检索结果-南通市图书馆

p层空穴浓度及厚度对InGaN同质结太阳电池性能的影响机理研究

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物理学报 2019年第19期68卷 209-217页

作者：潘洪英全知觉南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心

采用数值模拟的方法,研究了 p 层空穴浓度和厚度对不同铟组分 InGaN p-i-n 同质结太阳电池性能的影响规律及其内在机理.模拟计算的结果显示:随着 p 层空穴浓度和厚度的增加,太阳电池的转换效率均呈先增加、后略微下降的趋势;而且铟组分... 详细信息

采用数值模拟的方法,研究了 p 层空穴浓度和厚度对不同铟组分 InGaN p-i-n 同质结太阳电池性能的影响规律及其内在机理.模拟计算的结果显示:随着 p 层空穴浓度和厚度的增加,太阳电池的转换效率均呈先增加、后略微下降的趋势;而且铟组分越高, p 层空穴浓度和厚度的影响越大.为更好地理解这一规律,本文从太阳电池的收集效率、I-V 特性、内建电场和载流子输运等方面分析,阐述了其背后的物理机理;研究结果对 InGaN 太阳电池的结构设计及实验制备有一定的理论指导意义.

关键词：数值模拟 InGaN 同质结太阳电池

p型层结构与掺杂对GaInN发光二极管正向电压温度特性的影响

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物理学报 2015年第10期64卷 270-275页

作者：毛清华刘军林全知觉吴小明张萌江风益南昌大学国家硅基LED工程研究中心南昌330047

在温度变化时,如果GaInN发光二极管能够保持相对稳定的工作电压对其实际应用具有重要意义.本文通过金属有机化学气相沉积生长了一系列包含不同有源区结构、不同p型层结构以及不同掺杂浓度纵向分布的样品,并对其在不同温度区间内正向电... 详细信息

在温度变化时,如果GaInN发光二极管能够保持相对稳定的工作电压对其实际应用具有重要意义.本文通过金属有机化学气相沉积生长了一系列包含不同有源区结构、不同p型层结构以及不同掺杂浓度纵向分布的样品,并对其在不同温度区间内正向电压随温度变化的斜率(dV/dT)进行了研究.结果表明:1)有源区中包括插入层设计、量子阱结构以及发光波长等因素的变化对正向电压随温度变化特性影响很小;2)影响常温区间(300K±50K)正向电压随温度变化斜率的最主要因素为p-AlGaN电子阻挡层起始生长阶段的掺杂形貌,具有p-AlGaN陡掺界面的样品电压变化斜率为-1.3mV·K-1,与理论极限值-1.2mV·K-1十分接近;3)p-GaN主段层的掺Mg浓度对低温区间(<200K)的正向电压随温度变化斜率有直接影响,掺Mg浓度越低则dV/dT斜率越大.以上现象归因于在不同温度区间,p-AlGaN以及p-GaN发生Mg受主冻结效应的程度主要取决于各自的掺杂浓度.因此Mg掺杂浓度纵向分布不同的样品在不同的温度区间具有不同的串联电阻,最终表现为差异很大的正向电压温度特性.

关键词：氮化镓发光二极管电压:电致发光

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大流量电磁泵开发的技术基础研究

大流量电磁泵开发的技术基础研究

作者：全知觉华北工学院

学位级别：硕士

本文研究了与人流量直流电磁泵研制设计有关的儿项关键技术，并进行了双联直流电磁泵的可行性模拟实验研究。通过对不同聚磁结构参数电磁铁I-B关系的系列实验和对实验数据的整理与分析，得出了有聚磁效应的分体式开口电磁铁磁隙磁感应... 详细信息

