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供电局中层管理者绩效考核研究

当代经济 2016年第9期33卷 78-79页

作者：钟英辉广东电网有限责任公司梅州供电局广东梅州514021

电力行业作为我国各个领域发展的基础行业,近年来的发展日益迅速。但是在供电事业单位的运营中仍然存在一些问题,其中最明显的是中层管理者的绩效考核问题,中层管理者作为企业运营中的中坚力量,但很多企业机构认识不到中层管理者绩效考... 详细信息

电力行业作为我国各个领域发展的基础行业,近年来的发展日益迅速。但是在供电事业单位的运营中仍然存在一些问题,其中最明显的是中层管理者的绩效考核问题,中层管理者作为企业运营中的中坚力量,但很多企业机构认识不到中层管理者绩效考核的重要性,对于绩效考核的态度只是为了考核而考核,这就在很大程度上影响中层管理者的工作积极性,也会对供电企业利益造成直接的损害。本文首先对绩效考核的概念以及重要性进行了说明,紧接着通过四个方面对中层管理者绩效考核中存在的问题进行了分析,最后提出了针对性的建议,希望能为我国电力行业的发展贡献一份力量。

关键词：供电企业中层管理者绩效考核

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关于大学生新媒介素养教育的思考

教育教学论坛 2015年第48期 180-182页

作者：钟英辉郑州大学物理工程学院河南郑州450001

新媒介具有交互扁平化、传播网络化等特性,发展迅猛。我国网络舆情复杂,大学新媒介素养教育相对落后。因此,合理利用大学资源,区分新媒介道德、辩证识别信息、新媒介运用,对开展大学生新媒介素养教育十分必要。

关键词：新媒介素养新媒介素养教育大学生媒介素养

有效跨导为1052mS/mm的高性能InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As HEMTs(英文)

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红外与毫米波学报 2013年第3期32卷 193-197,288页

作者：钟英辉王显泰苏永波曹玉雄张玉明刘新宇金智西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 中国科学院微电子研究所北京100029

成功研制了栅长为0.15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2μm的InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件.室温下,当器件VDS为1.7 V、VGS为0.1 V时,其有效跨导达到了1 052 mS/mm.传输线方法(TLM)测试显示器件的接触电阻为0.03... 详细信息

成功研制了栅长为0.15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2μm的InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件.室温下,当器件VDS为1.7 V、VGS为0.1 V时,其有效跨导达到了1 052 mS/mm.传输线方法(TLM)测试显示器件的接触电阻为0.032Ω.mm,器件欧姆接触电阻率为1.03×10-7Ω.cm-2.正是良好的欧姆接触及其短的源漏间距减小了源电阻,进而使得有效跨导比较大.器件有比较好的射频特性.从100 MHz到40 GHz,S参数外推出来的fT和fmax分别为151 GHz和303 GHz.所报道的HEMT器件非常适合毫米波段集成电路的研制.

关键词：高电子迁移率器件栅长栅槽 InP InAlAs InGaAs

InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱质子辐照损伤机理

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西安电子科技大学学报 2017年第4期44卷 151-155,161页

作者：王海丽吉慧芳孙树祥丁芃金智魏志超钟英辉李玉晓郑州大学物理工程学院河南郑州450001 中国科学院微电子研究所北京100029 中国空间技术研究院北京100086

对InP基高电子迁移率场效晶体管关键的InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱结构质子辐照损伤机理进行了研究.基于SRIM软件计算了50keV、75keV和200keV质子在量子阱中的投影射程和诱生空位缺陷信息.随着质子能量增加,质子注入深度逐渐增加并最终... 详细信息

对InP基高电子迁移率场效晶体管关键的InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱结构质子辐照损伤机理进行了研究.基于SRIM软件计算了50keV、75keV和200keV质子在量子阱中的投影射程和诱生空位缺陷信息.随着质子能量增加,质子注入深度逐渐增加并最终逃逸出材料层.另外,在异质结附近诱生的空位缺陷个数先增加后减小,且As空位为主要的诱生缺陷.基于解析模型计算了不同能量质子入射下In_(0.52)Al_(0.48)As和In_(0.53)Ga_(0.47)As材料的非电离能量损失.随着质子能量增加,非电离能量损失先增加后减小,与辐照诱生缺陷密度随能量的变化趋势一致.最后通过辐照陷阱模型验证了诱生缺陷作为受主补偿中心对量子阱二维电子气的俘获作用,确定了非电离能量损失诱生空位缺陷为质子辐照主要的损伤机制.

关键词：高电子迁移率晶体管质子辐照空位缺陷非电离能量损失

InP基HEMTs器件16参数小信号模型（英文）

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红外与毫米波学报 2018年第2期37卷 163-167页

作者：钟英辉李凯凯李梦珂王文斌孙树祥李慧龙丁鹏金智郑州大学物理工程学院河南郑州450001 中国科学院微电子研究所北京100029

针对InAlAs/InGaAsInP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起... 详细信息

针对InAlAs/InGaAsInP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起的相位变化,从而提高了S_(22)参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,R_(gs)和τ_(ds)的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.

