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加速器高频自动频率调谐系统的设计与实现

加速器高频自动频率调谐系统的设计与实现

作者：任红文兰州大学

学位级别：硕士

兰州重离子加速器(HIRFL)是一台组合加速器装置,它自1988年建成至今,为众多的离子核物理和应用实验提供了多种束流。而高频系统是为加速器提供能量的关键系统。加速器运行时,高频电压加在高频腔体上,用来实现对粒子的加速。高频腔体热... 详细信息

兰州重离子加速器(HIRFL)是一台组合加速器装置,它自1988年建成至今,为众多的离子核物理和应用实验提供了多种束流。而高频系统是为加速器提供能量的关键系统。加速器运行时,高频电压加在高频腔体上,用来实现对粒子的加速。高频腔体热变形,腔体的机械震动等都会造成腔体失谐从而引起腔体电压的下降以及高频电压的相位漂移。因此,频率调谐系统既是保证腔体正常运行的关键部分之一,自动调谐系统能够实现对高频腔调谐的远程控制,能够快速、准确的进行调谐。单片微型计算机是微型计算机的一个重要分支,也是颇具生命力的机种。特别适用于控制领域。近年来单片机的应用正在不断地走向深入,已越来越广泛地应用于智能仪表、工业控制、日常生活等很多领域。单片机突出的特点是体积小,功耗低,可靠性高。本文的工作就是设计一个能很好满足要求的自动频率调谐系统,从硬件设计、软件设计、抗干扰设计方面对系统的实现进行了描述。总体设计以简单和经济为基本出发点,尽量选用低价的高性能芯片以节省设计成本。设计了单片机控制单元的软件,主要包括初始化子程序、采集数据子程序、移相子程序、方向识别子程序、调谐子程序和显示子程序,并完成了整个软、硬件系统的调试。

关键词：加速器高频腔调谐单片机

MOCVD生长GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱子带间红外吸收特性

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红外与毫米波学报 1994年第1期13卷 33-36页

作者：程兴奎黄柏标徐现刚刘士文任红文蒋民华山东大学光电材料与器件研究所山东大学晶体材料研究所

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为... 详细信息

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致．

关键词：多量子阱子带红外辐射外延生长

GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电子干涉与红外吸收

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红外与毫米波学报 1997年第5期16卷 339-343页

作者：程兴奎黄柏标徐现刚刘士文任红文蒋民华山东大学光电材料与器件研究所山东大学晶体材料研究所

在室温下测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的红外吸收，观察到在７０６、７７０、１０４６、１２８２和１６５３ｃｍ－１处的几个吸收峰．认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关，理论计算的吸收峰位置与实验结果很一致．

关键词：多量子阱结构电子干涉红外吸收砷化镓铝镓砷

HIRFL新B1聚束器频率微调系统的设计及稳定性分析

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强激光与粒子束 2005年第10期17卷 1577-1580页

作者：许哲石爱民王春晓任红文中国科学院近代物理研究所甘肃兰州730000

频率自动调谐系统是聚束器的重要组成部分之一.频率调谐系统成功的研制和投入使用达到了使谐振腔体的固有谐振频率在22～54 MHz的范围内自动稳定在输入信号频率上的目的,频率自动微调系统达到了±5×10-6的频率稳定度,解决了由于腔体失... 详细信息

频率自动调谐系统是聚束器的重要组成部分之一.频率调谐系统成功的研制和投入使用达到了使谐振腔体的固有谐振频率在22～54 MHz的范围内自动稳定在输入信号频率上的目的,频率自动微调系统达到了±5×10-6的频率稳定度,解决了由于腔体失谐所造成的高频电压滑落的问题,由此在腔体的加速缝隙间得到稳定的高频电压,保证了聚束器系统的高质量可靠运行.

关键词：谐振腔聚束器频率微调固有谐振频率稳定度

用全息相衬干涉显微术定量研究晶-液界面的溶质边界层

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科学通报 1990年第8期35卷 587-590页

作者：于锡玲岳学锋高航军任红文山东大学晶体材料研究所济南250100

一、引言溶液生长晶体,在晶-液界面附近,有关质量输运的真实行为,至今还是一个有待研究的课题。近几年有不少文献报道,采用全息干涉术研究晶体周围的浓度场分布或测量浓度边界层的厚度。然而这些研究均是在自然对流的状态下,进行总体... 详细信息

