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“单光子探测前沿技术”专栏序言

红外与激光工程 2023年第3期52卷 I0002-I0003页

作者：史衍丽叶振华郑丽霞云南大学中国科学院上海技术物理研究所东南大学

2023年是全面贯彻落实党的二十大精神的开局之年。在全面建设社会主义现代化国家新征程的关键阶段,科技创新是时代进步的源动力。习近平总书记在党的二十大报告中明确指出,“坚持创新在我国现代化建设全局中的核心地位”,把“科技自立... 详细信息

2023年是全面贯彻落实党的二十大精神的开局之年。在全面建设社会主义现代化国家新征程的关键阶段,科技创新是时代进步的源动力。习近平总书记在党的二十大报告中明确指出,“坚持创新在我国现代化建设全局中的核心地位”,把“科技自立自强能力显著提升”作为未来五年主要目标任务之一,在新一代信息技术、人工智能、高端装备等领域培育新的增长引擎,这就迫追切需要光电信息技术提供更加强有力的支撑。单光子探测技术达到了光电探测的极限,涉及芯片等多项“卡脖子”核心技术,是广大科技工作者聚焦的重要方向之一。

关键词：自立自强增长引擎科技工作者单光子探测光电信息技术主要目标任务人工智能光电探测

320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器

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红外与激光工程 2008年第1期37卷 42-44,101页

作者：史衍丽昆明北方红外技术股份有限公司探测器中心云南昆明650215

采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30μm,像元光敏面28μm×28μm,两像元间距2μm,达到了目前国际上1k×1k量子阱焦平面探测器像元间距研... 详细信息

采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30μm,像元光敏面28μm×28μm,两像元间距2μm,达到了目前国际上1k×1k量子阱焦平面探测器像元间距研制水平。通过对320×256阵列上设计的陪管区进行光电性能测试,平均黑体探测率1.66×109 cm.Hz/W-1,响应率89.6 mA/W。

关键词： 320×256 GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器黑体探测率响应率

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雪崩光电二极管过剩噪声的测量和抑制方法

红外技术 2022年第4期44卷 343-350页

作者：李再波李云雪马旭田亚芳史衍丽云南大学物理与天文学院云南昆明650091 云南大学量子信息重点实验室云南昆明650091 昆明理工大学理学院云南昆明650093

雪崩光电二极管(APD)因为其高灵敏度和高增益带宽的优势已被广泛应用在高比特率、远程光纤通信系统中,而雪崩过程中产生的过剩噪声直接影响到APD的信噪比,因此,研究过剩噪声对APD性能的提升具有重要意义。目前,国内外测试雪崩光电二极... 详细信息

雪崩光电二极管(APD)因为其高灵敏度和高增益带宽的优势已被广泛应用在高比特率、远程光纤通信系统中,而雪崩过程中产生的过剩噪声直接影响到APD的信噪比,因此,研究过剩噪声对APD性能的提升具有重要意义。目前,国内外测试雪崩光电二极管过剩噪声的方法主要有直接功率测量法和相敏探测法,本文对这两种测试方法和其优缺点进行了分析,并介绍了最新的改进测试思路。同时,还总结了降低过剩噪声的3种方法:选择低碰撞电离系数比的材料,降低倍增层厚度和采用APD碰撞电离工程来降低噪声。

关键词：雪崩光电二极管过剩噪声因子相敏探测法碰撞电离工程

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第三代红外探测器的发展与选择

红外技术 2013年第1期35卷 1-8页

作者：史衍丽昆明物理研究所云南昆明650023 微光夜视技术重点实验室陕西西安710065

随着军事应用对高性能、低成本红外技术的需求,红外探测器像元数目从少于100元的一代发展到10万元中等规模的二代,到百万像素的三代,何谓第三代?在众多的材料和器件中,可作为第三代红外探测器的材料以及器件有哪些?在红外探测器技术飞... 详细信息

随着军事应用对高性能、低成本红外技术的需求,红外探测器像元数目从少于100元的一代发展到10万元中等规模的二代,到百万像素的三代,何谓第三代?在众多的材料和器件中,可作为第三代红外探测器的材料以及器件有哪些?在红外探测器技术飞速发展的今天,我们该作如何的选择?结合以上问题,对当前国际上作为第三代红外探测器选择的碲镉汞、量子阱以及Ⅱ类超晶格探测器材料、器件进行了分析,总结了第三代红外探测器的特征,为国内第三代红外探测器的发展提供选择与参考。

关键词：第三代红外探测器碲镉汞量子阱 Ⅱ类超晶格

InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀

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红外与激光工程 2013年第2期42卷 433-437页

作者：陈永远邓军史衍丽苗霈杨利鹏北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100124 昆明物理研究所云南昆明650223

分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 s... 详细信息

分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 sccm时,刻蚀速率为100 nm/min,且与材料的掺杂浓度无关。实验还表明,SiCl4/Ar作为刻蚀气体时,Ar流量在很大范围内对刻蚀速率没用明显影响,但Ar的流量越大,刻蚀的均匀性越好;用Cl2/Ar作为刻蚀气体时,刻蚀速率也是100 nm/min,但Ar流量对刻蚀速率有影响:当Ar流量小于3 sccm时,刻蚀速率随Ar流量的减小而明显降低。

关键词： ICP刻蚀 InAs GaSb 二类超晶格 SiCl4 Ar Cl2 Ar

锑基Ⅱ类超晶格红外探测器——第三代红外探测器的最佳选择

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红外技术 2011年第11期33卷 621-624,638页

作者：史衍丽昆明物理研究所云南昆明650223

以多色、大面阵、高性能、低成本为特征的第三代红外探测器是当前红外探测器的发展方向及目标。InAs/GaInSbⅡ类超晶格探测器因为独特的断代能带结构以及自身存在的材料和器件优势,在大面阵长波红外探测器、高温中波红外探测器、中波双... 详细信息

以多色、大面阵、高性能、低成本为特征的第三代红外探测器是当前红外探测器的发展方向及目标。InAs/GaInSbⅡ类超晶格探测器因为独特的断代能带结构以及自身存在的材料和器件优势,在大面阵长波红外探测器、高温中波红外探测器、中波双色探测器以及甚长波红外探测器领域显示出优异的器件性能和技术成熟性,成为第三代红外探测器技术的最佳选择之一,在世界各国引起了高度的重视和发展。就InAs/GaInSbⅡ类超晶格材料的优越性、存在的问题及近期的发展状况进行了介绍,旨在促进我国InAs/GaInSbⅡ类超晶格技术的发展。

关键词：第三代红外探测器 InAs/GalnSbII类超晶格断代能带结构低维红外探测器

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国外量子阱红外焦平面探测器的发展概况