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本文研制了用于点电极高纯锗探测器的新版低温低噪声CMOS电荷灵敏前放芯片。设计中通过采用片外可调节的偏置模块使芯片在低温下能正常工作,在上一版芯片的基础上,芯片内采用自动复位的开关反馈方式和开关电容复位方式,避免了反馈电阻会引入的并联噪声,芯片的输出级具有直接驱动同轴电缆和主放的能力。芯片采用了0.35μm CMOS工艺流片。测试结果表明在低温下芯片能达到6.5个电子的零电容噪声,2pF输入电容时的噪声达到10个电子,12us成型时间下的噪声斜率为10.5e/pF。本文还探讨了PCB基材对噪声性能的影响,及进一步提升系统噪声性能的措施。

关键词：点电极高纯锗探测器低噪声专用集成电路低温电子学

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江西农业大学2008、2009级新生乙型病毒性肝炎表面抗原抗体检测结果分析

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实用临床医学（江西） 2012年第1期13卷 130-131页

作者：瞿运秋刘楠刘以农胡贵华江西农业大学医院内科南昌330045

目的大学生集体生活接触比较密切,存在乙型病毒性肝炎(HBV)传播和流行的隐患,通过两届新生HBV表面抗原抗体检测结果分析,为今后高校开展HBV的预防,制定防治措施提供依据。方法对2008级和2009级新生入学时抽取2～3mL静脉血,采用酶联免疫... 详细信息

目的大学生集体生活接触比较密切,存在乙型病毒性肝炎(HBV)传播和流行的隐患,通过两届新生HBV表面抗原抗体检测结果分析,为今后高校开展HBV的预防,制定防治措施提供依据。方法对2008级和2009级新生入学时抽取2～3mL静脉血,采用酶联免疫吸附试验法,检测乙型病毒性肝炎表面抗原(HBsAg)和表面抗体(抗-HBs)。结果两届新生HBsAg阳性率平均为11.13%。2009级HBsAg阳性率略低于2008级,但差异无统计学意义(P>0.05)。HBsAg阳性率男生高于女生,抗-HBs阳性率女生高于男生(均P0.05)。结论部分高校新生HBsAg阳性率依然偏高,特别是来自不发达地区的学生携带乙型病毒性肝炎病毒的形势不容乐观,高校的HBV预防仍面临挑战。

关键词：乙型病毒性肝炎 HBsAg 抗-HBs 大学新生

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性别因素导致的机体不同免疫能力对流感病毒致病性的影响

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寄生虫病与感染性疾病 2017年第3期15卷 166-168页

作者：车茜周琦汪良枢刘以农四川省疾病预防控制中心成都610041

女性在病毒、细菌等病原生物感染后能产生较强的天然和获得性免疫。但也更容易发生自身免疫性疾病。流感是由流感病毒引起的急性呼吸道疾病,每年在全球范围内引起300~500万重症感染病例,导致25~50万死亡病例。年龄和基础性疾病本普遍被... 详细信息

女性在病毒、细菌等病原生物感染后能产生较强的天然和获得性免疫。但也更容易发生自身免疫性疾病。流感是由流感病毒引起的急性呼吸道疾病,每年在全球范围内引起300~500万重症感染病例,导致25~50万死亡病例。年龄和基础性疾病本普遍被认为是与疾病严重程度相关的危险因素。但关于性别与疾病的相关性研究还较为有限。了解性别对流感易感性以及严重程度的关系有利于流感的科学防控,如推荐易感人群进行疫苗优先接种等。本文对性别与流感感染及严重程度的相互关系和可能的机制进行了综述。

关键词：流感性别发病机制严重程度

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低温下CMOS集成电荷灵敏前放噪声特性研究

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第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会

作者：朱雪洲邓智罗杰刘以农李玉兰岳骞清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室

一、简介暗物质探测是目前国际上粒子和天文物理研究的热点之一。正在建造的四川锦屏极深地下实验室中将采用高纯锗(HPGe)探测器来降低暗物质探测的能量阈值,这对探测器及其前端电子学都提出了非常高的要求。探测器的能量阈值主要由前... 详细信息

一、简介暗物质探测是目前国际上粒子和天文物理研究的热点之一。正在建造的四川锦屏极深地下实验室中将采用高纯锗(HPGe)探测器来降低暗物质探测的能量阈值,这对探测器及其前端电子学都提出了非常高的要求。探测器的能量阈值主要由前置放大器的噪

关键词：集成CMOS工艺零电容噪声电荷灵敏前放

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硅PIN光电二极管γ电离脉冲辐射的数值模拟

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半导体光电 2009年第5期30卷 681-683页

作者：王祖军刘以农陈伟唐本奇黄绍艳刘敏波肖志刚张勇清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室北京100084 西北核技术研究所西安710024

分析了γ电离脉冲辐射诱发硅PIN光电二极管产生光电流的机理。建立了硅PIN光电二极管的器件物理模型以及γ电离脉冲辐射效应模型;运用MEDICI软件,进行了辐射效应数值模拟计算。得出了γ电离脉冲辐射剂量率在100～109Gy(Si)/s范围内,诱发... 详细信息

分析了γ电离脉冲辐射诱发硅PIN光电二极管产生光电流的机理。建立了硅PIN光电二极管的器件物理模型以及γ电离脉冲辐射效应模型;运用MEDICI软件,进行了辐射效应数值模拟计算。得出了γ电离脉冲辐射剂量率在100～109Gy(Si)/s范围内,诱发硅PIN光电二极管光电流变化的初步规律。对比了辐射效应数值模拟结果与国外相关文献给出的辐照实验结果。

关键词： PIN光电二极管电离脉冲辐射光电流数值模拟

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分层与综合设计法——电磁兼容设计的新方法

分层与综合设计法——电磁兼容设计的新方法

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第十四届全国电磁兼容学术会议

作者：白同云倪建平刘以农张亚利清华大学工程物理系电磁兼容试验室清华大学工程物理系电磁兼容试验室清华大学工程物理系电磁兼容试验室清华大学工程物理系电磁兼容试验室

＜正＞ 0.前言分层与综合设计法是指按照产品在电磁兼容设计时所采取的各项措施的重要性为先后,分为若干层次进行设计,并加以综合分析进行适当调整直到完善。电磁兼容设计是实现产品的规定功能、并使产品的各种效能得以充分发挥的重要...

＜正＞ 0.前言分层与综合设计法是指按照产品在电磁兼容设计时所采取的各项措施的重要性为先后,分为若干层次进行设计,并加以综合分析进行适当调整直到完善。电磁兼容设计是实现产品的规定功能、并使产品的各种效能得以充分发挥的重要保证。电磁兼容设计的目的就是要使所设计的产品具有电磁兼容性:一方面,能在预期的电磁环境中正常工作,无性能降低或出现故障;另一方面,对电磁环境不是一个污染源,也就是说,能满足相应电磁兼容标准的规定。

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