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脉冲激光沉积NiCo_2S_4薄膜及其电化学特征

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无机化学学报 2015年第12期31卷 2331-2336页

作者：刘家斌张辉崔艳华刘效疆刘敬松中国工程物理研究院电子工程研究所绵阳621000 西南科技大学材料科学与工程学院绵阳621000

采用脉冲激光沉积法制备了NiCo_2S_4薄膜,利用恒流充放电和循环伏安测试研究了NiCo_2S_4薄膜作为锂离子电池负极材料的电化学性能和充放电机理。采用高分辨电子显微镜和选区电子衍射(TEM&SAED)表征了NiCo_2S_4薄膜首次循环过程中的组成... 详细信息

采用脉冲激光沉积法制备了NiCo_2S_4薄膜,利用恒流充放电和循环伏安测试研究了NiCo_2S_4薄膜作为锂离子电池负极材料的电化学性能和充放电机理。采用高分辨电子显微镜和选区电子衍射(TEM&SAED)表征了NiCo_2S_4薄膜首次循环过程中的组成与结构变化。恒流充放电测试结果显示NiCo_2S_4薄膜在3μA·cm-2的放电电流下,0~3 V(vs Li+/Li)范围内,薄膜的首次放电容量为698 m Ah·g^(-1),经过200次循环之后的放电容量为365 m Ah·g^(-1);在循环伏安测试中得到了分步反应的可逆氧化还原峰。TEM和SAED分析结果揭示了NiCo_2S_4薄膜与Li的电化学反应机理:首次放电过程中NiCo_2S_4与Li发生转化反应生成了Li_2S、Ni和Co,充电后生成了CoS和NiS复合薄膜。后续循环为CoS和NiS复合薄膜的可逆分解与形成。研究表明NiCo_2S_4是一种有潜在应用价值的锂离子电池负极材料。

关键词： NiCo2S4薄膜脉冲激光沉积负极锂离子电池

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铬基透波材料的固化工艺与电性能研究

航空材料学报 2012年第5期32卷 75-78页

作者：于技强刘敬松霍冀川西南科技大学四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地四川绵阳621010

以氧化锌作固化剂,二氧化硅作填料,混合磷酸铬铝制备铬基透波材料基体。通过DSC-TG测试得出该基体的固化温度范围,根据测试结果在不同温度点、不同时间条件下进行固化实验。分析SEM,XRD,IR测试结果得出在180℃/2h条件下该材料体系能完... 详细信息

以氧化锌作固化剂,二氧化硅作填料,混合磷酸铬铝制备铬基透波材料基体。通过DSC-TG测试得出该基体的固化温度范围,根据测试结果在不同温度点、不同时间条件下进行固化实验。分析SEM,XRD,IR测试结果得出在180℃/2h条件下该材料体系能完成交联固化反应,并结合电性能测试分析验证了该结论。最后得出该铬基透波材料基体的最佳固化温度和最佳固化时间分别为180℃和2h。

关键词：透波材料介电性能固化条件交联固化反应

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多孔氧化镁纤维的制备及其生长机制研究

人工晶体学报 2013年第12期42卷 2643-2648页

作者：游美容刘敬松张敏芳杨超西南科技大学四川省非金属复合与功能材料重点实验室省部共建国家重点实验室培育基地绵阳621010

以硫酸镁(MgSO4)为原料,氢氧化钠(NaOH)为沉淀剂,聚乙二醇(PEG)为结构导向剂,采用水热法合成出碱式硫酸镁(MgSO4·5Mg(OH)2·3H2O)纤维,对前驱体进行煅烧获得多孔氧化镁纤维。通过X射线衍射、扫描电镜、N2吸附-脱附等技术对样品的表征,... 详细信息

以硫酸镁(MgSO4)为原料,氢氧化钠(NaOH)为沉淀剂,聚乙二醇(PEG)为结构导向剂,采用水热法合成出碱式硫酸镁(MgSO4·5Mg(OH)2·3H2O)纤维,对前驱体进行煅烧获得多孔氧化镁纤维。通过X射线衍射、扫描电镜、N2吸附-脱附等技术对样品的表征,分析了水热温度、水热时间对氧化镁的孔结构与形貌的影响。结果表明,水热温度和水热时间对前驱体的成分与形貌有较大的影响。在PEG(6000)与Mg物质的量比为0.01∶1的条件下,于140℃水热处理20 h后进行煅烧可合成结晶良好、孔径在几十至几百个纳米的多孔氧化镁纤维。

关键词：水热法聚乙二醇氧化镁纤维

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水热法生长立方MgO微晶研究

人工晶体学报 2012年第5期41卷 1260-1264页

作者：曹林洪智顺华刘敬松西南科技大学四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地绵阳621010 西南科技大学中国工程物理研究院激光聚变研究中心极端条件物质特性联合实验室绵阳621010

以尿素与Mg(NO3)2.6H2O在不同的反应温度和不同物质的量配比条件下,制备出前驱体Mg5(OH)2(CO3)4.4H2O/MgCO3,经煅烧得到立方MgO微晶粉末。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所制得产物的晶相和形貌进行了表征。结果表明:当... 详细信息

以尿素与Mg(NO3)2.6H2O在不同的反应温度和不同物质的量配比条件下,制备出前驱体Mg5(OH)2(CO3)4.4H2O/MgCO3,经煅烧得到立方MgO微晶粉末。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所制得产物的晶相和形貌进行了表征。结果表明:当尿素和Mg(NO3)2.6H2O物质的量的比为2∶1时,在160℃的水热反应条件下,制备出立方MgO前驱体微晶,在1000℃煅烧2 h后能够获得晶型完整、形貌规则、粒径约为5μm的MgO立方微晶。

