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半导体表面晶体完整性的SEM电子通道花样研究

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Journal of Semiconductors 1991年第1期12卷 23-27页

作者：邱素娟林奇全机电部第十三研究所石家庄050051

本文对各种GaAs晶体表面作了SEM电子通道技术测量,对测得的电子通道花样进行了结晶学注释,确定了评价晶体完整性的标准。可广泛用来检查和评估半导体表面的晶体完整性.

关键词： GaAs晶体 SEM 电子通道像

农作物外来有害生物信息系统及风险评估与监控体系

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农作物外来有害生物信息系统及风险评估与监控体系

作者：邱素娟福建农林大学

学位级别：硕士

外来有害生物的入侵和扩散蔓延,给我国经济造成严重损失。本文利用数据库技术,采用多种编程技巧,开发了农作物外来有害生物信息系统及风险评估与监控体系,集成了信息咨询、地理信息系统、风险分析、监测与网站导航等子系统,具有及时提... 详细信息

外来有害生物的入侵和扩散蔓延,给我国经济造成严重损失。本文利用数据库技术,采用多种编程技巧,开发了农作物外来有害生物信息系统及风险评估与监控体系,集成了信息咨询、地理信息系统、风险分析、监测与网站导航等子系统,具有及时提供外来有害生物详细资料和进行智能查询的功能,能够显著提高外来有害生物管理及检疫的工作效率。基于C#.NET技术和VS2005等先进的开发平台,运用面向对象技术和可视化编程,将搜集到的大量外来有害生物资料、彩色图谱及试验资料,经过整理和规范化处理,收集于数据库中,进行系统设计并开发出本系统。本系统将外来有害生物风险评估、监控体系与信息系统集成到统一的平台上,建立了评估模型,提供了强有力的监控体系。本系统注重对外来有害生物生物学和生态学特性的分析,利用计算机模型,提高了风险评估的便利性和可靠性。由于以数据库的知识为支撑,风险分析有更多可供利用的资料。风险分析体系将专家的经验知识和现代数学方法相结合,建立了科学的植物有害生物评价指标体系,确定的指标值和权重更加合理,建立的综合评价模型已经进入实用阶段。凭借数据库技术,建立了以C#.NET为平台的地理信息系统,不但避免使用如MapInfo等复杂的地理信息系统软件,而且在功能实现上更加自由和灵活。更重要的特色还在于将地理信息系统融合于信息管理系统中,在实现数据共享的同时,充分发挥地理信息系统在外来有害生物入侵、扩展和危害的动态监测中的优势。利用网站搜索与数据库技术相结合,建立了外来有害生物导航系统,将收集到的相关网络资料存放到数据库中,利用数据库的检索功能实现快速定位和导航。系统根据不同的检索词进行查询,就能找到相关的记录,并将该记录的IP地址显示在文本框中,利用C#的***方法,即可方便地连接到相应网站。IP地址随着数据表中检索到的记录而动态变化,实现了数据库查询技术和网站导航技术有机结合,提高了查询效率和性能。本系统具有信息量大,查询方式多样,能提供全方位信息服务等的特点,从而实现了快速地对外来有害生物入侵做出反应的目的。

关键词：外来有害生物风险分析地理信息系统 C#.NET

浅杂质注入LEC半绝缘GaAsγ射线辐照缺陷

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物理学报 1994年第8期43卷 1344-1351页

作者：陈开茅金泗轩邱素娟吕云安何梅芬兰李桥北京大学物理系北京师范大学低能核物理研究所

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ＿２，并且大大增强了原有的Ｅ＿（０１）（０．２９... 详细信息

