Zn掺杂n型硅材料的补偿研究
Compensation Study of Zn Doped n-type Silicon Materials作者机构：中国科学院新疆理化技术研究所
出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)
年 卷 期：2005年第24卷第6期
页 面：24-26页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：乌鲁木齐市科技攻关计划项目(G041202) 中国科学院"西部之光"人才培养计划项目
摘 要：为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅。实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率随扩散温度和杂质投入量的不同都有较大变化,而且随杂质投入量的增加,电阻率都有一个急剧变化的转折点。
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