本文研究了与人流量直流电磁泵研制设计有关的儿项关键技术，并进行了双联直流电磁泵的可行性模拟实验研究。通过对不同聚磁结构参数电磁铁I-B关系的系列实验和对实验数据的整理与分析，得出了有聚磁效应的分体式开口电磁铁磁隙磁感应强度计算的经验公式。应用流体力学相关理论，结合电磁泵结构，建立了适合于电磁泵流量计算的简易方法。利用水银为工作介质的双联电磁泵，通过对双联电磁铁不同接法的实验研究，找到最佳激磁线圈接线方法;通过对不同流槽结构的静压头与工作参数关系实验，研究得出一种高效率的新型流槽结构——十字型流槽结构;通过对单泵、双泵的泵高和流量实验，得山了在同等工作条件下，双泵流量大约为单泵的1.6倍的结论，从而证明了采用双联泵的方法来提高直流电磁泵的方法是切实可行的。以上研究结果为大流量直流电磁泵的结构设计提供了有益的参考。

关键词：双联电磁泵聚磁结构流槽结构电磁铁

Carrier transport via V-shaped pits in InGaN/GaN MQW solar cells

同方学位论文库评论

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Chinese Physics B 2017年第3期26卷 558-563页

作者：刘诗涛全知觉王立 School of Materials Science and Engineering Nanchang University Nanchang 330031 China National Engineering Technology Research Center for LED on Si Substrate Nanchang University Nanchang 330047 China

Carrier transport via the V-shaped pits （V-pits） in InGaN/GaN multiple-quantum-well （MQW） solar cells is numer- ically investigated. By simulations, it is found that the V-pits can act as effective escape paths for the photo-generated carriers. Due to the thin barrier thickness and low indium composition of the MQW on V-pit sidewall, the carriers entered the sidewall QWs can easily escape and contribute to the photocurrent. This forms a parallel escape route for the carries generated in the fiat quantum wells. As the barrier thickness of the fiat MQW increases, more carriers would transport via the V-pits. Furthermore, it is found that the V-pits may reduce the recombination losses of carriers due to their screening effect to the dislocations. These discoveries are not only helpful for understanding the carrier transport mechanism in the InGaN/GaN MQW, but also important in design of the structure of solar cells.

关键词： V-shaped pits InGaN/GaN multiple-quantum-well solar cells carrier transport

HgCdTe探测列阵干法技术的刻蚀形貌研究

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红外与毫米波学报 2006年第5期25卷 325-328页

作者：叶振华胡晓宁全知觉丁瑞军何力中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

首次报道了HgCdTe微台面焦平面探测列阵成形工艺的干法刻蚀技术有关刻蚀形貌的一些研究结果.从HgCdTe外延材料的特点出发,详细分析了其干法刻蚀适用的RIE(reactive ion etching)设备和刻蚀原理.采用高等离子体密度、低腔体工作压力、高... 详细信息

首次报道了HgCdTe微台面焦平面探测列阵成形工艺的干法刻蚀技术有关刻蚀形貌的一些研究结果.从HgCdTe外延材料的特点出发,详细分析了其干法刻蚀适用的RIE(reactive ion etching)设备和刻蚀原理.采用高等离子体密度、低腔体工作压力、高均匀性和低刻蚀能量的ICP(inductively coupled plasma)增强型RIE技术,研究了不同的工艺气体配比、腔体工作压力、ICP源功率和RF源功率对HgCdTe材料刻蚀形貌的影响,并初步得到了一种稳定的、刻蚀表面清洁、光滑、图形轮廓良好、均匀性较好和刻蚀速率较高的干法刻蚀工艺.

关键词： HgCdTe 微台面列阵干法刻蚀反应离子刻蚀刻蚀形貌

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碲镉汞异质结能带结构的优化设计

物理学报 2006年第7期55卷 3611-3616页

作者：全知觉孙立忠叶振华李志锋陆卫中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

分别对带隙较宽(较窄)的p型材料在带隙较窄(较宽)的n型材料之上的碲镉汞(MCT)异质结的能带结构进行了理论分析.在应用的理论模型中提出了一个简单的载流子浓度近似模型用于计入载流子简并效应和导带非抛物线性,同时还考虑到了价带失配... 详细信息

分别对带隙较宽(较窄)的p型材料在带隙较窄(较宽)的n型材料之上的碲镉汞(MCT)异质结的能带结构进行了理论分析.在应用的理论模型中提出了一个简单的载流子浓度近似模型用于计入载流子简并效应和导带非抛物线性,同时还考虑到了价带失配的影响.就p-n结位置(zB)和界面电荷密度(Q)两个参数对MCT异质结能带结构的影响进行了系统分析,发现这些影响是不可忽略的.根据这些影响特征,进一步得出了zB和Q参数之间的优化设计规律.

