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Ag/Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/YBa2Cu3O7-x三端器件构造和性能的研究

低温物理学报 1999年第1期21卷 60-64页

作者：刘保亭,ｙｕ．ｋｉｓｌｉｎｓｋｉi,郝昭,陈莺飞,许波,陈红,吴非,赵柏儒中国科学院物理研究所国家超导实验室

应用脉冲激光沉积法和光刻技术我们成功地制作Ａｇ／Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＰＺＴ／ＹＢＣＯ）三端器件．为了降低矫顽场，应用变形相界（ｘ≈０．５３）的５５０纳米厚的ＰＺＴ作为门电极，... 详细信息

应用脉冲激光沉积法和光刻技术我们成功地制作Ａｇ／Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＰＺＴ／ＹＢＣＯ）三端器件．为了降低矫顽场，应用变形相界（ｘ≈０．５３）的５５０纳米厚的ＰＺＴ作为门电极，通过优化沉积条件和门电极面积小型化（６×１０－６ｃｍ２），在６４Ｋ下三端器件门电极显示了极好的电性能，低的矫顽场（～３７ｋＶ／ｃｍ）、大的饱和极化强度（６０μＣ／ｃｍ２）、剩余极化强度（４１μＣ／ｃｍ２）以及击穿电压～３×１０５Ｖ／ｃｍ．对于我们的场效应器件，在±９Ｖ的情况下沟道电阻被调制～３％．

关键词：击穿电压场效应器件 O3/YBa2Cu3O Ti Zr Ag/Pb 矫顽场矫顽力正常态

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A New Bipolar Type Transistor Created Based on Interface Effects of Integrated All Perovskite Oxides

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Chinese Physics Letters 2012年第10期29卷 198-203页

作者： XIA Feng-Jin WU Hao FU yue-Ju XU Bo yuAN Jie ZHU Bei-Yi QIU Xiang-Gang CAO Li-Xin LI Jun-Jie JIN Ai-Zi WANG yu-Mei LI Fang-Hua LIU Bao-Ting XIE Zhong ZHAO Bai-Ru National Laboratory for Superconductivity Institute of Physics and Center for Condensed Matter PhysicsChinese Academy of SciencesBeijing 100190 School of Physics and Microelectronic Science Hunan UniversityChangsha 410082 School of Physics and Technology Wuhan UniversityWuhan 430072 College of Physics Science and Technology Hebei UniversityBaoding 071002 Department of Materials Science Wuhan University of Science and TechnologyWuhan 430081

Oxide transistor is the basic device to construct the oxide electronic circuit that is the backing to develop integrated oxide electronics with high efficiency and low power *** growing the perovskite oxide integrated layers and tailoring them to lead semiconducting functions at their interfaces,the development of oxide transistors may be able to *** realize a kind of p-i-n type integrated layers consisting of an n-type cuprate superconductor,p-type colossal magnetoresistance manganite,and a ferroelectric barrier(i).From this,bipolar transistors were fabricated at the back-to-back p-i-n junctions,for which the Schottky emission and p-n junction barriers,as well as the ferroelectric polarization,were integrated into the interfaces to control the transport properties;a preliminary but distinct current gain greater than 1.6 at input current of microampers order was *** results present a real possibility to date for developing bipolar all perovskite oxide transistors.

关键词： bipolar polarization ferroelectric

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电子型高温超导材料镧铈铜氧的载流子动力学过程

电子型高温超导材料镧铈铜氧的载流子动力学过程

引用

第十一届基础光学与光物理讨论会

作者：龙拥兵张春雨赵力赵柏儒邱祥冈赵士平杨乾声汪国平汪力傅盘铭张治国中国科学院物理研究所光物理重点实验室武汉大学物理系中国科学院物理研究所超导国家重点实验室中国科学院物理所极端条件重点实验室

＜正＞近二十年来,人们利用飞秒泵浦探测技术,在物理、化学、生物等许多基本动力学过程中取得了非常有意义的研究结果。1987年,Allen提出,用飞秒泵浦探测技术可以测量金属的电声子作用常数;此后该技术广泛应用于研究高温超导材料的载流...

＜正＞近二十年来,人们利用飞秒泵浦探测技术,在物理、化学、生物等许多基本动力学过程中取得了非常有意义的研究结果。1987年,Allen提出,用飞秒泵浦探测技术可以测量金属的电声子作用常数;此后该技术广泛应用于研究高温超导材料的载流子动力学过程。在以往的实验中,研究对象主要集中在空穴型高温超导体,而对电子型高温超导体则涉

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