一、引言溶液生长晶体,在晶-液界面附近,有关质量输运的真实行为,至今还是一个有待研究的课题。近几年有不少文献报道,采用全息干涉术研究晶体周围的浓度场分布或测量浓度边界层的厚度。然而这些研究均是在自然对流的状态下,进行总体分析。而对输运的重要地带——边界层内的溶质分布,或在强迫对流状态下,层内的变化规律未见报道。另外对检测方法的准确度也未见讨论。

关键词：晶体生长边界层全息术检测溶质

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束流调制器物理机制与电子学设计

核电子学与探测技术 2010年第11期30卷 1459-1462页

作者：石爱民张金泉任红文中国科学院近代物理研究所兰州730000

兰州重离子回旋加速器装置H IRFL在某种工作模式下,需要对束流在时间上进行调制,以避免束流对输运线造成损伤;并在加速器引出的束流能量较高且流强很大时,采用束流调制器可使调束在较低的流强下进行,而不必改变加速器的参数。调制器由... 详细信息

兰州重离子回旋加速器装置H IRFL在某种工作模式下,需要对束流在时间上进行调制,以避免束流对输运线造成损伤;并在加速器引出的束流能量较高且流强很大时,采用束流调制器可使调束在较低的流强下进行,而不必改变加速器的参数。调制器由加装在束运管道上的两个平行电极与相应的电子学电路组成。为满足调制脉冲前后沿的时间要求,电子学设计着重考虑展宽电压放大器频带低品质因数电路设计。

关键词：调制脉冲频率补偿

MOVPE生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格及其TEM表征

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红外与毫米波学报 1992年第2期11卷 139-144页

作者：徐现刚黄柏标任红文刘士文蒋民华山东大学晶体材料研究所山东济南250100

报道用金属有机汽相外延技术(MOVPE)生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格结构材料及其光电器件应用,用横断面透射电子显微术(XTEM)表征外延层结构.在自电光效应光学双稳态器件(SEED)中,超晶格层-层之间界面清晰,厚度均匀,周期性完整.对某些... 详细信息

报道用金属有机汽相外延技术(MOVPE)生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格结构材料及其光电器件应用,用横断面透射电子显微术(XTEM)表征外延层结构.在自电光效应光学双稳态器件(SEED)中,超晶格层-层之间界面清晰,厚度均匀,周期性完整.对某些用超晶格作缓冲层的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构,观察到超晶格对生长面的平滑作用及间断生长造成的界面等.

关键词： MOVPE XTEM 半导体砷化镓

MOCVD TMG-AsH_3-H_2和TMG-AsH_3-He体系的热力学平衡分析

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人工晶体学报 1991年第1期20卷 64-69页

作者：刘立强任红文蒋民华山东大学晶体材科研究所济南250100

本文根据化学热力学平衡理论,建立了完整的计算方法,对MOCVD TMG-AsH_3-H_2和TMG-AsH_3-He体系的均相与异相化学反应平衡条件下42个气相杨种的分压随温度和V/Ⅲ比的变化进行了细致的计算和比较,分析了生长参数所引起的气相分压的改变对... 详细信息

本文根据化学热力学平衡理论,建立了完整的计算方法,对MOCVD TMG-AsH_3-H_2和TMG-AsH_3-He体系的均相与异相化学反应平衡条件下42个气相杨种的分压随温度和V/Ⅲ比的变化进行了细致的计算和比较,分析了生长参数所引起的气相分压的改变对系统的质量输运、掺杂特性及材料质量的影响。

关键词： MOCVD 半导体汽相沉积

MOCVD法生长(Al,Ga)As碳掺杂机理研究

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稀有金属 1993年第3期17卷 192-195页

作者：黄柏标刘士文徐现刚任红文蒋民华山东大学晶体材料研究所 250100

分析了 MOCVD 生长(Al,Ga)As 非有意和有意碳掺杂的气相和表面过程,认为表面和表面附近由于甲基化合物异相分解生成的 CH_3^-自由基是碳掺杂的主要物种,表面原子氢和含氢自由基AsH_m(m≤3)的浓度是影响 CH_3自由基进入晶格的主要因素。... 详细信息

分析了 MOCVD 生长(Al,Ga)As 非有意和有意碳掺杂的气相和表面过程,认为表面和表面附近由于甲基化合物异相分解生成的 CH_3^-自由基是碳掺杂的主要物种,表面原子氢和含氢自由基AsH_m(m≤3)的浓度是影响 CH_3自由基进入晶格的主要因素。在碳掺杂理论模型的基础上讨论了温度、压力、Ⅴ/Ⅲ比、有机源种类对碳掺杂的影响。指出了在引入和不引入掺杂源的情况下,控制碳掺杂的途径。

关键词： MOCVD法 (Al,Ga)As 碳掺杂机理