关键词：水热法 MgO 立方相碱式碳酸镁/碳酸镁微晶

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铁电薄膜及其在存储器件中的应用研究现状

材料导报 2009年第S1期23卷 341-346页

作者：李惠琴刘敬松西南科技大学材料科学与工程学院

概述了铁电薄膜在非易失存储器中的应用研究现状,将铁电存储器与其他类型存储器进行了比较,针对铁电薄膜在存储器中的应用,探讨了铁电薄膜制备工艺与半导体工艺兼容性、极化疲劳、尺寸效应等几方面的问题,指出了当前研究的重点。

关键词：铁电薄膜工艺疲劳

不同烧结温度对PMN基铁电陶瓷B位有序度的影响

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无机化学学报 2013年第10期29卷 2145-2149页

作者：杨超刘敬松张敏芳游美容西南科技大学四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地绵阳621010

本文研究了不同烧结温度下,CuO添加对0.94PMN-0.06PT(PMN-6PT)弛豫铁电陶瓷B位化学有序度的影响。拉曼和XRD分析结果表明,不同的烧结温度下,离子取代不同,对B位有序度的影响不同。烧结温度在950℃时,主要是Cu2+进入晶格,不影响B位化学... 详细信息

本文研究了不同烧结温度下,CuO添加对0.94PMN-0.06PT(PMN-6PT)弛豫铁电陶瓷B位化学有序度的影响。拉曼和XRD分析结果表明,不同的烧结温度下,离子取代不同,对B位有序度的影响不同。烧结温度在950℃时,主要是Cu2+进入晶格,不影响B位化学有序度;烧结温度在1 080℃时,主要是Cu1+进入晶格,B位化学有序度改变。介温测试所表现出来的弛豫特性与拉曼分析有序度的结果相一致。

关键词：烧结温度弥散度有序度拉曼分析

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锆钛酸铅薄膜化学刻蚀技术研究

压电与声光 2008年第2期30卷 248-250页

作者：杨艳刘敬松张树人翟亚红电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054

介绍了一种刻蚀效果良好的应用于铁电存储器(FeRAM)的PZT薄膜的化学湿法化学刻蚀方法。采用典型的半导体光刻工艺,通过研究不同的刻蚀剂对PZT薄膜的化学刻蚀效果表明,利用BOE/HNO3/CH3COOH/HCl/NH4Cl/EDTA刻蚀液刻蚀PZT薄膜可得图形质... 详细信息

介绍了一种刻蚀效果良好的应用于铁电存储器(FeRAM)的PZT薄膜的化学湿法化学刻蚀方法。采用典型的半导体光刻工艺,通过研究不同的刻蚀剂对PZT薄膜的化学刻蚀效果表明,利用BOE/HNO3/CH3COOH/HCl/NH4Cl/EDTA刻蚀液刻蚀PZT薄膜可得图形质量及铁电性能良好的铁电电容,能满足铁电存储器对铁电薄膜微图形化要求。

关键词：锆钛酸铅化学刻蚀铁电性能

PbTiO3-CoFe2O4复合薄膜的溶液法制备及其微观结构研究

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人工晶体学报 2011年第2期40卷 470-473,485页

作者：刘敬松许有超李涛于技强西南科技大学四川省非金属复合与功能材料重点实验室一省部共建国家重点实验室培育基地绵阳621010

以乙二醇甲醚为溶剂,采用溶液法成功制备了致密的、铁电相和铁磁相共存的0-3型磁电复合薄膜。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X射线能谱分析(EDAX)、压电响应力显微镜(PFM)分析了退火时间对两相结构、晶粒大小、薄膜形貌、电... 详细信息

以乙二醇甲醚为溶剂,采用溶液法成功制备了致密的、铁电相和铁磁相共存的0-3型磁电复合薄膜。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X射线能谱分析(EDAX)、压电响应力显微镜(PFM)分析了退火时间对两相结构、晶粒大小、薄膜形貌、电畴及磁畴的影响。结果表明,退火20 min对于PbTiO3相晶粒的生长已经足够,随着退火时间的延长,CoFe2O4相的晶粒逐渐长大,薄膜的均方根粗糙度有所提高;同时因为磁性相晶粒的长大复合薄膜电畴的取向发生了极大地变化。复合薄膜中同时存在的电畴和磁畴证明了其同时具有的铁电性和磁性。

关键词：钛酸铅铁酸钴溶液法微观结构

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X-射线荧光光谱测定氧化铍中杂质元素

分析化学 2000年第6期28卷 756-758页

作者：包生祥王志红荣丽梅刘敬松郭俊昆明高新技术开发区!昆明650000 电子科技大学材料分析中心!成都610054

拟定了BeO中12种痕量杂质元素的X-射线荧光光谱测定方法．采用光谱纯试剂人工合成校准标样，粉末压块法制备分析样片。考虑到BeO对X射线的透明性，在样片与样品盒支架之间垫置钼片消除试样盒发射线的干扰并产生附加激发以提高灵敏度。... 详细信息

拟定了BeO中12种痕量杂质元素的X-射线荧光光谱测定方法．采用光谱纯试剂人工合成校准标样，粉末压块法制备分析样片。考虑到BeO对X射线的透明性，在样片与样品盒支架之间垫置钼片消除试样盒发射线的干扰并产生附加激发以提高灵敏度。本文分析结果与等离子发射光谱和原子吸收光谱对照相吻合。

关键词： X-射线荧光光谱氧化铍杂质测定