检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

新型LIGA掩摸板制造工艺研究

高能物理与核物理 2001年第B12期25卷 131-134页

作者：陈迪伊福廷上海交通大学微纳米科学技术研究院上海200030 中国科学院高能物理研究所北京100039

LIGA掩模板的制备是LIGA技术中的关键工艺。利用最近发展起来的硅感应耦合等离子体（ICP）深层刻蚀工艺开发出了新型LIGA掩模板。与其它类型的LIGA掩模板相比，该掩模板具有加工工艺简单、价格低廉等优点。利用该LIGA掩模板进行了LIGA... 详细信息

LIGA掩模板的制备是LIGA技术中的关键工艺。利用最近发展起来的硅感应耦合等离子体（ICP）深层刻蚀工艺开发出了新型LIGA掩模板。与其它类型的LIGA掩模板相比，该掩模板具有加工工艺简单、价格低廉等优点。利用该LIGA掩模板进行了LIGA技术的研究，得到了比较理想的结果。

关键词：制造工艺 LIGA掩模板 ICP深刻蚀 LIGA技术微加工

50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

核技术 2004年第5期27卷 321-324页

作者：谢常青陈大鹏李兵叶甜春伊福廷彭良强韩勇张菊芳中国科学院微电子研究中心北京100010 中国科学院高能物理研究所北京100039

X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟。对于 100nm 同步辐射 X 射线光刻系统而言,它采用的波长通常为 0.7—1.0nm,而当光... 详细信息

X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟。对于 100nm 同步辐射 X 射线光刻系统而言,它采用的波长通常为 0.7—1.0nm,而当光刻分辨率达到 50nm 以下时,采用的同步辐射 X 射线波长范围应该为 0.2—0.4 nm。探讨了在北京同步辐射 3B1A 光刻束线上进行 50nm X 射线光刻的可能性。

关键词： X射线光刻同步辐射束衍生法光刻分辨率

micro-bulk工艺micromegas的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2012年第9期61卷 90-94页

作者：樊瑞睿侯凤杰欧阳群范胜男陈元柏伊福廷中国科学院高能物理研究所核探测与核电子学国家重点实验室北京100049 中国科学院研究生院北京100049

本文介绍了micromegas探测器的主要工艺一micro-bulk工艺.并使用^(55)Fe放射源对制作完成的micro-bulk工艺原理探测器进行了测试,对比了与绝缘丝工艺原理探测器能量分辨率的差别,并进一步研究了micro-bulk工艺探测器电子透过率等性能测... 详细信息

本文介绍了micromegas探测器的主要工艺一micro-bulk工艺.并使用^(55)Fe放射源对制作完成的micro-bulk工艺原理探测器进行了测试,对比了与绝缘丝工艺原理探测器能量分辨率的差别,并进一步研究了micro-bulk工艺探测器电子透过率等性能测试的结果.

关键词： micromegas micro-bulk能量分辨率

聚甲基丙烯酸甲酯材质硬X射线组合Kinoform透镜的制作

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光学精密工程 2017年第11期25卷 2817-2822页

作者：刘静伊福廷盛伟繁常广才张伟伟中国科学院高能物理研究所北京100049

为提高硬X射线聚焦元件的聚焦性能,利用LIGA(Lithographie,Galvanoformung,Abformung)技术,制备了深度为60μm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材质硬X射线组合Kinoform透镜(CKL),并获得了良好的面形。制备的CKL以宽度为几个微米的细窄线条为... 详细信息

为提高硬X射线聚焦元件的聚焦性能,利用LIGA(Lithographie,Galvanoformung,Abformung)技术,制备了深度为60μm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材质硬X射线组合Kinoform透镜(CKL),并获得了良好的面形。制备的CKL以宽度为几个微米的细窄线条为主要结构,包括曲面和直角面形,线条最窄宽度为2μm。为保证CKL良好的曲面及直角结构,样品制备分为三部分:过渡掩模板的制备,LIGA掩模板的制备,以及最终样品的硬X射线曝光制备。在LIGA掩模板制备过程中,采用制备有纳米柱阵列的硅衬底有效解决了光刻胶脱胶的问题。在最终样品制备过程中,选用分子量较高的PMMA片作衬底,提高了PMMA刚度,有效缓解了细窄线条的倒塌黏连问题,保证了CKL的良好面形。在北京同步辐射光源(BSRF)成像站测试了CKL透镜的性能,结果显示其对于8keV的X射线,聚焦焦斑的半高全宽(FWHM)为440nm。

关键词： Kinofomi镜 X射线聚焦透镜聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) IIGA技术

220GHz折叠波导UV-LIGA微加工工艺(英文)

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

强激光与粒子束 2015年第2期27卷 9-13页

作者：马天军孙建海郝保良李飞伊福廷刘濮鲲中国科学院电子学研究所北京100190 中国科学院高能物理研究所北京100049 北京大学应用电子学研究所北京100875

真空电子器件的频率正向太赫兹频段发展,折叠波导慢波结构是行波管的核心部件,由于真空器件的尺寸与波长具有共渡性,频率越高,互作用结构的尺度越小,加工误差的要求越严格。传统的加工方法很难实现如此微小尺寸的结构,UVLIGA技术对于制... 详细信息

