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有机电致发光器件的热传导特性研究

西安交通大学学报 2009年第4期43卷 70-74页

作者：薛媛王小力吴朝新候洵西安交通大学理学院西安710049 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室西安710049

采用简化热阻模型和一维稳态有内热源的热传导方程,对有机电致发光(OLED)器件的热传导特性进行了研究.为了改善OLED器件的性能,设计并实现了一种新型结构的OLED器件.在给定OLED器件的结构、输入功率、对流换热和热物性参数等因素情况下... 详细信息

采用简化热阻模型和一维稳态有内热源的热传导方程,对有机电致发光(OLED)器件的热传导特性进行了研究.为了改善OLED器件的性能,设计并实现了一种新型结构的OLED器件.在给定OLED器件的结构、输入功率、对流换热和热物性参数等因素情况下,推导得出OLED器件运行时温度升高与输入功率,基片及各功能层薄膜的热导系数、厚度、面积等之间的关系式,建立了OLED器件内部的温度分布关系.研究结果表明,器件内的有机层和基底的传热性能是影响器件温度分布的重要因素,在功率密度为1.167×104W/m2、外界温度为300 K时,OLED器件在发光层AlQ3中可获得最高温度,其温度值比环境温度高29 K.在研发OLED器件过程中,要提高OLED器件的热稳定性,改善焦耳热效应对OLED器件性能的影响,则需要选用热物性较好的OLED有机材料,使有机层与导热性能良好的电极保持良好接触.通过实验研究,验证了理论分析的正确性.在相同的输入功率情况下,对自制备的若干Al阴极厚度不同的OLED器件进行了比较分析,验证了理论模型的有效性.研究结果对于OLED研发具有重要的价值.

关键词：有机电致发光器件热传导热阻模型温度分布

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激光分子束外延工艺用ZnO陶瓷靶材的研究

硅酸盐学报 2005年第3期33卷 299-303页

作者：贺永宁朱长纯候洵杨晓东西安交通大学电信学院电子系西安710049

由改进的电子陶瓷工艺制备了ZnO(99.99%)高纯陶瓷靶材。用激光分子束外延(lasermolecularbeamepitaxy,L MBE))工艺,采用这种靶材在蓝宝石基片上较低温度下生长了高结晶质量的ZnO半导体光电子薄膜。研究了ZnO高纯陶瓷靶材的烧结机理、... 详细信息

由改进的电子陶瓷工艺制备了ZnO(99.99%)高纯陶瓷靶材。用激光分子束外延(lasermolecularbeamepitaxy,L MBE))工艺,采用这种靶材在蓝宝石基片上较低温度下生长了高结晶质量的ZnO半导体光电子薄膜。研究了ZnO高纯陶瓷靶材的烧结机理、微观结构及形貌, 认为靶材的后期烧结速率主要决定于氧空位扩散机制。根据辐照后靶材的电镜分析结果,对L MBE工艺中靶材表面与脉冲激光相互作用过程中等离子体羽辉的形成过程及其动力学特征进行了研究,认为该等离子体羽辉是激光支持的燃烧波,其波前传播速度为亚声速并且沿靶材法线方向,粒子的动力学特征使得L MBE工艺适于ZnO薄膜的二维平面生长。

关键词：氧化锌陶瓷激光分子束外延脉冲激光辐照效应外延薄膜制备激光脉冲沉积技术生长方法

高组份Al值的Al_xGa_(1-x) As和Al_xGa_(1-x) As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层结构的MOCVD生长

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高速摄影与光子学 1991年第2期20卷 151-158页

作者：高鸿楷云峰张济康龚平候洵西安光机所 710068

用自制常压MOCVD系统,在半绝缘GaAs衬底上生长高Al组份Al_xGa_(1-x)As(其x值达0.83),和Al_xGa_(1-x)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层结构,表面镜面光亮。生长层厚度从几十到十几μm可控,测试表明外延层晶格结构完整,x值调节范围宽,非... 详细信息

用自制常压MOCVD系统,在半绝缘GaAs衬底上生长高Al组份Al_xGa_(1-x)As(其x值达0.83),和Al_xGa_(1-x)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层结构,表面镜面光亮。生长层厚度从几十到十几μm可控,测试表明外延层晶格结构完整,x值调节范围宽,非有意掺杂低,高纯GaAs外延层载流子浓度n_(300K)=1.7×10^(15)cm^(-3),n_(77K)=1.4×10^(15)cm^(-3),迁移率μ_(300K)=5900cmcm^2/V.S,μ_(77K)=55500cm^2/V.S。用电子探针,俄歇能谱仪测不出非有意掺杂的杂质,各层间界面清晰平直。对GaAs,AlGaAs生长层表面缺陷,衬底偏角生长温度及其它生长条件也进行了初步探讨。

关键词： MOCVD系统多层结构 GaAs AlGaAs

匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析

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Journal of Semiconductors 1997年第6期18卷 401-407页

作者：王晓亮孙殿照孔梅影候洵曾一平中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院西安光学精密机械研究所西安710069

