检索结果-南通市图书馆

Electrical properties of MOCVD-grown GaN on Si (111) substrates with low-temperature AlN interlayers

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Chinese Physics B 2013年第8期22卷 690-693页

作者：倪毅强贺致远钟健姚尧杨帆向鹏张佰君刘扬 School of Physics and Engineering State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies Sun Yat-Sen University

The electrical properties of the structure of GaN grown on an Si （111） substrate with low-temperature （LT） A1N interlayers by metal-organic chemical-vapour deposition are investigated. An abnormal P-type conduction is observed in our GaN-on-Si structure by Hall effect measurement, which is mainly due to the A1 atom diffusing into the Si substrate and acting as an acceptor dopant. Meanwhile, a constant n-type conduction channel is observed in LT-A1N, which causes a conduction-type conversion at low temperature （50 K） and may further influence the electrical behavior of this structure.

关键词： metal-organic chemical-vapour deposition GaN-on-Si electrical behavior low-temperature A1Ninterlayers

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集成电路失效定位技术现状和发展趋势

半导体技术 2020年第5期45卷 329-337,370页

作者：陈选龙王有亮方建明林晓玲倪毅强工业和信息化部电子第五研究所广州510610 中国赛宝实验室可靠性研究分析中心广州510610 广东机电职业技术学院电子与通信学院广州510550

集成电路(IC)失效分析包含了不同的分析流程,但所有的步骤都是以失效定位和故障隔离作为第一步工作。失效定位指的是不断地缩小半导体器件故障范围直至可以进行破坏性物理分析的过程。根据IC的结构特点和分析思路,将整个失效分析流程中... 详细信息

集成电路(IC)失效分析包含了不同的分析流程,但所有的步骤都是以失效定位和故障隔离作为第一步工作。失效定位指的是不断地缩小半导体器件故障范围直至可以进行破坏性物理分析的过程。根据IC的结构特点和分析思路,将整个失效分析流程中失效定位分为封装级失效定位、器件级失效定位和物理分析失效定位。通过定位技术结合案例分析的形式,重点介绍了时域反射、X射线断层扫描、扫描声学分析、锁相红外成像、光发射分析、激光激发技术和电压衬度等关键的失效定位技术原理和方法。总结了不同失效定位技术的适用范围和面临的挑战。同时,也对未来失效分析技术发展趋势进行了展望。

关键词：集成电路(IC)失效定位物理失效分析电压衬度光发射显微镜热激光激发

Si and Mg pair-doped interlayers for improving performance of AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors grown on Si substrate

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Chinese Physics B 2015年第5期24卷 529-534页

作者：倪毅强贺致远姚尧杨帆周德秋周桂林沈震钟健郑越张佰君刘扬 School of Physics and Engineering State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and TechnologiesSun Yat-Sen University

We report a novel structure of A1GaN/GaN heterostructure field effect transistors （HFETs） with a Si and Mg pair- doped interlayer grown on Si substrate. By optimizing the doping concentrations of the pair-doped interlayers, the mobility of 2DEG increases by twice for the conventional structure under 5 K due to the improved crystalline quality of the conduction channel. The proposed HFET shows a four orders lower off-state leakage current, resulting in a much higher on/off ratio （ - 10^9）. Further temperature-dependent performance of Schottky diodes revealed that the inhibition of shallow surface traps in proposed HFETs should be the main reason for the suppression of leakage current.

关键词： heterostructure field effect transistor (HFET) GaN on Si interlayers high on/off ratio

表面态对AlGaN／GaN异质结构2DEG影响的模拟分析

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中国科技论文 2014年第10期9卷 1206-1208页

作者：杨帆林哲雄张炜张金城王硕贺致远倪毅强刘扬中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室广州510275

利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子来源;AlGaN能带分布... 详细信息

利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子来源;AlGaN能带分布及2DEG密度随AlGaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变而改变。

关键词：半导体物理学施主表面态 AlGaN厚度表面态电离模拟

Influence of dry-etching damage on the electrical properties of an AlGaN/GaN Schottky barrier diode with recessed anode

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Chinese Physics B 2015年第9期24卷 479-483页

作者：钟健姚尧郑越杨帆倪毅强贺致远沈震周桂林周德秋吴志盛张伯君刘扬 School of Physics and Engineering Institute of Power Electronics and Control TechnologySun Yat-Sen University State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies Sun Yat-Sen University

The influences of dry-etching damage on the electrical properties of an AlGaN/GaN Schottky barrier diode with ICPrecessed anode was investigated for the first time. It was found that the turn-on voltage is decreased with the increase of dry-etching power. Furthermore, the leakage currents in the reverse bias region above pinch-off voltage rise as radio frequency（RF） power increases, while below pinch-off voltage, leakage currents tend to be independent of RF *** on detailed current–voltage–temperature（I–V –T） measurements, the barrier height of thermionic-field emission（TFE） from GaN is lowered as RF power increases, which results in early conduction. The increase of leakage current can be explained by Frenkel–Poole（FP） emission that higher dry-etching damage in the sidewall leads to the higher tunneling current, while below pinch-off voltage, the leakage is only related to the AlGaN surface, which is independent of RF power.

