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作者：刘士花陕西科技大学

学位级别：硕士

由Zn-Bi系压敏陶瓷封装而成的电阻是一种多晶半导体元器件,其优异的非线性性能和强大的浪涌吸收能力使其在电力设备和电子器件过电压保护等领域中被广泛研究应用。目前,制备Zn-Bi系压敏陶瓷的经验配方成分繁杂且存在污染环境的风险,研... 详细信息

由Zn-Bi系压敏陶瓷封装而成的电阻是一种多晶半导体元器件,其优异的非线性性能和强大的浪涌吸收能力使其在电力设备和电子器件过电压保护等领域中被广泛研究应用。目前,制备Zn-Bi系压敏陶瓷的经验配方成分繁杂且存在污染环境的风险,研究并制备低成本、低污染、高性能的Zn-Bi系压敏陶瓷逐渐成为重要研究内容。MnO2和SiO2原料丰富、容易获取、对环境友好,而它们作为掺杂剂对不同组分Zn-Bi系压敏陶瓷电学性能的影响并未有系统的研究。同时,结合第一性原理方法从理论模拟角度解释掺杂改性的微观机理这一基础研究也将受到高度重视。因此,本论文采用传统固相烧结法制备压敏陶瓷样品,研究了 MnO2/SiO2掺杂对不同组分Zn-Bi系压敏陶瓷微观结构和电学性能的影响,并结合第一性原理方法计算了 Si掺杂ZnO形成不同缺陷结构的形成能,主要研究成果如下:(1)制备了MnO2掺杂二元ZnO-Bi2O3压敏陶瓷。随MnO2的掺杂量从0.00 mol%增大到2.25 mol%,压敏陶瓷样品的非线性系数从3.97增大到49.97,势垒高度从0.21 eV增大到0.72 eV,漏电流密度从0.3007 mA/cm2减小到0.0016 mA/cm2,压敏性能大幅度改善;归因于MnO2表面过剩氧的结构特点,且偏析于晶界的Mn元素为双肖特基势垒结构提供了大量界面态。同时,MnO2掺杂促使ZnO晶粒尺寸有增大的趋势,是制备低成本适用于低压Zn-Bi系压敏陶瓷的理想添加剂。(2)制备了MnO2掺杂四元 ZnO-Bi2O3-Co2O3-Sb2O3 压敏陶瓷。随 MnO2掺杂量从0.00 mol%增大到2.25 mol%,ZnO晶粒尺寸总体呈增大趋势,但所得Zn-Bi系压敏陶瓷压敏性能并未得到明显改善。无MnO2掺杂时,ZnO压敏陶瓷中大量Co和Sb的存在导致ZnO晶粒和富Bi晶界相固溶量接近饱和,且有尖晶石相析出。MnO2掺杂后,大量的Mn与Co、Sb在晶界处共同形成尖晶石相,致使MnO2未发挥出其改善压敏性能的优势。(3)制备了 SiO2掺杂二元ZnO-Bi2O3压敏陶瓷。随SiO2的掺杂量从0.00 mol%增大到2.25 mol%,压敏陶瓷样品的非线性系数从3.97增大到5.48,势垒高度从0.21 eV增大到0.45 eV,漏电流密度从0.3007 mA/cm2减小到0.1967mA/cm2,压敏性能稍有改善;归因于SiO2掺杂导致坯体烧结过程中形成的δ-Bi2O3相在冷却后依然稳定存在,δ-Bi2O3相有利于吸附氧传输,为提高非线性系数奠定基础。同时,SiO2掺杂大幅提高了样品压敏场强,由最初121.25 V/mm提升至490.29 V/mm,且稳定了压敏陶瓷的介电性能,具有制备适用于特高压电力系统且介电性能稳定ZnO压敏陶瓷的潜力。(4)制备了 SiO2掺杂四元ZnO-Bi2O3-Co2O3-Sb2O3 压敏陶瓷。随 SiO2的掺杂量从0.00 mol%增大到2.25 mol%,所得Zn-Bi系压敏陶瓷样品的介电性能稳定,压敏性能逐步提升,势垒高度从0.53 eV增大到0.89 eV;掺杂量为2.25 mol%时,样品非线性系数有最大值51.99,漏电流密度有最小值0.0012 mA/cm2。无SiO2掺杂时,大量Co-Sb-O型尖晶石相偏析于晶界处。SiO2掺杂后,不仅稳定了有利于吸附氧传输的δ-Bi2O3相,还促使晶界处的Co-Sb-O型尖晶石相减少,大幅提升了界面态密度。(5)相同工艺条件下重复制备了ZnO-Bi2O3-Co2O3-Sb2O3-MnO2-SiO2压敏陶瓷样品A和B,并对其压敏性能存在的差异进行了分析。样品A和B物相组成相同,且势垒高度的相对变化率仅为6.67%;但两者非线性系数分别为42.59和72.68,相对变化率为70.65%;漏电流密度分别为0.0130 mA/cm2和0.0020 mA/cm2,相对变化率为-84.62%,两个样品之间压敏性能差异明显。采用低温宽频介电谱分析样品本征缺陷时发现,样品A和B氧空位缺陷浓度的相对变化率为-123.60%,样品B中氧空位缺陷的明显较少是其压敏性能优异的主要原因。(6)基于氧空位缺陷对Zn-Bi系压敏陶瓷性能有显著影响,构建了多种Si掺杂ZnO晶格的缺陷结构,并采用第一性原理方法计算了所构建缺陷结构的形成能。结果表明:ZnO晶体中掺杂有Si元素时,氧空位缺陷的形成受到抑制,Si替位Zn缺陷(SiZn)易于间隙Si缺陷(Sii)形成,分散分布的替位缺陷(SiZn4-SiZn16)易于聚集分布的替位缺陷(SiZn4-SiZn11)形成,且替位缺陷与氧空位组合成的复合缺陷更易形成,例如SiZn4-VO15复合缺陷的形成能仅为-0.395 eV。ZnO晶粒中类似于SiZn4-VO15复合缺陷的大量形成,有利于Zn-Bi系压敏陶瓷中耗尽层内氧空位浓度降低,一定程度上能够改善压敏陶瓷的压敏性能,计