真空电子器件的频率正向太赫兹频段发展,折叠波导慢波结构是行波管的核心部件,由于真空器件的尺寸与波长具有共渡性,频率越高,互作用结构的尺度越小,加工误差的要求越严格。传统的加工方法很难实现如此微小尺寸的结构,UVLIGA技术对于制造这种微型结构是一种很有前途的方法。用UV-LIGA方法制备真空器件的慢波结构,涉及到两个主要的问题:一是SU8厚胶匀胶过程中如何确保其厚度及其一致性;二是横向贯穿折叠波导中心的电子注通道如何成型。以220GHz折叠波导为研究对象,针对上述两个问题开展了相关的工艺试验,使用特制的PDMS模具,采用重力匀胶法,实现了大厚度SU8胶匀胶,表面平整,高度一致。在SU8光刻胶中通过专用夹具,嵌入透明有机丝,形成细长电子注通道。而后,采用脉冲电铸电源,在硫酸铜电铸液中电铸,获得了表面平整的无氧铜微结构。

关键词：微加工折叠波导 UV-LIGA 行波管

基于磁流变技术的微孔内壁抛光装置研制及性能研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

表面技术 2018年第6期47卷 252-257页

作者：周悦王雨婷伊福廷王波刘静张天冲中国科学院高能物理研究所北京100049 中国科学院大学北京100049

目的基于磁流变技术研制适用于微孔内壁抛光的装置。方法利用磁流变抛光液的性质,借鉴传统的抛光原理,设计并研制了适用于微孔内壁抛光的抛光装置,并对该装置进行了一系列的性能研究。基于该微孔内壁抛光装置对多孔镍样品及平片硅样品... 详细信息

目的基于磁流变技术研制适用于微孔内壁抛光的装置。方法利用磁流变抛光液的性质,借鉴传统的抛光原理,设计并研制了适用于微孔内壁抛光的抛光装置,并对该装置进行了一系列的性能研究。基于该微孔内壁抛光装置对多孔镍样品及平片硅样品进行了不同条件下的抛光研究,并对抛光结果进行了分析。结果此抛光装置的性能研究结果表明,该装置产生的交变磁场均匀、稳定,符合模拟预期,可用于进一步的样品抛光研究。利用此抛光装置,虽然在多孔镍样品的抛光上没有较为明显的效果,但平片硅样品的粗糙度却由1.24 nm下降至0.56 nm,具有较大改善。在平片硅样品的抛光研究中,进一步发现随着时间的增加,其粗糙度不断下降。结论自行搭建的基于磁流变技术的微孔内壁抛光装置可对平片硅进行抛光。

关键词：磁流变技术微孔内壁抛光抛光装置磁感应强度粗糙度

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

3W1永磁多极Wiggler的辐射特性

高能物理与核物理 1998年第10期22卷 951-954页

作者：唐鄂生黄宇营吴应荣伊福廷中国科学院高能物理研究所

给出了北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）同步辐射新组装的３Ｗ１Ｗｉｇｇｌｅｒ束斑强度分布及光子束流的测量结果，并与理论计算作了比较，两者得出了一致的结果．

关键词：同步辐射 Wiggler 辐射特性对撞机束流束斑

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

X射线长组合折射透镜的理论和实验研究

光学学报 2010年第9期30卷 2696-2702页

作者：乐孜纯董文刘魏张明全必胜梁静秋朱佩平伊福廷黄万霞浙江工业大学理学院浙江杭州310023 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林长春130033 中国科学院高能物理研究所北京100080

结合矩阵光学方法与衍射理论,得到研究X射线长组合折射透镜光学性能(包括焦斑尺寸、有效光束半径和强度增益等)的理论方法。设计并采用LIGA技术实际制作了顶点曲率半径50μm的抛物面型PMMA材料长X射线组合折射透镜,在北京同步辐射装置(B... 详细信息

结合矩阵光学方法与衍射理论,得到研究X射线长组合折射透镜光学性能(包括焦斑尺寸、有效光束半径和强度增益等)的理论方法。设计并采用LIGA技术实际制作了顶点曲率半径50μm的抛物面型PMMA材料长X射线组合折射透镜,在北京同步辐射装置(BSRF)的形貌站(4W,1A)对其在8keV时的聚焦性能进行了实际测试。给出了模拟计算和实测结果,并进行了分析讨论,实测结果显示了良好的聚焦效果,理论与实验结果基本吻合。

关键词：光学器件 X射线长组合折射透镜薄透镜近似 X射线聚焦性能同步辐射

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

50 nm X射线光刻掩模制备关键技术

核技术 2004年第2期27卷 96-98页

作者：董立军陈大鹏谢常青韩敬东叶甜春伊福廷彭良强韩勇张菊芳中国科学院微电子中心北京100010 中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室北京100039

X 射线光刻(XRL)采用约 1nm 波长的 X 射线，是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言，XRL 能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等，是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺，因而工艺成本很低。掩模制造技术是 XRL 开发中最为困... 详细信息

X 射线光刻(XRL)采用约 1nm 波长的 X 射线，是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言，XRL 能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等，是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺，因而工艺成本很低。掩模制造技术是 XRL 开发中最为困难的部分。本文介绍了适用于 50 nm XRL 的掩模制备的关键技术。

关键词： X射线光刻掩模金刚石吸收体键合