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ＿２，并且大大增强了原有的Ｅ＿（０１）（０．２９８）和Ｅ＿（０２）（０．３４１）等缺陷，同时明显地瓦解了原有的少子陷阱Ｈ＿（０３）。在单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐阳引进了Ｅ＇＿（０１）（０．２１６），Ｅ＇＿（０２）（０．３４１），Ｅ＇＿２，Ｅ＇＿４和Ｅ＇＿５（０．６０８）等缺陷。其中Ｅ＿（０１）和Ｅ＇＿（０１）是新发现的和γ辐照有关的ＧａＡｓ缺陷。和低阻衬底同质外延ＧａＡｓ相比，Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较低的γ射线辐照缺陷引入率，与此相反，单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。

关键词：砷化镓 γ辐射辐射效应缺陷

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注硅半绝缘GaAs的深能级

物理学报 1993年第8期42卷 1304-1310页

作者：邱素娟陈开茅武兰青机械电子工业部第十三研究所石家庄050051 北京大学物理系北京100871

用深能级瞬态谱(DLTS)详细研究了硅离子注入Liquid-encapsulated Czochralski(缩写为LEC)半绝缘GaAs的深中心。结果表明,在注硅并经高温退火的有源区中观测到4个多子(电子)陷阱,E_(01),E_(02),E_(03)和E_(04)。它们的电子表观激活能分别... 详细信息

用深能级瞬态谱(DLTS)详细研究了硅离子注入Liquid-encapsulated Czochralski(缩写为LEC)半绝缘GaAs的深中心。结果表明,在注硅并经高温退火的有源区中观测到4个多子(电子)陷阱,E_(01),E_(02),E_(03)和E_(04)。它们的电子表观激活能分别为0.298,0.341,0.555和0.821eV。其中E_(04)与EL2有关,但不是EL2缺陷。E_(04)的电子俘获截面激活能为0.119eV。还在有源区中观测到3个少子(空穴)陷阱,H_(01),H_(02)和H_(03)。其中H_(03)的空穴表观激活能为0.713eV以及它的浓度约为2.8×10^(16)cm^(-3)。

关键词：砷化镓离子注入深能级缺陷

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稳态过临界电子转移放大器(一)

微纳电子技术 1975年第10期 1-14页

作者：邱素娟

我们知道,砷化镓电子转移器件（TED）的载流子浓度（n;）和有源区长度（L）的乘积是判别此类器件稳定与否的参数,通常以n;L在5×10;～10;厘米;为界。大于这个临界值时,产生畴核振荡,如耿振荡等。小于这个临界值则稳定,可以进行放大。196... 详细信息

我们知道,砷化镓电子转移器件（TED）的载流子浓度（n;）和有源区长度（L）的乘积是判别此类器件稳定与否的参数,通常以n;L在5×10;～10;厘米;为界。大于这个临界值时,产生畴核振荡,如耿振荡等。小于这个临界值则稳定,可以进行放大。1965年Thim首次实现了这种亚临界电子转移放大。这种放大器,因其n;L小和只在渡越时间频率及其谐波频率附近实现放大,因此功率和频率都受到限制。1969年Pollman等以大于这个临界值的电子转移器件实现了稳态反射型放大,称为过临界掺杂电子转移放大器（简称过临介TEA）。这类放大器的功率容量大于前者,并有宽带、低

关键词：过临界 TEA 器件载流子浓度载流子密度负微分迁移率静电场空间电荷波电阻负阻电子设备放大器电场分布电子转移稳态

内热和环境热对砷化镓器件与电路相互作用的影响

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微纳电子技术 1971年第8期 17-22页

作者：邱素娟

一、引言砷化镓微波振荡器实现的可能性不仅依赖于器件材料和电路,而且依赖于不断变化的器伴与电路的相互作用的界面。在低的占空因数和室温条件下,提出了材料的纯度和均匀性以及在基频和谐波频率下适当的电路负载的准则。本文的目的是... 详细信息