关键词： Zn-Bi系压敏陶瓷 MnO2 SiO2 非线性性能相对变化率缺陷结构第一性原理

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植根“标准”让小学语文阅读教学真正落到实处

植根“标准”让小学语文阅读教学真正落到实处

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“双减”政策下的课程与教学改革探索

作者：刘士花山东省临沂市金雀山小学

在小学语文阅读教学过程中,语文教师需要根植于当前的标准化教学模式,完善知识体系,在阅读教学过程中指导学生更加高效地完成思考、探索、总结,指引学生对课程知识点、课程知识结构进行高效化、定向化地学习,帮助学生在规范化、体系化...

在小学语文阅读教学过程中,语文教师需要根植于当前的标准化教学模式,完善知识体系,在阅读教学过程中指导学生更加高效地完成思考、探索、总结,指引学生对课程知识点、课程知识结构进行高效化、定向化地学习,帮助学生在规范化、体系化的学习探索过程中提高阅读学习效率,满足当前双减政策环境下对教学时间、教学排配的管理需求。

关键词：

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烧结温度对Zn-Bi系压敏陶瓷晶界的影响

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功能材料 2022年第9期53卷 9013-9017页

作者：刘建科李智智陈姣姣刘士花徐荣凯陕西科技大学文理学院半导体材料与器件研究中心西安710021

采用传统的固相烧结法制备了Zn-Bi-Mn-Cr-Si(ZBMCS)压敏陶瓷样品,研究了烧结温度对ZBMCS压敏陶瓷相组成、微观结构、电学性能的影响。烧结温度的持续升高使得样品平均晶粒尺寸逐渐增大,压敏场强逐渐减小。对不同烧结温度下样品EDS分析可... 详细信息