关键词： InP基高电子迁移率晶体管小信号模型栅泄漏电流漏端延时

W波段InGaAs/InP动态二分频器(英文)

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红外与毫米波学报 2012年第5期31卷 393-398页

作者：钟英辉苏永波金智王显泰曹玉雄姚鸿飞宁晓曦张玉明刘新宇中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室北京100029 西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071

采用fT=214 GHz,fmax=193 GHz的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺,设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作频段为60～100 GHz,但由于测试系统上限频率的限制,只能测出62～83 GHz的工作范围.在-4.2 V和-5.2 V的单... 详细信息

采用fT=214 GHz,fmax=193 GHz的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺,设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作频段为60～100 GHz,但由于测试系统上限频率的限制,只能测出62～83 GHz的工作范围.在-4.2 V和-5.2 V的单电源直流偏置下该分频器的功耗分别为596.4 mW、1060.8 mW.此分频器的成功制作对于工作在W波段锁相环的构建有较大的意义.

关键词：磷化铟异质结双极型晶体管动态分频器时钟驱动型反相器

一种基于梯度提升回归树的系外行星宜居性预测方法

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计算机科学 2019年第B6期46卷 71-73,79页

作者：朱维军王鑫钟英辉樊永文陈永华郑州大学信息工程学院郑州450001 郑州大学物理工程学院郑州450001

系外行星的宜居性是近年来探索宇宙的一个热点研究课题,机器学习为系外行星宜居性分类提供了一种可行的手段。然而,现有的宜居性分类效果面临严重不足与局限。为此,给出一种基于梯度提升回归树的系外行星宜居性分类预测方法。首先,使用... 详细信息

系外行星的宜居性是近年来探索宇宙的一个热点研究课题,机器学习为系外行星宜居性分类提供了一种可行的手段。然而,现有的宜居性分类效果面临严重不足与局限。为此,给出一种基于梯度提升回归树的系外行星宜居性分类预测方法。首先,使用梯度提升回归树算法对系外潜在宜居行星与非宜居行星的相关物理学与天文学数据集进行训练;然后,利用训练好的模型对相关测试集进行预测。仿真实验结果表明,新方法在测试集上的预测准确率高达100%。

关键词：梯度提升回归树系外行星宜居性二分类

Effects of proton irradiation at different incident angles on InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs

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Chinese Physics B 2018年第2期27卷 625-629页

作者：孙树祥魏志超夏鹏辉王文斌段智勇李玉晓钟英辉丁芃金智 School of Physics and Engineering Zhengzhou University Zhengzhou 450001 China China Academy of Space Technology Beijing 100086 China Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences Beijing 100029 China

InP-based high electron mobility transistors（HEMTs） will be affected by protons from different directions in space radiation applications. The proton irradiation effects on InAlAs/InGaAs hetero-junction structures of InP-based HEMTs are studied at incident angles ranging from 0 to 89.9° by SRIM software. With the increase of proton incident angle, the change trend of induced vacancy defects in the InAlAs/InGaAs hetero-junction region is consistent with the vacancy energy loss trend of incident protons. Namely, they both have shown an initial increase, followed by a decrease after incident angle has reached 30°. Besides, the average range and ultimate stopping positions of incident protons shift gradually from buffer layer to hetero-junction region, and then go up to gate metal. Finally, the electrical characteristics of InP-based HEMTs are investigated after proton irradiation at different incident angles by Sentaurus-TCAD. The induced vacancy defects are considered self-consistently through solving Poisson＇s and current continuity equations. Consequently, the extrinsic transconductance, pinch-off voltage and channel current demonstrate the most serious degradation at the incident angle of 30？, which can be accounted for the most severe carrier sheet density reduction under this condition.

关键词： proton irradiation InP-based HEMTs InAlAs/InGaAs hetero-junction incident angle

0.15-μm T-gate In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As InP-based HEMT with fmax of 390 GHz

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Chinese Physics B 2013年第12期22卷 522-526页

作者：钟英辉张玉明张义门王显泰吕红亮刘新宇金智 School of Microelectronics Xidian University Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences

In this paper, 0.15-μm gate-length In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As InP-based high electron mobility transistors （HEMTs） each with a gate-width of 2×50 μm are designed and fabricated. Their excellent DC and RF characterizations are demonstrated. Their full channel currents and extrinsic maximum transconductance （gm,max） values are measured to be 681 mA/mm and 952 mS/mm, respectively. The off-state gate-to-drain breakdown voltage （BVGD） defined at a gate current of-1 mA/mm is 2.85 V. Additionally, a current-gain cut-off frequency （fT） of 164 GHz and a maximum oscillation frequency （fmax） of 390 GHz are successfully obtained; moreover, the fmax of our device is one of the highest values in the reported 0.15-μm gate-length lattice-matched InP-based HEMTs operating in a millimeter wave frequency range. The high gm,max, BVGD, fmax, and channel current collectively make this device a good candidate for high frequency power applications.

关键词： breakdown voltage cut-off frequency high electron mobility transistors maximum oscillation frequency