一、引言砷化镓微波振荡器实现的可能性不仅依赖于器件材料和电路,而且依赖于不断变化的器伴与电路的相互作用的界面。在低的占空因数和室温条件下,提出了材料的纯度和均匀性以及在基频和谐波频率下适当的电路负载的准则。本文的目的是获得器件热效应的结果和考虑对说明这些器件变化所必要的谐振电路的改变。热效应可改变峰-谷端电流比和低场阻抗。结合电路负载阻抗来考虑时,达两个参数决定效率和偏压击穿极限。

关键词：有源层器件谷值总热阻电流键合界面负阻电阻电阻率电阻系数

改善GaAs MESFET输出功率线性的载流子浓度分布设计与制备

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半导体情报 1991年第4期28卷 1-6,30页

作者：邱素娟机电部第十三研究所石家庄050051

经过对GaAs MESFET输出功率及其线性失真的综合分析,提出了无拖尾双峰n^+n载流子浓度分布的最佳设计。用Si离子注入和Be注入埋层方法,以及优化的快速退火技术,满意地制备出所希望的无拖尾双峰n^+n浓度分布。用于DX571功率GaAs MESFET器... 详细信息

经过对GaAs MESFET输出功率及其线性失真的综合分析,提出了无拖尾双峰n^+n载流子浓度分布的最佳设计。用Si离子注入和Be注入埋层方法,以及优化的快速退火技术,满意地制备出所希望的无拖尾双峰n^+n浓度分布。用于DX571功率GaAs MESFET器件时的研究表明,与常规注入分布的器件相比,无拖尾n浓度分布器件在4GHz下测得的1dB增益压缩功率输出增加了0.4W;在输入信号提高50mW情况下增益仍为9dB,漏极效率提高3％,加上n^+注入后饱和压降又下降0.3V,预计其线性输出功率能力将会有进一步改善。

关键词：场效应晶体管 GaAS MESFET 制造

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用离子探针分析高阻砷化镓衬底及缓冲层

微纳电子技术 1980年第3期 7-15页

作者：邱素娟

自从1967年第一台离子探针问世后,十多年来发展很快,这是由于它具有微区、微量、全元素和同位素分析以及元素深度分布测量、离子成像显示等优点,仪器不断完善并用计算机控制和数据处理。然而由于离化机理复杂,至今有许多问题尚未搞清楚... 详细信息

自从1967年第一台离子探针问世后,十多年来发展很快,这是由于它具有微区、微量、全元素和同位素分析以及元素深度分布测量、离子成像显示等优点,仪器不断完善并用计算机控制和数据处理。然而由于离化机理复杂,至今有许多问题尚未搞清楚,因而还不能很好地做定量分析。目前国际上正在从理论和实验两个方面努力,探索定量分析的方法,发展离子探针的应用。

关键词：缓冲层 GaAs 衬底基片高阻离子探针分析

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稳态过临界转移电子放大器(二)

微纳电子技术 1975年第11期 1-16页

作者：邱素娟

五、影响放大性能的因素放大器性能由多方面因素决定,是材料、器件和电路综合作用的结果。这里主要讨论偏压、射频信号的大小、晶格温度、掺杂浓度对放大器主要性能的影响。 ***性能的一般描述在反射型TEA中,放大器的增益可以由反射系... 详细信息

五、影响放大性能的因素放大器性能由多方面因素决定,是材料、器件和电路综合作用的结果。这里主要讨论偏压、射频信号的大小、晶格温度、掺杂浓度对放大器主要性能的影响。 ***性能的一般描述在反射型TEA中,放大器的增益可以由反射系数求得,如（2.1）式写为: G=|（Z;-Z;）/（Z;+Z;）|;（5.1）放大器的分数带宽B;为: B;=2π/Q;lnG;（5.2）其中G;是中心频率的增益,Q;是中心频率ω;上TEA的品质因素,在器件串联等效电路中

关键词：均匀掺杂凹槽掺杂分布掺杂浓度负阻电阻过临界肖特基势垒金属-半导体接触电场分布渡越角非均匀电场负微分迁移率静电场晶格晶种 TEA 阳极器件性能载流子浓度载流子密度电场畸变