采用传统的固相烧结法制备了Zn-Bi-Mn-Cr-Si(ZBMCS)压敏陶瓷样品,研究了烧结温度对ZBMCS压敏陶瓷相组成、微观结构、电学性能的影响。烧结温度的持续升高使得样品平均晶粒尺寸逐渐增大,压敏场强逐渐减小。对不同烧结温度下样品EDS分析可知,烧结温度的升高显著降低了Bi的含量,Mn,Cr、Si参与了Zn_(2)SiO_(4)和其他第二相的形成过程。当烧结温度为990℃时,样品的综合性能达到最好,此时非线性系数最大值为43.36,漏电流密度最小值为1.89μA/cm^(2),击穿场强为435.10 V/mm,在103~106 Hz外电场作用下其损耗角正切值最大仅为0.07。

关键词：烧结温度微观结构电学性能

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两种模型下联合储备备件量的计算

两种模型下联合储备备件量的计算

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作者：刘士花延边大学

学位级别：硕士

随着科学技术的飞速发展,设备的现代化水平得到了显著提高,设备的维修和保障也随之越来越复杂,为保障生产的正常连续运行,很多企业倾向于储备远超过实际需求量的备件库存,这样就造成了产品的积压和资源的浪费,因此,科学合理的解决备件... 详细信息

随着科学技术的飞速发展,设备的现代化水平得到了显著提高,设备的维修和保障也随之越来越复杂,为保障生产的正常连续运行,很多企业倾向于储备远超过实际需求量的备件库存,这样就造成了产品的积压和资源的浪费,因此,科学合理的解决备件配置问题得到越来越广泛的关注。通常情况下,备件量的确定是在提高设备的使用可靠性、维修性和经济性前提下,尽量减少相关费用和资金占用。本文以可维修系统为背景,主要研究了在修如旧和修如新可修系统模型下,对相同储存条件下同时开始贮存的N个系统,给出预定贮存期为T,在储存期内使N个系统正常的概率不小于P所需备件数M的计算公式,并在保证设备检修的需求,又不积压浪费的基础上,提出了联合储备的方法,同时针对贮存寿命服从威布尔分布和指数分布的系统,通过实例验证了该方法的实用性。

关键词：备件可用度联合储备 Weibull分布指数分布

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SiO掺杂对ZnO–BiO基压敏陶瓷电学性能的影响

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硅酸盐学报 2022年

作者：刘建科陈姣姣曹文斌苏锦锋李智智徐荣凯刘士花陕西科技大学半导体材料与器件中心

在ZnO–BiO–MnO–CrO基础上掺杂不同含量的SiO，采用传统固相烧结法制备ZnO压敏陶瓷。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究了ZnO压敏陶瓷的物相组成和微观结构。利用数字源表、电感电容电阻测试仪测试并分析其电学性能。利用电容–电...

在ZnO–BiO–MnO–CrO基础上掺杂不同含量的SiO，采用传统固相烧结法制备ZnO压敏陶瓷。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究了ZnO压敏陶瓷的物相组成和微观结构。利用数字源表、电感电容电阻测试仪测试并分析其电学性能。利用电容–电压特性法测试其晶界参数。结果表明：在频率10 kHz附近时，由于极化跟不上外电场变化，相对介电常数急速下降，同时产生相应的损耗峰。随着SiO掺杂量的增加，损耗角正切(tanδ)先降低后升高，在掺杂量为0时最高，1.0%(摩尔分数)时最低，SiO的掺杂明显降低了在105 Hz附近的tanδ值。非线性系数(α)随着SiO掺杂量的增加先增加后减小，在SiO掺杂量为1.0%时，样品α值达到43.36，晶界势垒高度φ在10 kHz时为1.98 eV，施主浓度低至2.97×1024 m，同时漏电流I为0.31μA/cm~2。

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曲美他嗪在心血管疾病中的应用进展

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哈尔滨医药 2013年第2期33卷 153-154页

作者：刘士花天津市第四中心医院天津300140

检索国内外近年来有关曲美他嗪治疗心血管疾病方面的临床应用研究的相关文献,寻找治疗疾病的有效依据,并作一综述。曲美他嗪作为一种用于治疗冠心病的代谢类药物,是通过优化心肌能量代谢,抑制脂肪酸氧化、增加葡萄糖的利用,从而改善心... 详细信息