关键词： AlGaN/GaN Schottky barrier diodes recessed anode etching damage tunneling

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电子元器件失效分析的过去、现在和未来

电子产品可靠性与环境试验 2021年第S02期39卷 8-15页

作者：罗道军倪毅强何亮郭小童杨施政工业和信息化部电子第五研究所元器件检测中心广东广州511370 工业和信息化部电子第五研究所广东广州511370

电子元器件是现代信息社会的基石,其质量和可靠性决定了电子设备和系统的可靠性和安全水平。电子元器件失效分析主要是为了发现并确定电子元器件的失效机理和原因,并反馈给研制和使用方作为改进的依据,以防止类似的失效复现,从而达到提... 详细信息

电子元器件是现代信息社会的基石,其质量和可靠性决定了电子设备和系统的可靠性和安全水平。电子元器件失效分析主要是为了发现并确定电子元器件的失效机理和原因,并反馈给研制和使用方作为改进的依据,以防止类似的失效复现,从而达到提高产品品质和可靠性的目的,因而失效分析在提升电子元器件的质量和可靠性方面起着至关重要的作用。首先,简要地介绍了电子元器件失效分析的发展历程、目前的发展现状;然后,分析和讨论了目前国内失效分析发展遇到的挑战和问题,包括高端芯片失效分析服务供给严重不足和失效分析人才匮乏等;最后,对将来电子元器件失效分析的发展规律和发展方向,特别是在高端芯片领域、关键技术突破和人才培养等方面进行了展望和分析,期望为电子元器件失效分析的发展提供参考借鉴。

关键词：电子元器件可靠性失效分析高端芯片失效分析技术

六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究

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电源学报 2019年第3期17卷 26-37页

作者：何亮张晓荣倪毅强罗睿宏李柳暗陈建国张佰君刘扬中山大学电子与信息工程学院广州510275 江苏华功半导体有限公司苏州215215 深圳方正微电子有限公司深圳518116 中国电源学会

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了兼容Si基CMOS工艺流程,以及考虑到大尺寸、低成本等优势,在Si... 详细信息

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了兼容Si基CMOS工艺流程,以及考虑到大尺寸、低成本等优势,在Si衬底上进行GaN材料的异质外延及器件制备已经成为业界主要技术路线。详细介绍了在6英寸Si衬底上外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构功率电子材料,以及基于6英寸CMOS产线制造Si基GaN功率MIS-HEMT和常关型Cascode GaN器件的相关成果。

关键词： 6英寸Si衬底 AlGaN/GaN功率电子材料 CMOS工艺 GaNMIS-HEMT器件常关型

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焊锡膏成分的定性定量综合分析技术

电子工艺技术 2021年第6期42卷 328-330,337页

作者：张莹洁陈斌丁勇王玉刘子莲倪毅强工业和信息化部电子第五研究所广东广州511370 中联重科股份有限公司湖南常德415000 中兴通讯股份有限公司广东深圳518057

焊锡膏的材料一致性关乎产品的批次稳定性,有必要开展对焊锡膏成分的定性定量分析研究工作。采用熔融冷却、溶剂溶解和离心分离等手段对焊锡膏进行预处理,得到金属、溶液和悬浮物三部分。再通过电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、... 详细信息

焊锡膏的材料一致性关乎产品的批次稳定性,有必要开展对焊锡膏成分的定性定量分析研究工作。采用熔融冷却、溶剂溶解和离心分离等手段对焊锡膏进行预处理,得到金属、溶液和悬浮物三部分。再通过电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、气相色谱-质谱联用仪(GC-MS)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)对这三部分的成分进行定性定量分析。结果表明:焊锡膏中各成分和含量(以质量百分数计)分别是锡(85.5443)、银(2.5502)、铜(0.4498)、三丙二醇单丁醚(5.7625)、2-乙基咪唑(0.3494)、正葵酸(0.1460)、己二酸(0.4915)、苯并三氮唑(0.1706)、5-甲基苯并三氮唑(0.1017)、2.4-二叔丁基苯酚(0.0065)、白油(0.6899)、酰胺类低聚物(0.1081)和松香(3.6295)。提出了针对焊锡膏产品的成分定性定量分析研究方法,具有一定的借鉴和指导意义。

关键词：焊锡膏定性分析定量分析成分

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车规电子元器件可靠性考核评价现状及展望

电子产品可靠性与环境试验 2024年第2期42卷 113-116页

作者：周圣泽任艳倪毅强谢燊坤李银乐工业和信息化部电子第五研究所广东广州511370

汽车产业是我国战略性支柱产业之一,近年来已成为拉动我国工业增长的重要动力。我国汽车芯片市场被欧美日垄断,自给率低,存在“根基不稳”的现象。2020年,我国自主车规芯片市场规模约为122亿元,约占全球的4%,而我国汽车产业规模占全球... 详细信息

汽车产业是我国战略性支柱产业之一,近年来已成为拉动我国工业增长的重要动力。我国汽车芯片市场被欧美日垄断,自给率低,存在“根基不稳”的现象。2020年,我国自主车规芯片市场规模约为122亿元,约占全球的4%,而我国汽车产业规模占全球市场达30%以上,车用芯片进口率高达90%以上。我国汽车芯片行业发展起步晚,认证体系不健全,检测标准缺失,检测评价尺度不统一,阻碍了自主汽车芯片产业快速发展和汽车供应链的有序构建。基于汽车电子元器件的主要概念和内涵,分析了产业链考核评价的主要现状和问题,针对产业发展的几个方面进行了探讨。

关键词：汽车电子可靠性考核评价