通过气化的引发剂和聚合单体在真空中聚合反应并成膜于基底,具有条件温和,成膜可控,共型性好等优势。我们以乙烯基吡咯烷酮（VP）为单体,丙烯酸乙二醇酯（EGDA）为交联剂,利用iCVD方法成功制备了不同组分与纵向结构的交联与复合接枝功能涂层。我们发现交联涂层的亲水性以及抗生物吸附性随着交联度的减小而增加。交联度较低的涂层可以使疏水的PVDF膜表面达到超亲水,并使其对牛血清蛋白的吸附减少92%,基本消除大肠杆菌在表面的吸附。通过对涂层的进一步纵向结构优化,我们制备了复合接枝涂层,该涂层与单一交联结构涂层相比其平面水接触角由32°进一步减小至22°。使用该涂层我们对医用导管进行表面改性,并将其植入小鼠皮下,测试发现改性后导管的生物相容性得到了极大提升。

关键词：引发式化学气相沉积超亲水抗生物吸附生物相容性

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

小型微型计算机系统 2023年第4期44卷 699-705页

作者：陈敏叶东毅陈羽中福州大学计算机与大数据学院福州350116 福建省网络计算与智能信息处理重点实验室福州350116

自然场景文本识别是计算机视觉领域的研究热点之一,在无人驾驶、图像检索、机器人导航等领域具有广泛的应用前景.由于自然场景中的文本图像存在背景复杂、透视失真、过度弯曲等现象,给文本识别带来了巨大的挑战.针对上述问题,本文提出... 详细信息

自然场景文本识别是计算机视觉领域的研究热点之一,在无人驾驶、图像检索、机器人导航等领域具有广泛的应用前景.由于自然场景中的文本图像存在背景复杂、透视失真、过度弯曲等现象,给文本识别带来了巨大的挑战.针对上述问题,本文提出了一种基于多路并行的位置关联网络(Multi-Path Parallel Location Association Network,MPLAN)的自然场景文本识别方法.首先,针对不规则文本图像,MPLAN使用文本矫正网络自适应学习图像变换,从而获得线性排列的文本图像.其次,为了捕获字符间的位置信息,MPLAN提出了位置关联模块,利用序列特征的有序性,通过捕获字符位置信息,以提高序列特征与目标字符的对齐准确度.此外,为了增强字符间的语义相关性,MPLAN提出了基于多路传输思想的并行注意力模块,获取全局语义信息,实现序列特征的上下文通信,从而锁定有效字符的位置.在包括规则文本、不规则文本在内的六个数据集上的实验结果表明,MPLAN能够有效利用位置信息与全局语义信息解码字符序列,特别是在识别不规则文本上取得了领先的性能.

关键词：深度学习场景文本识别注意力机制端到端

氮化钒(VN)涂层在不同载荷下的摩擦磨损行为

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

摩擦学学报 2020年第5期40卷 656-663页

作者：许蓓蓓王振玉郭鹏帅锦涛叶羽敏汪爱英柯培玲宁波大学材料科学与化学工程学院浙江宁波315211 中国科学院宁波材料技术与工程研究所中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室浙江宁波315201 中国科学院宁波材料技术与工程研究所浙江省海洋材料与防护技术重点实验室浙江宁波315201

采用真空阴极电弧离子镀方法制备氮化钒(VN)涂层,并研究了VN涂层的结构、力学性能以及不同载荷对摩擦磨损行为的影响.结果表明:VN涂层结构致密并呈柱状方式生长,其晶体类型为NaCl-型面心立方结构.涂层具有强的膜基结合力以及良好的摩擦... 详细信息

采用真空阴极电弧离子镀方法制备氮化钒(VN)涂层,并研究了VN涂层的结构、力学性能以及不同载荷对摩擦磨损行为的影响.结果表明:VN涂层结构致密并呈柱状方式生长,其晶体类型为NaCl-型面心立方结构.涂层具有强的膜基结合力以及良好的摩擦学性能.随着载荷增加,VN涂层的摩擦系数降低,而磨损率增加.基于赫兹弹性接触模型以及摩擦产物的成分分析结果,发现载荷越大,界面接触应力越大,界面摩擦化学反应越剧烈,这有利于降低剪切应力并促进V元素氧化生成V2O5润滑相,导致摩擦系数降低.此外,因韧性不足、抗塑性变形能力弱等原因,随载荷增加,涂层磨损率增大.

关键词： VN涂层载荷赫兹接触应力 V2O5润滑相

氮肥与密度互作对水稻分蘖形成、冠层光氮分配及产量的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

氮肥与密度互作对水稻分蘖形成、冠层光氮分配及产量的影响

作者：王敏羽华中农业大学

学位级别：硕士

水稻(Oryza sativa L.)是我国乃至世界上最主要的粮食作物之一,在保证粮食安全中具有重要地位。近年来,由于社会经济的发展和城镇的扩张,我国建筑用地面积不断扩大,耕地面积逐渐缩小,提高水稻单产成为有效提高水稻产量的关键措施。肥料... 详细信息

