用于点电极HPGe探测器的低温低噪声CMOS前放芯片
作者单位：清华大学工程物理系 粒子技术与辐射成像教育部重点实验室(清华大学)
会议名称：《第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会》
会议日期：2012年
学科分类：082704[工学-辐射防护及环境保护] 080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0827[工学-核科学与技术]
关 键 词：点电极 高纯锗探测器 低噪声 专用集成电路 低温电子学
摘 要：本文研制了用于点电极高纯锗探测器的新版低温低噪声CMOS电荷灵敏前放芯片。设计中通过采用片外可调节的偏置模块使芯片在低温下能正常工作,在上一版芯片的基础上,芯片内采用自动复位的开关反馈方式和开关电容复位方式,避免了反馈电阻会引入的并联噪声,芯片的输出级具有直接驱动同轴电缆和主放的能力。芯片采用了0.35μm CMOS工艺流片。测试结果表明在低温下芯片能达到6.5个电子的零电容噪声,2pF输入电容时的噪声达到10个电子,12us成型时间下的噪声斜率为10.5e/pF。本文还探讨了PCB基材对噪声性能的影响,及进一步提升系统噪声性能的措施。
