浅杂质注入LEC半绝缘GaAsγ射线辐照缺陷

作     者：陈开茅 金泗轩 邱素娟 吕云安 何梅芬 兰李桥 

作者机构：北京大学物理系北京师范大学低能核物理研究所 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：1994年第43卷第8期

页      面：1344-1351页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金 

主　　题：砷化镓 γ辐射 辐射效应 缺陷 

摘      要：用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ＿２，并且大大增强了原有的Ｅ＿（０１）（０．２９８）和Ｅ＿（０２）（０．３４１）等缺陷，同时明显地瓦解了原有的少子陷阱Ｈ＿（０３）。在单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐阳引进了Ｅ＇＿（０１）（０．２１６），Ｅ＇＿（０２）（０．３４１），Ｅ＇＿２，Ｅ＇＿４和Ｅ＇＿５（０．６０８）等缺陷。其中Ｅ＿（０１）和Ｅ＇＿（０１）是新发现的和γ辐照有关的ＧａＡｓ缺陷。和低阻衬底同质外延ＧａＡｓ相比，Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较低的γ射线辐照缺陷引入率，与此相反，单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。