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雌二醇分子印迹聚合物的合成表征及其在食品检测中的应用

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雌二醇分子印迹聚合物的合成表征及其在食品检测中的应用

作者：侯彦飞吉林农业大学

学位级别：硕士

动物性食品中可能残留的雌激素对人体健康具有潜在的影响。雌激素类物质残留可以破坏荷尔蒙的平衡,导致妇女更年期障碍,降低生育率,女童性早熟,男子女性化,并具有强烈的致癌,致畸作用。奶粉中的雌激素残留量属于痕量水平,因此本文针对... 详细信息

动物性食品中可能残留的雌激素对人体健康具有潜在的影响。雌激素类物质残留可以破坏荷尔蒙的平衡,导致妇女更年期障碍,降低生育率,女童性早熟,男子女性化,并具有强烈的致癌,致畸作用。奶粉中的雌激素残留量属于痕量水平,因此本文针对雌激素——雌二醇残留的检测,建立了分子印迹固相萃取与高效液相色谱联用的方法和分子印迹固相萃取与分光光度法联用的方法,比传统检测方法提高了灵敏度,为检测奶粉中痕量的雌二醇提供了有效方法。 1.本文以雌二醇为模板分子,3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)为功能单体,四乙氧基硅烷(TEOS)为交联剂,利用表面分子印迹技术与溶胶-凝胶技术相结合的方法合成了对雌二醇具有选择识别能力的分子印迹聚合物。试验结果表明：聚合反应条件的不同可影响其合成的印迹聚合物的吸附性和识别性。以乙腈为溶剂,模板、功能单体和交联剂的物质的量比为1：8：8时,反应温度为60℃时制备的印迹聚合物具有最佳的选择性、吸附性。通过吸附试验结果表明,雌二醇印迹聚合物的饱和吸附容量Qmax为30.437mg/g,而非印迹聚合物的饱和吸附容量为10.383mg/g。将所合成的分子印迹聚合物(MIP)做为吸附材料,建立了分子印迹固相萃取与高效液相色谱(HPLC)联用的方法,在三个不同添加浓度(2mg/L、4mg/L和6mg/L)下奶粉样品中雌二醇的回收率为92.1%-98.4%,本试验为检测动物性食品中残留的痕量雌二醇提供了新型的吸附材料并且所建立的检测方法简单、准确,能满足痕量兽药残留要求。 2.本文以罗丹明标记的荧光雌二醇为模板分子,3-氨基丙基三乙氧基硅烷为功能单体,四乙氧基硅烷为交联剂,表面分子印迹技术与溶胶-凝胶技术相结合的方法合成了雌二醇荧光分子印迹复合微球。通过吸附试验结果表明,雌二醇荧光分子印迹复合微球的饱和吸附容量Qmax为28.052mg/g,而非印迹聚合物的饱和吸附容量为10.383mg/g。将其所合成的雌二醇荧光分子印迹复合微球作为吸附材料,建立了分子印迹固相萃取与分光光度法联用的方法。在三个不同添加浓度(2mg/L、4mg/L和6mg/L)下奶粉样品中雌二醇的回收率为91.8%-96.5%。满足国家标准中对痕量雌二醇残留的检测要求。采用单一雌二醇为模板合成的分子印迹聚合物的饱和吸附容量和回收率比采用四乙基罗丹明标记的雌二醇为模板合成的分子印迹复合微球的饱和吸附容量和回收率要高,但是后者检测灵敏度仍然能满足国家标准(GBT22967-2008),同时在检测上要比前者前处理简单,有机试剂用量少,省时,省力。

关键词：雌二醇分子印迹溶胶-凝胶高效液相色谱荧光光谱

D波段InP基高增益低噪声放大芯片的设计与实现（英文）

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红外与毫米波学报 2019年第2期38卷 144-148页

作者：刘军吕昕于伟华杨宋源侯彦飞北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室北京100081

利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试结果表明:最大小信号增益为11.2dB@140GHz,3dB带宽为16GHz,... 详细信息

利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试结果表明:最大小信号增益为11.2dB@140GHz,3dB带宽为16GHz,芯片面积2.6mm×1.2mm.基于器件B设计的两级放大器B在片测试结果表明:最大小信号增益为15.8dB@139GHz,3dB带宽12GHz,在130～150GHz频带范围内增益大于10dB,芯片面积1.7mm×0.8mm,带内最小噪声为4.4dB、相关增益15dB@141GHz,平均噪声系数约为5.2dB.放大器B具有高的单级增益、相对高的增益面积比以及较好的噪声系数.该放大器芯片的设计实现对于构建D波段接收前端具有借鉴意义.