检索国内外近年来有关曲美他嗪治疗心血管疾病方面的临床应用研究的相关文献,寻找治疗疾病的有效依据,并作一综述。曲美他嗪作为一种用于治疗冠心病的代谢类药物,是通过优化心肌能量代谢,抑制脂肪酸氧化、增加葡萄糖的利用,从而改善心肌细胞的能量代谢,具有保护心肌作用,且不影响血流动力学,近年研究发现它能改善心力衰竭患者心肌能量代谢,影响神经内分泌系统,减少炎症细胞因子,抗氧化应激以及延缓心室重构,从而改善左室收缩和舒张功能。曲美他嗪作为一种新型的抗心绞痛、抗心肌缺血药物,对于应用经典药物治疗不理想的患者,联用曲美他嗪可以更好地改善其左室功能。其独特的药理学作用可以弥补传统药物的不足,为药物治疗提供了一条新途径,是治疗心血管疾病中颇具应用前景的新型药物。

关键词：曲美他嗪心血管应用

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MnO_(2)/Co_(2)O_(3)掺杂对ZnO压敏陶瓷影响的对比研究

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陕西科技大学学报 2022年第4期40卷 115-120页

作者：曹文斌刘士花刘建科李智智徐荣凯陕西科技大学文理学院半导体材料与器件研究中心陕西西安710021

对非饱和过渡金属氧化物中MnO_(2)或Co_(2)O_(3)掺杂ZnO压敏陶瓷的影响进行了对比研究.结果表明:掺MnO_(2)压敏陶瓷内部尖晶石相较多,富Bi相相对较少;同一烧结温度下,MnO_(2)掺杂ZnO压敏陶瓷的非线性系数总体上较高,源于Mn元素在晶界偏... 详细信息

对非饱和过渡金属氧化物中MnO_(2)或Co_(2)O_(3)掺杂ZnO压敏陶瓷的影响进行了对比研究.结果表明:掺MnO_(2)压敏陶瓷内部尖晶石相较多,富Bi相相对较少;同一烧结温度下,MnO_(2)掺杂ZnO压敏陶瓷的非线性系数总体上较高,源于Mn元素在晶界偏析提供了大量界面态,在ZnO晶粒内部分布消耗施主缺陷.借助第一性原理方法分析了Co_(2)O_(3)掺杂ZnO压敏陶瓷有较高最佳烧结温度的原因是Co替位Zn的缺陷形成能较大.为制备高性能ZnO压敏陶瓷在选择添加剂与制定烧结温度方面提供了借鉴.

关键词： ZnO压敏陶瓷 MnO_(2)/Co_(2)O_(3)掺杂非线性系数第一性原理

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SiO_(2)掺杂对ZnO-Bi_(2)O_(3)基压敏陶瓷电学性能的影响

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硅酸盐学报 2022年第9期50卷 2366-2373页

作者：刘建科陈姣姣曹文斌苏锦锋李智智徐荣凯刘士花陕西科技大学半导体材料与器件中心西安710021

在ZnO-Bi_(2)O_(3)-MnO_(2)-Cr2O_(3)基础上掺杂不同含量的SiO_(2),采用传统固相烧结法制备ZnO压敏陶瓷。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究了ZnO压敏陶瓷的物相组成和微观结构。利用数字源表、电感电容电阻测试仪测试并分析其电学... 详细信息

在ZnO-Bi_(2)O_(3)-MnO_(2)-Cr2O_(3)基础上掺杂不同含量的SiO_(2),采用传统固相烧结法制备ZnO压敏陶瓷。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究了ZnO压敏陶瓷的物相组成和微观结构。利用数字源表、电感电容电阻测试仪测试并分析其电学性能。利用电容-电压特性法测试其晶界参数。结果表明:在频率10 kHz附近时,由于极化跟不上外电场变化,相对介电常数急速下降,同时产生相应的损耗峰。随着SiO_(2)掺杂量的增加,损耗角正切(tanδ)先降低后升高,在掺杂量为0时最高,1.0%(摩尔分数)时最低,SiO_(2)的掺杂明显降低了在10^(5)Hz附近的tanδ值。非线性系数(α)随着SiO_(2)掺杂量的增加先增加后减小,在SiO_(2)掺杂量为1.0%时,样品α值达到43.36,晶界势垒高度φ_(b)在10 kHz时为1.98 eV,施主浓度低至2.97×10^(24)m^(-3),同时漏电流I_(L)为0.31μA/cm^(2)。

