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半导体柔性制造工厂
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半导体技术 1995年 第6期11卷 3-9页
作者： 党冀萍 电子工业部第十三研究所
半导体柔性制造工厂电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）党冀萍１半导体柔性制造随着微电子技术、计算机技术等高科技的飞速发展和军事武器装备更新换代周期的缩短，半导体产品制造面临着短周期、低成本、高质量的挑战。再加... 详细信息
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半导体分立元器件集成电路装调职业技能鉴定指南  1
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丛书名： 信息产业部电子行业特有工种职业技能鉴定指导丛书
2004年
作者： 党冀萍
本书以《半导体分立元器件集成电路装调工国家职业标准》为依据，在技术难度上严格限定在此“标准”的范围之内，并按照中级工、高级工、技师和高级技师四个等级的知识要求和技能要求编写了专业知识解答、专业知识练习和职业技能鉴定用... 详细信息
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n型GaAs上的欧姆接触
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半导体技术 1994年 第1期10卷 26-34页
作者： 党冀萍 电子工业部第十三研究所
本文介绍了欧姆接触的原理及测试方法，着重概述了近几年来在ｎ型ＧａＡｓ上制备欧姆接触所做的研究工作，介绍了改善欧姆接触特性的途径和方法。
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微波功率器件及其电路
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半导体技术 1994年 第4期10卷 17-20,48页
作者： 党冀萍 石家庄电子工业部第13研究所
简要地介绍了国内外微波功率器件及其电路的发展现状，分析了在微波功率方面与国外的差距，并指出了造成目前差距的原因所在，对以后我国在微波功率方面的发展提出了建议。
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高电子迁移率晶体管的进展
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半导体杂志 1993年 第2期18卷 30-38页
作者： 党冀萍
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高温半导体器件的研究现状
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半导体情报 1994年 第2期31卷 46-56页
作者： 党冀萍
金刚石和碳化硅的热特性及电特性决定了它们在电子器件半导体材料中具有最高的材料优质系数，特别适用于在高温环境中应用。本文重点或介绍了金刚石、ＳｉＣ的材料特性、薄膜生长技术和最近器件的研究结果，同时给出了目前存在的问题及... 详细信息
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改善GaAs MESFET性能的新途径
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半导体情报 1996年 第1期33卷 19-24页
作者： 党冀萍 石家庄电子部第13研究所
尽管ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ研制工艺已经成熟，但随着电子系统性能不断提高，对器件的要求也越来越高。本文介绍了用于改善ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ特性的几种新途径。
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6H－SiC反型沟道和掩埋沟道MOS器件的特性
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半导体情报 1996年 第1期33卷 58-64页
作者： 党冀萍
介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电容很难测量表面态，故利用栅控二极管在室温条件下... 详细信息
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迅速发展的SiC半导体技术
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半导体情报 1995年 第5期32卷 1-6页
作者： 党冀萍 石家庄电子部第13研究所
ＳｉＣ半导体技术在近几年得到了迅速发展。与其它半导体材料相比，ＳｉＣ独特的热特性和电特性，在功率和频率性能方面具有最高的品质因数。ＳｉＣ还适应于高温和辐射环境。从结构上看，ＳｉＣ具有多种同质异型体。本文概括介绍了Ｓｉ... 详细信息
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纳米卫星发展现状及纳米卫星中的微电子技术
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半导体情报 1999年 第3期36卷 10-17页
作者： 党冀萍 钱静 河北半导体研究所
介绍了用于地球观测、空间科学和技术演示的下一代超小型纳米卫星以及微电子技术和ＭＥＭＳ技术在纳米卫星中的应用。
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