关键词：碲镉汞(MCT) 异质结载流子浓度近似

吸收层特性和异质结界面电荷对12.5μm长波HgCdTe光伏探测器响应率的影响研究

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物理学报 2009年第11期58卷 7891-7896页

作者：胡伟达殷菲叶振华全知觉胡晓宁李志锋陈效双陆卫中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

研究了12.5μm长波HgCdTe探测器的吸收层厚度和异质结界面电荷对器件光响应率的影响.分析了吸收层厚度与吸收长度、扩散长度之间的联系,获得了设计最佳吸收层厚度的经验公式.研究结果显示入射光波长超过截止波长时,响应率随吸收层厚度... 详细信息

研究了12.5μm长波HgCdTe探测器的吸收层厚度和异质结界面电荷对器件光响应率的影响.分析了吸收层厚度与吸收长度、扩散长度之间的联系,获得了设计最佳吸收层厚度的经验公式.研究结果显示入射光波长超过截止波长时,响应率随吸收层厚度增加单调增加,并逐渐饱和.响应率峰值对应的波长随吸收层厚度增加,有向长波偏移的趋势.最佳吸收层厚度值随少子寿命或入射光波长的增大而增大.同时,研究了衬底、钝化层与HgCdTe材料之间异质界面电荷对光响应率的影响,发现正的界面电荷在衬底异质结界面处形成诱导pn结,对响应率影响显著.采用金属-氧化物-半导体二极管模型,分析了其中的内在物理机理,并获得了降低其影响的优化方案.

关键词：长波HgCdTe器件光伏型红外探测器光响应率少子寿命

降低平面结型碲镉汞焦平面阵列光串音的结构优化研究

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红外与毫米波学报 2006年第5期25卷 329-332,337页

作者：全知觉叶振华胡伟达李志锋陆卫中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

研究了一种能够降低平面结型碲镉汞(HgCdTe,MCT)焦平面阵列光串音的新型结构.该结构通过对平面结型MCT焦平面阵列的衬底几何形状的优化设计,来达到增大光响应率、减少光串音的目的,以期提高器件的性能.提出了结构优化的快速近似设计方法... 详细信息

研究了一种能够降低平面结型碲镉汞(HgCdTe,MCT)焦平面阵列光串音的新型结构.该结构通过对平面结型MCT焦平面阵列的衬底几何形状的优化设计,来达到增大光响应率、减少光串音的目的,以期提高器件的性能.提出了结构优化的快速近似设计方法,并利用商用器件模拟软件对Hg0.78Cd0.22Te器件进行了二维模拟.计算结果显示:当少子寿命为10 ns时,经过优化设计后的器件,光响应率增加了9.6%,光串音从未优化前的5.23%减小到1.05%.

关键词：碲镉汞(MCT) 焦平面阵列光串音器件模拟

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激光束诱导电流谱技术表征红外器件几何结构

红外技术 2006年第1期28卷 12-15页

作者：陈贵宾全知觉陆卫淮阴师范学院物理系低维材料化学省重点建设实验室江苏淮阴223001 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

硼离子注入p型HgcdTe薄膜材料制备的光伏型红外探测器光敏元实际面积对器件结构的优化设计、器件性能研究具有重要意义．通过高分辨率、非直接接触的激光束诱导电流谱表征手段获取 HgCdTe光伏型器件单元的几何结构信息,结果表明离子注... 详细信息

硼离子注入p型HgcdTe薄膜材料制备的光伏型红外探测器光敏元实际面积对器件结构的优化设计、器件性能研究具有重要意义．通过高分辨率、非直接接触的激光束诱导电流谱表征手段获取 HgCdTe光伏型器件单元的几何结构信息,结果表明离子注入形成的n型区域的面积明显大于离子实际注入的区域面积。

关键词：激光束诱导电流谱探测器单元