水稻(Oryza sativa L.)是我国乃至世界上最主要的粮食作物之一,在保证粮食安全中具有重要地位。近年来,由于社会经济的发展和城镇的扩张,我国建筑用地面积不断扩大,耕地面积逐渐缩小,提高水稻单产成为有效提高水稻产量的关键措施。肥料和密度是调控水稻群体结构、影响水稻产量的关键因素。研究表明,小株合理密植可以提高单位面积的土地利用率和光能利用率,是稳产高产的重要技术措施,但存在耗时费工问题;施用氮肥可以显著促进水稻分蘖、增加群体数量,达到密植的效果。长期通过增加氮肥用量提高水稻产量不仅增加了生产成本,同时由于过量或不合理施用带来一系列环境质量问题。机插秧实现了省工省时的同时进一步增加移栽密度。明确氮肥和密度互作效应对化肥减量增效背景下水稻增产稳产具有重要意义。本文通过2年田间试验,研究了施氮量和移栽密度互作对水稻分蘖形成、冠层光氮分配、产量和氮肥利用率的影响,以期为水稻合理施肥和栽培提供理论依据。主要研究结果如下:(1)主茎和叶片氮浓度显著影响水稻分蘖形成,施氮量为270～360 kg/hm和密度为31.5万穴/hm时可以获得最大有效茎蘖数,为3.2～3.6×10/hm。当主茎氮浓度达到1.8%、叶片氮浓度达到2.7%时,水稻植株开始分蘖;当主茎氮浓度达到3.8%、叶片氮浓度达到5.4%时,植株进入快速分蘖。茎蘖数随生育进程呈先增加后降低的趋势,移栽后30 d左右达到最大分蘖。氮密互作显著影响有效茎蘖数,2021年和2022年合理氮密配置处理均为施氮量270 kg/hm和密度27.0万穴/hm,有效茎蘖数分别为2.9×10/hm和2.8×10/hm。(2)氮密互作通过优化水稻花期冠层中上部(离地4000 cm)光合有效辐射、叶面积指数和比叶氮等调控冠层光氮分配。与高氮高密(ND)处理相比,合理氮密配置(ND)处理水稻花期冠层中上部光合有效辐射平均增加了11.2%;冠层高度每上升1 cm,比叶氮平均提高80.0%。与低氮低密(ND)处理相比,ND处理中上层叶面积指数增加了65.5%。ND处理的冠层同时具有较低的上部消光系数和较高的氮消减系数,中上部较高的光合冠层有效辐射驱动了较高的比叶氮分布,光氮匹配系数值与理想值接近。(3)合理氮密配置处理(ND)显著提高水稻产量和氮肥利用率。就产量而言,与不施氮(N)处理相比,沙洋和荆州试验点各施氮处理产量分别平均增加973 kg/hm和2901 kg/hm,增幅分别为11.3%和38.3%;与低密(D)处理相比,两个试验点各增密处理产量分别平均增加772 kg/hm和651 kg/hm,增幅分别为8.8%和6.9%。当施氮量为270 kg/hm,密度为27.0万穴/hm时,沙洋和荆州试验点产量均达到最大值,分别为11860 kg/hm和12747 kg/hm。就氮肥利用率而言,与D处理相比,沙洋试验点各增密处理氮素干物质生产效率(NUEb)平均增加10.1 kg/kg,增幅为8.7%;氮肥吸收利用率(NRE)平均增加11.0%,增幅为23.2%;荆州试验点各增密处理NUEb平均增加11.1 kg/kg,增幅为12.3%;NRE平均增加8.6%,增幅为17.8%。当施氮量相同时,优化密度显著提高氮肥利用率,与ND处理相比,沙洋试验点合理氮密配置(ND)处理NUEb和NRE分别增加8.0%和25.2%;荆州试验点分别增加10.8%和15.1%。(4)根据目标产量设计氮素调控模型,当移栽密度为27.08.0万穴/hm、施氮量为240～280 kg/hm时,可以获得目标产量10500～12000 kg/hm。产量构成因子分别为:有效穗数300～325个/m,每穗粒数210～230,结实率88%左右。分蘖期最大茎蘖数需达到5.6～6.6×10个/hm,分蘖结束时获得有效茎蘖数3.1～3.5×10个/hm。综上,合理的氮密配置处理通过调节主茎和叶片氮浓度调控水稻有效茎蘖数,改善水稻冠层光分布和氮分布特征促进冠层光氮匹配程度,从而提高产量和氮肥利用率。

关键词：氮肥用量移栽密度冠层结构群体质量氮肥利用率

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

高温超导线圈的性能研究与应用进展

电工材料 2023年第1期 46-48页

作者：叶新羽姚震夏芳敏富通集团(天津)超导技术应用有限公司天津300384

以铜基氧化物超导体为代表的高温超导材料,在液氮温度下将呈现特殊的超导性。使用铜基氧化物超导带材制作的高温超导超导线圈,具备无电阻、高载流、低重量等优势,因此在强磁体、限流器、储能、电机等领域得到广泛应用。由于超导线圈处... 详细信息

以铜基氧化物超导体为代表的高温超导材料,在液氮温度下将呈现特殊的超导性。使用铜基氧化物超导带材制作的高温超导超导线圈,具备无电阻、高载流、低重量等优势,因此在强磁体、限流器、储能、电机等领域得到广泛应用。由于超导线圈处于“力-电-磁”的复杂工作环境,需要对其机械性能、交流损耗、失超等进行研究。为此,本文综述和分析了高温超导线圈的研究和应用进展。

关键词：高温超导线圈机械性能交流损耗失超