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1引言锑化镓单晶材料是继砷化镓、磷化铟之后的重要光电器件衬底材料。它可以用于制做超长波激光器和探测器,激光波长可以在1.7到4.3μm范围内改变,与氟化物光纤相配合可以大幅度增加无中继光通讯的距离。另外,锑化镓和砷化镓相配合可以组成高效率的太阳能电池,其转换效率可以达到35%,目前最高的转换效率可以达到37%。

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半导体材料的新发展

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半导体情报 1992年第6期29卷 1-5页

作者：林兰英叶式中中国科学院半导体研究所北京100083

近来,半导体科学主要的发展方向是制作高完整性和大面积杂质均匀的衬底材料和超薄外廷材料,并研究它们的特殊性能。本文主要对半导体材料的发展作一简单评述。

关键词：半导体材料工艺

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掺碲GaSb单晶材料电学性质的研究

掺碲GaSb单晶材料电学性质的研究

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首届中国功能材料及其应用学术会议

作者：余辉焦景华叶式中中国科学院半导体研究所

1前言GaSb单晶是光电器件的重要衬底材料,制做器件所需的载流子浓度一般在1×10、～3×10cm的范围内。N型GaSb是以Te作掺杂剂,由于Te的引入会使GaSb材料的电学特性发生变化。我们进行了变温霍尔测量,得出迁移率与温度、霍尔系数与温度...

1前言GaSb单晶是光电器件的重要衬底材料,制做器件所需的载流子浓度一般在1×10、～3×10cm的范围内。N型GaSb是以Te作掺杂剂,由于Te的引入会使GaSb材料的电学特性发生变化。我们进行了变温霍尔测量,得出迁移率与温度、霍尔系数与温度以及载流子浓度与温度的关系,从曲线的特点进行分析得出结论。

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