关键词：二氧化硅氧化锌压敏陶瓷晶界势垒非线性系数电容-电压特性法

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黑腹尼虎天牛接触性信息素的不对称合成

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有机化学 2024年第1期44卷 301-308页

作者：于士航刘嘉威安碧玉边庆花王敏钟江春中国农业大学理学院应用化学系北京100193

黑腹尼虎天牛是一种危害林木与果树的蛀干害虫,其接触性信息素为(R)-9-甲基二十七烷、(R)-7-甲基二十五烷和(R)-7-甲基二十七烷.以(S)-环氧丙烷为手性源,环氧丙烷与格氏试剂的开环加成、仲磺酸酯与格氏试剂的SN2烷基化以及手性醛的Witti... 详细信息

黑腹尼虎天牛是一种危害林木与果树的蛀干害虫,其接触性信息素为(R)-9-甲基二十七烷、(R)-7-甲基二十五烷和(R)-7-甲基二十七烷.以(S)-环氧丙烷为手性源,环氧丙烷与格氏试剂的开环加成、仲磺酸酯与格氏试剂的SN2烷基化以及手性醛的Wittig偶联为关键步骤,发展了一种新的合成黑腹尼虎天牛接触性信息素的方法.

关键词：黑腹尼虎天牛接触性信息素手性源 (S)-环氧丙烷不对称合成

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灌服肠内酯对哺乳羔羊瘤胃发酵参数和消化道发育的影响

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畜牧与兽医 2024年第6期56卷 49-54页

作者：刘宁莫佳琪王翊菲黄士翰刘军花国家动物消化道营养国际联合研究中心/江苏省消化道营养与动物健康重点试验室南京农业大学动物科技学院消化道微生物研究室江苏南京210095

本研究旨在探讨灌服肠内酯对羔羊瘤胃发酵和胃肠道发育的影响。试验选取14只健康12日龄湖羊羔羊,随机均分为两组,对照组灌服生理盐水,灌服肠内酯组于每天10:00进行口腔灌服处理,预饲期3 d,正试期为28 d。试验过程中羔羊自由采食1∶9冲... 详细信息

本研究旨在探讨灌服肠内酯对羔羊瘤胃发酵和胃肠道发育的影响。试验选取14只健康12日龄湖羊羔羊,随机均分为两组,对照组灌服生理盐水,灌服肠内酯组于每天10:00进行口腔灌服处理,预饲期3 d,正试期为28 d。试验过程中羔羊自由采食1∶9冲泡的山羊奶粉并自由饮水,每天记录羔羊采食量,每周称重,羔羊在42日龄时屠宰采样,采取瘤胃和小肠组织样品,以及瘤胃液样品,分别用于组织形态学和挥发性脂肪酸分析。结果:与对照组相比,口腔灌服肠内酯显著提高了羔羊5周龄平均日增重(P<0.05);口腔灌服肠内酯显著降低了瘤胃内乙酸比例(P=0.019)以及乙酸与丙酸比(P=0.019);口腔灌服肠内酯显著增加了羔羊瘤胃完全分化乳头比例(P=0.013),增加瘤胃壁厚度(P=0.004)、瘤胃乳头长度(P<0.001)、宽度(P<0.001)、密度(P<0.001)和表面积(P<0.001),显著增加角质层厚度(P=0.004)以及棘状层和基底层厚度(P<0.001);口腔灌服肠内酯显著增加了羔羊十二指肠(P<0.001)、空肠绒毛高度(P=0.048)和十二指肠的绒毛高度/隐窝深度(P<0.001),显著降低了十二指肠隐窝深度(P<0.001)。综上,口腔灌服肠内酯能增加羔羊瘤胃壁厚度,显著刺激瘤胃上皮细胞层的增生,促进羔羊瘤胃的发育,增加小肠绒毛高度,提高小肠的吸收能力,为羔羊健康生长发育打下坚实基础。

关键词：肠内酯瘤胃发酵消化道发育羔羊

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