在国产CBE设备上，用GSMBE方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽（1～18nm）的高质量的In0.53Ga0.47As／InP匹配量子阱结构材料，低温光致发光谱测试结果表明：量子阱材料发光谱峰强且锐，每个阱的激子跃迁峰清晰可辨．当阱宽大于... 详细信息

在国产CBE设备上，用GSMBE方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽（1～18nm）的高质量的In0.53Ga0.47As／InP匹配量子阱结构材料，低温光致发光谱测试结果表明：量子阱材料发光谱峰强且锐，每个阱的激子跃迁峰清晰可辨．当阱宽大于6nm时，阱中激子跃迁能量的实验值与理论计算值符合得很好；当阱宽小于6nm时，实验值小于理论值；对阱宽相同的窄阱而言，我们样品的实验值高于Tsang的实验值，当阱宽小于4nm时，阱中激子跃迁谱峰的半高宽小于当量子阱界面起伏一个分子单层时所引起的展宽值，表明量子阱的界面具有原子级的平整度；与1nm阱相应的低温光致发光峰的半高宽为21．6meV；7nm阱对应的PL谱峰的半高宽为5．9meV．

关键词：匹配量子阱材料 GSMBE生长光电子器件

基于探针光调制的皮秒分辨X-ray探测方法与实验

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物理学报 2015年第20期64卷 140-146页

作者：王博白永林曹伟伟徐鹏刘百玉缑永胜朱炳利候洵中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室西安710119 中国科学院大学北京100049 中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室西安710119

高能密度物理研究中涉及许多单次皮秒现象的诊断测量,然而对单次X-ray脉冲形状、X-ray与激光脉冲的皮秒精度同步依然是极具挑战的课题.传统行波选通分幅相机受电子渡越时间限制,难以突破40 ps时间分辨极限.本文围绕半导体中光学探针光... 详细信息

高能密度物理研究中涉及许多单次皮秒现象的诊断测量,然而对单次X-ray脉冲形状、X-ray与激光脉冲的皮秒精度同步依然是极具挑战的课题.传统行波选通分幅相机受电子渡越时间限制,难以突破40 ps时间分辨极限.本文围绕半导体中光学探针光的全光调制效应,提出一种以低温GaAs材料为基础,实现皮秒时间分辨X-ray探测的新方法,详细阐述了该探测器的工作机理、器件参数设计和时间分辨能力.通过飞秒激光打靶实验,验证了其概念设计的正确性.结果表明该探测器具有约1.5 ps时间响应和10 ps时间分辨能力,通过材料优化可将时间分辨提升至1 ps以内.

关键词：全光调制时间分辨 X-ray探测

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铯分子源的质谱分析

红外技术 1991年第4期13卷 31-34页

作者：杨滨张济康候洵中国科学院西安光学精密机械研究所

本文用质谱分析的方法,对广泛应用于象增强器制作的铯分子源的去气过程进行了质谱分析,给出了铯分子源的最佳去气电流与时间。这组数据将有助于正确控制去气过程。

关键词：铯源真空系统质谱分析

1.25μm InGaAsP光电阴极的研究

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量子电子学报 1991年第1期 112-113页

作者：李晋闽郭里辉张工力王存让候洵中国科学院西安光机所中国科学院西安光机所 710068

使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电阴极的光电成像器件在光纤通讯、医学、夜视以及其它科研领域有着广泛的用途。其核心部件是二元、三元或四元化合物半导体材料光电阴极。国外在对阈波长为0.9μm的GaAs负电

关键词：光电阴极波长 m InGaAsP

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红外InGaAsP光电阴极研究

高速摄影与光子学 1991年第3期20卷 262-269页

作者：李晋闽郭里辉王力鸣王存让张工力候洵中国科学院西安光学精密机械研究所 710068

本文主要对阈值波长可达1.25μm的InGaAsP光电阴极进行了详细的研究。在国内首次实现了在0.5μm～1.25μm波段范围内具有光电响应的半导体光电阴极。用Cs和O_2激活后得到的光电阴极在1.06μm处的反射式光电灵敏度为3.4mA/W,量子效率为0.... 详细信息

本文主要对阈值波长可达1.25μm的InGaAsP光电阴极进行了详细的研究。在国内首次实现了在0.5μm～1.25μm波段范围内具有光电响应的半导体光电阴极。用Cs和O_2激活后得到的光电阴极在1.06μm处的反射式光电灵敏度为3.4mA/W,量子效率为0.4％。本文还对激活表面及热清洁工艺进行了系统地分析,确定出了最佳的表面清洁温度及时间。

关键词：光电阴极半导体激活发光效率

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基于BR的非线性特性光子开关的研究

光子学报 2000年第12期29卷 1064-1067页

作者：田燕宁陈烽冯晓强候洵西北大学光子学与光子技术研究所西安710069 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室西安710068

本文介绍了实现光子开关的材料 BR分子的重要特性 ,从理论上分析了 BR分子材料光学特性 .从实验上观测了 BR分子材料在 40 0 nm和 632 nm光照射下的相互抑制作用 ,并分析了

关键词： BR膜光子开关相互抑制光异构化光循环非线性吸收特性