基于InP基HEMTs的W波段高增益低噪声放大MMIC（英文）

作     者：钟英辉 李凯凯 李新建 金智 ZHONG Ying-Hui;LI Kai-Kai;LI Xin-Jian;JIN Zhi

作者机构：郑州大学物理工程学院郑州450001 中国科学院微电子研究所北京100029 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2015年第34卷第6期

页      面：668-672页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：Supported by National Natural Science Foundation of China(61404115 61434006) 

主　　题：高电子迁移率晶体管 低噪声放大电路 磷化铟 共源共栅 

摘      要：基于自主研发的InP基高电子迁移率晶体管工艺设计并制作了一款W波段单级低噪声放大单片毫米波集成电路.共源共栅拓扑结构和共面波导工艺保证了该低噪声放大器紧凑的面积和高的增益,其芯片面积为900μm×975μm,84~100 GHz频率范围内增益大于10 dB,95 GHz处小信号增益达到最大值为15.2dB.根据调查对比,该单级放大电路芯片具有最高的单级增益和相对高的增益面积比.另外,该放大电路芯片在87.5 GHz处噪声系数为4.3 dB,88.8 GHz处饱和输出功率为8.03 dBm.该低噪声放大器芯片的成功研制对于构建一个W波段信号接收前端具有重要的借鉴意义.