激光分子束外延工艺用ZnO陶瓷靶材的研究

作     者：贺永宁 朱长纯 候洵 杨晓东 HE Yongning;ZHU Changchun;HOU Xun;YANG Xiaodong

作者机构：西安交通大学电信学院电子系西安710049 

出 版 物：《硅酸盐学报》 (Journal of The Chinese Ceramic Society)

年 卷 期：2005年第33卷第3期

页      面：299-303页

核心收录：

学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：教育部"十五"211项目 现代信息光子学的基础理论 关键技术和器件的研究项目 国家自然科学基金(60476037)资助项目 

主　　题：氧化锌陶瓷 激光分子束外延 脉冲激光辐照效应 外延薄膜制备 激光脉冲沉积技术 生长方法 

摘      要：由改进的电子陶瓷工艺制备了ZnO(99.99%)高纯陶瓷靶材。用激光分子束外延(lasermolecularbeamepitaxy,L MBE))工艺,采用 这种靶材在蓝宝石基片上较低温度下生长了高结晶质量的ZnO半导体光电子薄膜。研究了ZnO高纯陶瓷靶材的烧结机理、微观结构及形貌, 认为靶材的后期烧结速率主要决定于氧空位扩散机制。根据辐照后靶材的电镜分析结果,对L MBE工艺中靶材表面与脉冲激光相互作用过 程中等离子体羽辉的形成过程及其动力学特征进行了研究,认为该等离子体羽辉是激光支持的燃烧波,其波前传播速度为亚声速并且沿靶材 法线方向,粒子的动力学特征使得L MBE工艺适于ZnO薄膜的二维平面生长。