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电力SITH动态测试原理与计算方法

电力电子技术 1994年第2期28卷 47-50页

作者：刘肃李思渊康宁兰州大学甘肃联合大学

介绍了电容脉冲测试原理,指出采用高电压、小电流的直流电源,可对电力SITH的动态参数进行模拟测试.文中给出了测试电路的设计计算方法.

关键词：静电感应晶闸管计算测量

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补体末端复合物在瘢痕疙瘩中的表达

中华烧伤杂志 2006年第2期22卷 131-132页

作者：刘肃匡瑞霞郭卫东吴延芳山东青岛大学医学院附属医院整形美容科 266003 山东青岛大学医学院附属医院肝胆科 266003

近20年来的研究表明，免疫学相关因素在瘢痕疙瘩和增生性瘢痕的发病中具有重要作用。瘢痕疙瘩患者血清中免疫球蛋白、补体及其活化产物——可溶性补体末端复合物（SC5b-9）较对照组明显增高，由此表明，患者免疫系统状态发生改变。在此... 详细信息

近20年来的研究表明，免疫学相关因素在瘢痕疙瘩和增生性瘢痕的发病中具有重要作用。瘢痕疙瘩患者血清中免疫球蛋白、补体及其活化产物——可溶性补体末端复合物（SC5b-9）较对照组明显增高，由此表明，患者免疫系统状态发生改变。在此基础上，笔者对补体末端复合物（C5h-9）及C3、IgG、IgA、IgM在瘢痕疙瘩和正常皮肤组织中的表达进行观察，为研究瘢痕疙瘩组织局部的免疫状态提供依据。

关键词：瘢痕疙瘩组织复合物补体正常皮肤组织免疫状态增生性瘢痕免疫球蛋白免疫系统免疫学对照组

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农业样品分析

分析试验室 1998年第6期17卷 88-106页

作者：吴宜诚谢发明刘肃中国农业科学院油料作物所湖北武汉 430062 中国农业科学院蔬菜花卉所北京 100081 国家饲料质量监督检验测试中心北京

本文是本刊“农业样品分析”第三篇定期评述，对１９９４年４月至１９９８年６月（着重于近两年）国内农业测试分析的进展作了评述，包括分子光谱、原子光谱、色谱、电化学、电泳分析，共引用文献６７５篇。

关键词：农业样品评述农业化学分析

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高精度低噪声基准电压源的设计

固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 624-629页

作者：刘春娟王永顺刘肃兰州交通大学电子与信息工程学院兰州730070 兰州大学微电子研究所兰州730000

利用反向带隙电压原理,采用基于CMOS阈值电压的自偏置共源共栅电流镜技术,设计了一种低压低噪声基准电压源。该电压基准源没有外加滤波电容的情况下,通过双极型晶体管大的输出阻抗特性,实现了更低的噪声输出,提高了输出电压的精度。Hsp... 详细信息

利用反向带隙电压原理,采用基于CMOS阈值电压的自偏置共源共栅电流镜技术,设计了一种低压低噪声基准电压源。该电压基准源没有外加滤波电容的情况下,通过双极型晶体管大的输出阻抗特性,实现了更低的噪声输出,提高了输出电压的精度。Hspice仿真结果表明,在0.95V电源电压下,输出基准电压为233.9mV,温度系数为7.6×10-6/°C,30Hz频率下输出频带噪声谱线密度是15nV/Hz。在0.9～2.0V的电源电压范围内,室温下基准电压的变化为1.7mV。流片后的测试结果验证了所设计的基准电压源能工作于较低电源电压,输出基准电压的温度系数小,噪声与功耗低。

关键词：基准电压源低电压阈值电流产生电路自偏置低噪声

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大唐新语外五种 1

静电感应晶体管(SIT)作用机制的理论研究

丛书名：历代笔记小说大观

2012年

作者：（唐）刘肃等撰恒鹤等校点

本书主要内容包括：大唐新语、龙城录、因话录、大唐传载、三水小牍、唐阙史。

ISBN: (纸本)7532563693

本书主要内容包括：大唐新语、龙城录、因话录、大唐传载、三水小牍、唐阙史。

关键词：文学中国文学小说

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汇雅图书（南通市图书馆）

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电力电子技术 1994年第2期28卷 34-38页

作者：李思渊孙卓刘肃兰州大学

对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的作用机制进行了系列分析,进而对SIT的中、大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论.指出大电流时,SIT的电... 详细信息

对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的作用机制进行了系列分析,进而对SIT的中、大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论.指出大电流时,SIT的电流-电压特性与空间电荷限制效应密切相关.

