InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外探测器研究进展

作     者：田亚芳 史衍丽 李方江 TIAN Yafang;SHI Yanli;LI Fangjiang

作者机构：昆明理工大学理学院云南昆明650091 云南大学物理与天文学院云南昆明650091 

出 版 物：《红外技术》 (Infrared Technology)

年 卷 期：2023年第45卷第8期

页      面：799-807页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：云南贵金属实验室科技计划项目(YPML-2022050220)。 

主　　题：InAs/GaSbⅡ类超晶格 器件结构 暗电流 量子效率 结构优化 

摘      要：本文系统报道了基于InAs/GaSbⅡ类超晶格(T2SLs)的长波红外探测器的研究进展。从衬底、材料生长以及器件性能角度对比分析了基于GaSb、InAs衬底的各种器件结构的优缺点。分析结果表明,以InAs为衬底、吸收区材料为InAs/InAs1-xSbx、PB1IB2N型的结构为相对优化的器件结构设计,结合ZnS和Ge的多层膜结构设计或者重掺杂缓冲层,同时采用电感耦合等离子体(inductively coupled plasma)干法刻蚀工艺,该器件的50%截止波长可达12μm,量子效率(quantum efficiency)可提升到65%以上,暗电流密度降低至1×10^(-5) A/cm^(2)。并归纳总结了InAs/GaSb T2SLs长波红外探测器未来的发展趋势。