关键词： InAlAs/InGaAs/InP 赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs) 90nm 单片微波集成电路(MMIC) 放大器 D波段

InAlAs/InGaAs/InP基PHEMTs小信号建模及低噪声应用（英文）

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红外与毫米波学报 2018年第6期37卷 683-687页

作者：刘军于伟华杨宋源侯彦飞崔大胜吕昕北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室北京100081

利用改进的小信号模型对采用100nmInAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模,并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器进行信号模型的验证。为了进一步改善信号模型低频S参数拟合差的精度,该小信号模型考虑了栅源和栅漏二极管... 详细信息

利用改进的小信号模型对采用100nmInAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模,并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器进行信号模型的验证。为了进一步改善信号模型低频S参数拟合差的精度,该小信号模型考虑了栅源和栅漏二极管微分电阻,在等效电路拓扑中分别用Rfs和Rfd表示.为了验证模型的可行性,基于该信号模型研制了W波段低噪声放大器单片.在片测试结果表明:最大小信号增益为14.4dB@92.5GHz,3dB带宽为25GHz@85-110GHz.而且,该放大器也表现出了良好的噪声特性,在88GHz处噪声系数为4.1dB,相关增益为13.8dB.与同频段其他芯片相比,该放大器单片具有宽3dB带宽和高的单级增益.

关键词： InAlAs/InGaAs/InP 赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs) 小信号模型毫米波和亚毫米波单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器

基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器

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红外与毫米波学报 2023年第2期42卷 197-200页

作者：王伯武于伟华侯彦飞余芹孙岩程伟周明北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室北京100081 北京理工大学重庆微电子研究院重庆400031 北京无线电测量研究所北京100039 南京电子器件研究所单片集成电路与模块实验室江苏南京210016

基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测... 详细信息

基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测试结果表明,该放大器的最大增益在115 GHz达到11.98 dB,相对带宽为134.98%,增益平坦度为±2 dB,工作频段内增益均好于10 dB,输出功率均好于1 dBm。

关键词：磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT) 单片微波集成电路(MMIC) 共源共栅放大器宽带

河南舞钢市统战工作“五项服务”促经济发展 A02

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各民主党派河南省委参政议政成效显著 A02

人民政协报

作者：侯彦飞

本报讯：河南省舞钢市近年来国内生产总值、财政收入等主要经济指标快速增长，2002年进入全国县城经济基本竞争力提升速度最快的百强县市行列。这其中，舞钢市统战工作“五项服务”对经济增长功不可没。充分发挥统一战线联系面广?

关键词：

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雌二醇分子印迹聚合物的合成及其吸附性能研究

人民政协报

作者：侯彦飞

本报讯：近年来，河南省委充分发挥各民主党派省委的积极性，鼓励和引导他们围绕全省工作大局参政议政，取得可喜成果。各民主党派不但具有人才荟萃、智力密集、联系广泛的优势，而且蕴藏着巨大的参政议政热情。河南省委、省政府注意采取?

关键词：

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中国兽药杂志 2011年第11期45卷 12-15页

作者：侯彦飞陈萍任常菲吉林农业大学食品科学与工程学院长春130118 吉林省产品质量监督检验院长春130022

采用表面分子印迹技术和溶胶-凝胶技术,以3-氨基丙基三乙氧基硅烷为功能单体,四乙氧基硅烷为交联剂,合成了以雌二醇为模板的分子印迹聚合物。研究了该聚合物的合成条件,并用平衡结合实验研究了该聚合物的识别性能。结果表明,在所研究的... 详细信息

采用表面分子印迹技术和溶胶-凝胶技术,以3-氨基丙基三乙氧基硅烷为功能单体,四乙氧基硅烷为交联剂,合成了以雌二醇为模板的分子印迹聚合物。研究了该聚合物的合成条件,并用平衡结合实验研究了该聚合物的识别性能。结果表明,在所研究的浓度范围内,雌二醇分子印迹聚合物的饱和吸附容量为6.689 mg/g,而非模板聚合物的饱和吸附容量为4.491 mg/g。二者相比,雌二醇分子印迹聚合物表现出很高的吸附容量。