关键词：静电感应晶体管工作模式

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新的快速分光光度法测定葡萄糖酸δ－内酯

分析试验室 1996年第4期15卷 50-53页

作者：张晓钢唐波刘肃清江崇球山东师范大学化学系

本文提出用羟胺与葡萄糖酸δ－内酯反应生成异羟肟酸，考察了异羟肪酸与三氯化铁反应生成红色络合物，用以测定葡萄酸δ－内酯的分析方法。该法λ＿（ｍａｘ）＝４９７ｎｍ，浓度线性范围２０～９００μｇ／ｍＬ，检出下限是９．０μｇ... 详细信息

本文提出用羟胺与葡萄糖酸δ－内酯反应生成异羟肟酸，考察了异羟肪酸与三氯化铁反应生成红色络合物，用以测定葡萄酸δ－内酯的分析方法。该法λ＿（ｍａｘ）＝４９７ｎｍ，浓度线性范围２０～９００μｇ／ｍＬ，检出下限是９．０μｇ／ｍＬ。研究了２９种物质存在的干扰情况。

关键词：葡萄糖酸 δ-内酯分光光度法食品添加剂

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电阻转变型非挥发性存储器概述

科学通报 2011年第24期56卷 1967-1973页

作者：李颖弢龙世兵吕杭炳刘琦刘肃刘明兰州大学物理科学与技术学院兰州730000 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029

随着材料科学以及半导体技术的高速发展,电阻转变型存储器(RRAM)器件由于其具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存储能力、低成本等优势,引起了人们极大的兴趣并一度成为现阶段研究的热点.和所有产品一样,RRAM器件也需... 详细信息

随着材料科学以及半导体技术的高速发展,电阻转变型存储器(RRAM)器件由于其具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存储能力、低成本等优势,引起了人们极大的兴趣并一度成为现阶段研究的热点.和所有产品一样,RRAM器件也需要一些性能参数来评判其优缺点.对RRAM器件来说,评判其性能的主要参数包括操作电压、操作速度、电阻比率、耐受性、保持特性、多级存储、器件良率.此外,还对导致RRAM器件发生电阻转变的主要机理,不同电极材料、掺杂以及不同器件结构对电阻转变特性的影响进行了总结.最后,对RRAM存在的主要问题以及研究的重点作了简单评述.

关键词：电阻转变存储器电阻转变特性参数

等离子体浸没离子注入制备黑硅抗反射层及其光学特性研究

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物理学报 2012年第14期61卷 412-415页

作者：刘杰刘邦武夏洋李超波刘肃兰州大学物理科学与技术学院兰州730000 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

表面织构是一种有效降低表面反射率、提高硅基太阳能电池效率的方法.采用等离子体浸没离子注入的方法制备了黑硅抗反射层.分别通过原子力显微镜和紫外-可见-近红外分光光度计对黑硅样品表面形貌和反射率进行分析,结果发现黑硅样品表面... 详细信息

表面织构是一种有效降低表面反射率、提高硅基太阳能电池效率的方法.采用等离子体浸没离子注入的方法制备了黑硅抗反射层.分别通过原子力显微镜和紫外-可见-近红外分光光度计对黑硅样品表面形貌和反射率进行分析,结果发现黑硅样品表面布满了高度为0-550 nm的山峰状结构,结构层中硅体积分数和折射率随抗反射层厚度增加而连续降低.在:300—1000nm波段范围内,黑硅样品的加权平均反射率低至6.0%.通过传递矩阵方法对黑硅样品反射谱进行模拟,得到的反射谱与实测反射谱非常符合.

关键词：等离子体浸没离子注入折射率抗反射层黑硅