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高温半导体器件的研究现状

Recent Development of High Temperature Semiconductor Device

作     者:党冀萍 

出 版 物:《半导体情报》 (Semiconductor Information)

年 卷 期:1994年第31卷第2期

页      面:46-56页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:高温半导体 金刚石 碳化硅 

摘      要:金刚石和碳化硅的热特性及电特性决定了它们在电子器件半导体材料中具有最高的材料优质系数,特别适用于在高温环境中应用。本文重点或介绍了金刚石、SiC的材料特性、薄膜生长技术和最近器件的研究结果,同时给出了目前存在的问题及解决这些问题的方法。

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