关键词：雌二醇分子印迹聚合物合成

包含Kink效应的改进型GaN HEMTs模型

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北京理工大学学报 2020年第11期40卷 1253-1258页

作者：侯彦飞刘祎静李灏何伟吕元杰刘军杨宋源王伯武于伟华北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室北京100081 河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室河北石家庄050051

提出了一种GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)建模方法.该模型以ADS(advanced design system)中的符号定义器件SDD(symbolically defined device)为基础,结合宽带S-参数与脉冲直流测试数据,对GaN器件进行精确建模.本文所用晶体管为双指AlGaN... 详细信息

提出了一种GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)建模方法.该模型以ADS(advanced design system)中的符号定义器件SDD(symbolically defined device)为基础,结合宽带S-参数与脉冲直流测试数据,对GaN器件进行精确建模.本文所用晶体管为双指AlGaN/GaN HEMT器件,其栅长为90 nm,单指栅宽为40μm.数据测试采用在片测试方法,在常规S参数测试和直流测试基础上,增加了脉冲直流测试,并针对测试数据体现的Kink效应和阈值电压漂移现象进行建模.研究结果表明,该模型可以准确拟合器件0~110 GHz S参数及直流特性,谐波平衡仿真显示该模型具有良好的收敛特性,可用于GaN HEMTs器件电路仿真.

关键词： AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 大信号模型 Kink效应

CD25在急性B淋巴细胞白血病中的表达及其临床意义探讨

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中国实验血液学杂志 2014年第3期22卷 634-639页

作者：杨晨杨林花张睿娟葛晓燕王梅芳任方刚张耀方侯彦飞王云鹏山西医科大学第二临床医学院血液科山西太原030001

本研究旨在通过流式细胞术标记CD25,探讨其与急性B淋巴细胞白血病(B-ALL)的关系及其临床意义。选择88例初发B-ALL患者骨髓,应用流式细胞术检测免疫表型标记,包括白介素2受体α链(CD25)、β链(CD122)、γ链(CD132),CD19、CD20、CD10、CD3... 详细信息

本研究旨在通过流式细胞术标记CD25,探讨其与急性B淋巴细胞白血病(B-ALL)的关系及其临床意义。选择88例初发B-ALL患者骨髓,应用流式细胞术检测免疫表型标记,包括白介素2受体α链(CD25)、β链(CD122)、γ链(CD132),CD19、CD20、CD10、CD34、CDIgM、CD79a、CD22、CDTDT;用定性PCR方法检测BCR/ABL融合基因表达,实时定量PCR检测IL2RA(CD25基因)的表达。结果表明,CD25+和CD25-的B-ALL患者白细胞计数(WBC)、血红蛋白(Hb)、血小板(Plt)、骨髓原始细胞比例(marrow blast%)、外周血原始细胞比例(peripheral blast%)、肝脾和淋巴结肿大、CD10、CD20、CD22、CD34、CD79a、CDTDT、CDIgM表达水平差别均无统计学意义(P>0.05),而CD19在CD25+组中表达水平高于CD25-组(P0.05)。21例BCR/ABL+B-ALL患者中,CD25+与CD25-两组间在缓解率和复发率方面差异无统计学意义(P>0.05)。BCR/ABL+B-ALL患者中有8例复发,复发率为38.1%(8/21),BCR/ABL-组有9例复发,复发率为13.4%(9/67),两组间差异有统计学意义(P<0.05)。BCR/ABL+组无复发生存时间(relapse-free survival,RFS)为21个月,BCR/ABL+CD25+患者RFS时间为15个月,而BCR/ABL+CD25-患者RFS时间为21个月,BCR/ABLCD25-患者RFS时间为24个月。结论:CD25在BCR/ABL+B-ALL患者中呈高水平表达,可以作为B-ALL的BCR/ABL融合基因表达的预测指标,与疾病复发有关,CD25+可以作为判断B-ALL不良预后的辅助标志。

关键词： CD25 BCRABL融合基因急性B淋巴细胞白血病 IL2RA基因