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新型LIGA掩摸板制造工艺研究

高能物理与核物理 2001年第B12期25卷 131-134页

作者：陈迪伊福廷上海交通大学微纳米科学技术研究院上海200030 中国科学院高能物理研究所北京100039

LIGA掩模板的制备是LIGA技术中的关键工艺。利用最近发展起来的硅感应耦合等离子体（ICP）深层刻蚀工艺开发出了新型LIGA掩模板。与其它类型的LIGA掩模板相比，该掩模板具有加工工艺简单、价格低廉等优点。利用该LIGA掩模板进行了LIGA... 详细信息

LIGA掩模板的制备是LIGA技术中的关键工艺。利用最近发展起来的硅感应耦合等离子体（ICP）深层刻蚀工艺开发出了新型LIGA掩模板。与其它类型的LIGA掩模板相比，该掩模板具有加工工艺简单、价格低廉等优点。利用该LIGA掩模板进行了LIGA技术的研究，得到了比较理想的结果。

关键词：制造工艺 LIGA掩模板 ICP深刻蚀 LIGA技术微加工

50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计

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核技术 2004年第5期27卷 321-324页

作者：谢常青陈大鹏李兵叶甜春伊福廷彭良强韩勇张菊芳中国科学院微电子研究中心北京100010 中国科学院高能物理研究所北京100039

X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟。对于 100nm 同步辐射 X 射线光刻系统而言,它采用的波长通常为 0.7—1.0nm,而当光... 详细信息

X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟。对于 100nm 同步辐射 X 射线光刻系统而言,它采用的波长通常为 0.7—1.0nm,而当光刻分辨率达到 50nm 以下时,采用的同步辐射 X 射线波长范围应该为 0.2—0.4 nm。探讨了在北京同步辐射 3B1A 光刻束线上进行 50nm X 射线光刻的可能性。

关键词： X射线光刻同步辐射束衍生法光刻分辨率

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折叠波导高频结构UV-LIGA技术研究

真空科学与技术学报 2015年第11期35卷 1356-1361页

作者：马天军孙建海陈振海伊福廷刘濮鲲中国科学院电子学研究所北京100190 中国科学院高能物理研究所北京100049 北京大学北京100871

真空电子器件的频率越来越高,作为核心部件的折叠波导慢波结构由于具有独特的优点,在真空器件中必将得到广泛的应用。由于真空器件的尺寸与波长具有共渡性,频率越高,互作用结构的尺度越小,加工误差的要求越来越严格。传统的加工方法很... 详细信息

真空电子器件的频率越来越高,作为核心部件的折叠波导慢波结构由于具有独特的优点,在真空器件中必将得到广泛的应用。由于真空器件的尺寸与波长具有共渡性,频率越高,互作用结构的尺度越小,加工误差的要求越来越严格。传统的加工方法很难实现如此微小尺寸的结构,而UV-LIGA技术对于制造这种微型结构是一种很有前途的方法。本文以220GHz折叠波导为研究对象,在中科院电子所行波管设计、计算和仿真模拟软件IESTWT1.0平台上,进行了设计和仿真,对高频慢波结构的相关参数进行了优化,并开展了基于SU8厚胶采用嵌丝式UV-LIGA工艺制备折叠波导互作用结构的工艺实验,主要包括无氧铜WAFER制备、大厚度SU8胶匀胶工艺、光刻工艺、嵌丝工艺、电铸以及去胶工艺等参数的摸索。结果表明采用基于SU8系列光刻胶的UV-LIGA方法可以实现折叠波导慢波结构的制备。

关键词：微加工 UV-LIGA 折叠波导行波管

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氯化铯纳米岛生长技术

功能材料与器件学报 2008年第1期14卷 189-192页

作者：罗亮伊福廷张菊芳中国科学院高能物理研究所

氯化铯纳米岛光刻技术是一种分子自组装光刻技术,该技术利用氯化铯在一定湿度下的自组装特性来形成具有一定尺寸和分布的原始氯化铯纳米岛结构,通过调整工艺条件可以适度控制氯化铯岛结构的尺寸和覆盖率。氯化铯岛结构的尺寸和覆盖率主... 详细信息

氯化铯纳米岛光刻技术是一种分子自组装光刻技术,该技术利用氯化铯在一定湿度下的自组装特性来形成具有一定尺寸和分布的原始氯化铯纳米岛结构,通过调整工艺条件可以适度控制氯化铯岛结构的尺寸和覆盖率。氯化铯岛结构的尺寸和覆盖率主要取决于氯化铯薄膜厚度、显影时间和相对湿度,其中膜厚的影响最大。通常在其他条件不变的情况下,薄膜越厚覆盖率越高,而显影时间越长覆盖率则可能越低。在厚度、相对湿度一定的情况下,显影时间较短时,岛结构以小直径为主,随着时间增加,该结构直径分布变得均匀,并且以大直径为主,两者都大致符合高斯分布。

