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CaS:Ce,Sm材料光致荧光辐射剂量相关性能测量

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原子能科学技术 2007年第4期41卷 390-393页

作者：刘秋江陈朝阳范艳伟巴维真朱磊丛秀云汤新强中国科学院新疆理化技术研究所

本工作对光致荧光材料CaS：Ce,Sm的辐射剂量特性进行研究。利用60Coγ源对CaS：Ce,Sm/PMMA剂量片进行辐照,应用自行搭建的测试系统对剂量片发出的荧光信号进行测试。测试结果表明,CaS：Ce,Sm材料是短余辉材料,环境温度对材料性能影响显... 详细信息

本工作对光致荧光材料CaS：Ce,Sm的辐射剂量特性进行研究。利用60Coγ源对CaS：Ce,Sm/PMMA剂量片进行辐照,应用自行搭建的测试系统对剂量片发出的荧光信号进行测试。测试结果表明,CaS：Ce,Sm材料是短余辉材料,环境温度对材料性能影响显著,在0.1～100 Gy内,荧光信号峰值强度与辐照剂量线性关系良好。

关键词： CaS Ce,Sm材料光致荧光电离辐射剂量标定

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金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究

电子元件与材料 2011年第6期30卷 29-32页

作者：张希涛陈朝阳范艳伟丛秀云中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院北京100039

采用开管涂源法,对ρ25为7？.cm的n型单晶硅进行了Au和Pt双重掺杂,制备了低阻高B型NTCR。研究了扩散时间和扩散温度对样品参数的影响,并进行了相关的测试和分析。结果表明：扩散温度θ=1 200℃、扩散时间t≥2 h时,导电类型反型为p型,此... 详细信息

采用开管涂源法,对ρ25为7？.cm的n型单晶硅进行了Au和Pt双重掺杂,制备了低阻高B型NTCR。研究了扩散时间和扩散温度对样品参数的影响,并进行了相关的测试和分析。结果表明：扩散温度θ=1 200℃、扩散时间t≥2 h时,导电类型反型为p型,此时B25/50值不再随扩散时间明显变化,而是稳定在4 000 K左右,ρ25恒定在（2~3）×103？.cm。

关键词： NTC热敏电阻单晶硅金铂深能级杂质

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MeWO_4系陶瓷的湿敏特性

无机材料学报 1989年第2期4卷 119-124页

作者：黄安荣刘博华康健刘树英丛秀云中国科学院新疆物理研究所

本文报导了 MeWO_4(Me∶Mn 或 Zn)系陶瓷湿敏材料的若干配方、烧结制度及相应阻—湿特性。给出了一种获得强度好、孔结构理想、电极附着好、敏感特性线性度好和灵敏度适当的 MeWO_4系湿敏瓷的最佳组成及工艺。

关键词：钨酸锰钨酸锌陶瓷湿敏材料

La掺杂对LiCrTiO_4陶瓷湿敏材料特性的影响

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功能材料 1992年第5期23卷 307-308,306页

作者：丛秀云刘博华袁疆鹰阴卫华常爱民中国科学院新疆物理所乌鲁木齐830011

稀土La适量掺杂能显著影响多孔质LiCrTiO_4湿敏陶瓷的敏感特性,降低材料的本征电阻率,有助于提高阻-湿特性的线性关系。结果表明,微量La^+离子参与电子交换是导致材料体电导变化的主要因素。

关键词：功能陶瓷湿敏电导机制湿度

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毛细变形钼管

稀有金属材料与工程 1982年第2期 49-50+112页

作者：关秀兰丛秀云牛德玉宝鸡有色金属研究所

近年来,由于工业技术的不断发展,对钼管特别是对小直径和毛细钼管的需要量日益增加。为了扩大钼管的品种规格,更能及时满足需要,我们对制取毛细变形钼管的工艺进行了研究。

关键词：图版制取压扁模锻管坯钢坯

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掺锰硅材料的电流振荡特性

Journal of Semiconductors 2006年第9期27卷 1582-1585页

作者：陈朝阳巴维真张建丛秀云 Bakhadyrkhanov M K Zikrillaev N F 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 乌兹别克斯坦国立技术大学塔什干700095

用高温扩散方法制备出补偿Si：（B，Mn）材料，并研究了这种材料的电流振荡参数与光照和电场之间的关系．结果表明：在一定光照和电场范围内（276-305V／cm），电阻率为10^4Ω·cm的材料在液氮温度下显示出电流振荡特性；在一定的电场... 详细信息

用高温扩散方法制备出补偿Si：（B，Mn）材料，并研究了这种材料的电流振荡参数与光照和电场之间的关系．结果表明：在一定光照和电场范围内（276-305V／cm），电阻率为10^4Ω·cm的材料在液氮温度下显示出电流振荡特性；在一定的电场下，电流振荡波形是固定的，不随时间变化；振荡频率随光照强度的增大而线性增大；调制系数随着光强的增强而减弱；振荡的最大值随着光照强度增大而减小，最小值随着光强增大而缓慢增大．

关键词：硅掺杂补偿电流振荡

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Zn掺杂n型硅材料的补偿研究

电子元件与材料 2005年第6期24卷 24-26页

作者：蔡志军巴维真陈朝阳崔志明丛秀云中国科学院新疆理化技术研究所

为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅。实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率随扩散温度和杂质投入量的不同都有较大变化,而且随杂质投入... 详细信息

为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅。实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率随扩散温度和杂质投入量的不同都有较大变化,而且随杂质投入量的增加,电阻率都有一个急剧变化的转折点。

关键词：电子技术深能级杂质反型固溶度亨利定律电离

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p型单晶硅涂源掺锰新方法

电子元件与材料 2005年第6期24卷 21-23页

作者：崔志明巴维真陈朝阳蔡志军丛秀云中国科学院新疆理化技术研究所

研究了扩散源的浓度与掺杂后硅材料补偿度之间的关系。以MnCl2·4H2O乙醇溶液为扩散源,涂在初始电阻率为3.8?·cm的p型单晶硅片表面,在高温(1200℃)下掺杂锰后,在室温避光条件下,用SDY—5型双电测四探针仪测样品电阻率ρ。改变扩散源的... 详细信息

研究了扩散源的浓度与掺杂后硅材料补偿度之间的关系。以MnCl2·4H2O乙醇溶液为扩散源,涂在初始电阻率为3.8?·cm的p型单晶硅片表面,在高温(1200℃)下掺杂锰后,在室温避光条件下,用SDY—5型双电测四探针仪测样品电阻率ρ。改变扩散源的浓度重复实验,用XRD对扩散后的样品进行分析,结果表明:当硅片表面浓度为23.4×10–8mol/cm2时,扩散后样品体电阻率的径向不均匀度在5%以内,扩散后硅片的补偿度最大。

关键词：电子技术扩散源补偿度固相反应锰硅化物

高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究

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电子元件与材料 2006年第3期25卷 53-55页

作者：崔志明陈朝阳巴维真蔡志军丛秀云中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011

采用4.5Ω.cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅。用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极。用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线。结果表明:经退火... 详细信息

采用4.5Ω.cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅。用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极。用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线。结果表明:经退火后镍与硅形成硅镍化合物(Ni2Si),电极正反向电阻一致,性能稳定,形成欧姆接触。

关键词：电子技术高补偿硅化学沉积法硅镍化舍物