关键词：纳米岛自组装技术 NEMS 纳米加工技术

基于磁流变技术的微孔内壁抛光装置研制及性能研究

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表面技术 2018年第6期47卷 252-257页

作者：周悦王雨婷伊福廷王波刘静张天冲中国科学院高能物理研究所北京100049 中国科学院大学北京100049

目的基于磁流变技术研制适用于微孔内壁抛光的装置。方法利用磁流变抛光液的性质,借鉴传统的抛光原理,设计并研制了适用于微孔内壁抛光的抛光装置,并对该装置进行了一系列的性能研究。基于该微孔内壁抛光装置对多孔镍样品及平片硅样品... 详细信息

目的基于磁流变技术研制适用于微孔内壁抛光的装置。方法利用磁流变抛光液的性质,借鉴传统的抛光原理,设计并研制了适用于微孔内壁抛光的抛光装置,并对该装置进行了一系列的性能研究。基于该微孔内壁抛光装置对多孔镍样品及平片硅样品进行了不同条件下的抛光研究,并对抛光结果进行了分析。结果此抛光装置的性能研究结果表明,该装置产生的交变磁场均匀、稳定,符合模拟预期,可用于进一步的样品抛光研究。利用此抛光装置,虽然在多孔镍样品的抛光上没有较为明显的效果,但平片硅样品的粗糙度却由1.24 nm下降至0.56 nm,具有较大改善。在平片硅样品的抛光研究中,进一步发现随着时间的增加,其粗糙度不断下降。结论自行搭建的基于磁流变技术的微孔内壁抛光装置可对平片硅进行抛光。

关键词：磁流变技术微孔内壁抛光抛光装置磁感应强度粗糙度

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50 nm X射线光刻掩模制备关键技术

核技术 2004年第2期27卷 96-98页

作者：董立军陈大鹏谢常青韩敬东叶甜春伊福廷彭良强韩勇张菊芳中国科学院微电子中心北京100010 中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室北京100039

X 射线光刻(XRL)采用约 1nm 波长的 X 射线，是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言，XRL 能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等，是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺，因而工艺成本很低。掩模制造技术是 XRL 开发中最为困... 详细信息

X 射线光刻(XRL)采用约 1nm 波长的 X 射线，是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言，XRL 能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等，是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺，因而工艺成本很低。掩模制造技术是 XRL 开发中最为困难的部分。本文介绍了适用于 50 nm XRL 的掩模制备的关键技术。

关键词： X射线光刻掩模金刚石吸收体键合

北京同步辐射装置—3B1A束线，光刻实验站和LIGA实验站

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北京同步辐射装置年报 2000年第B6期 22-25页

作者：伊福廷北京918信箱同步辐射实验室100039

微机械结构的一种大规模生产方法-LIGA技术

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微机械结构的一种大规模生产方法-LIGA技术

利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法(英文)

2014年全国电火花成形加工技术研讨会

作者：伊福廷高能物理研究所同步辐射室

LIGA技术自其发明和公开报道已有几十年的发展历史,已在世界各地发展起来,带动和激发了微机电系统—MEMS（Micro electromechanical Systcm）加工热潮。经过十几年的努力,LIGA技术日已成熟,在很多领域内得到了应用。LIGA技术以大高宽比... 详细信息

LIGA技术自其发明和公开报道已有几十年的发展历史,已在世界各地发展起来,带动和激发了微机电系统—MEMS（Micro electromechanical Systcm）加工热潮。经过十几年的努力,LIGA技术日已成熟,在很多领域内得到了应用。LIGA技术以大高宽比结构和加工厚度著称,结构高宽比可达100以上,结构厚度可在1mm以上,是其他任何加工技术所不能够相比的。这一优越的加工能力为在微机械制造中发挥作用,提供了坚实的技术基础。该技术的目标是制造模具,用于注塑和模压工艺过程中所需要的金属模具。但由于注塑和模压工艺的问题,以及同步辐射光源的普及,更多的LIGA技术采用了直接利用同步辐射进行机械结构零件的生产,即所谓的直接LIGA技术,北京同步辐射LIGA技术就是选用了直接LIGA技术工艺。经过多年的努力,北京同步辐射LIGA技术取得了长足的进步,已在许多领域得到了应用。

关键词：微机械 LIGA技术微细加工技术先进模具技术

来源： cnki会议评论

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Journal of Semiconductors 2004年第1期25卷 26-29页

作者：伊福廷缪鹏彭良强张菊芳韩勇中国科学院高能物理研究所北京100039 英国帝国理工医学院

提出了一种解决大高宽比 SU 8结构的新方法 .该方法是将 SU 8胶涂在一块掩模上 ,紫外光从掩模的背面照射 ,这样 SU 8胶的曝光将从底部开始 ,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量 ,从而很容易控制曝光剂量和SU 8胶结构的内应力 .实... 详细信息

提出了一种解决大高宽比 SU 8结构的新方法 .该方法是将 SU 8胶涂在一块掩模上 ,紫外光从掩模的背面照射 ,这样 SU 8胶的曝光将从底部开始 ,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量 ,从而很容易控制曝光剂量和SU 8胶结构的内应力 .实验结果表明 ,该方法能够得到高宽比为 32的 SU 8结构 ,而文献报道的 SU 8胶结构的高宽比最大仅为

关键词： MEMS SU8胶微加工背面曝光