检索结果-南通市图书馆

纺织学报 1996年第4期17卷 44-45页

作者：郭松李天毅蔡雪原武汉纺织工学院

本文通过对化纤厂压洗丝饼工艺及设备的分析,找出了导致废品率高的主要原因,并提出了一条实现内部挖潜的切实可行的途径。

关键词：化学纤维压洗丝饼工艺设备技术改造

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硅基二氧化硅偏振分束器的设计及误差分析

激光与光电子学进展 2017年第12期54卷 405-411页

作者：潘盼李伶俐蔡雪原安庆师范大学物理与电气工程学院安徽安庆246133

设计了一种非对称臂马赫-曾德尔干涉仪(MZI)型硅基二氧化硅偏振分束器(PBS),在1535~1565nm波长范围内,其偏振消光比大于20dB,插入损耗大于-0.5dB。采用有限差分-束传播法(FD-BPM)进行误差分析,分别计算了多模波导的宽度和长度以及非对... 详细信息

设计了一种非对称臂马赫-曾德尔干涉仪(MZI)型硅基二氧化硅偏振分束器(PBS),在1535~1565nm波长范围内,其偏振消光比大于20dB,插入损耗大于-0.5dB。采用有限差分-束传播法(FD-BPM)进行误差分析,分别计算了多模波导的宽度和长度以及非对称臂的宽度和长度误差对偏振分束器性能的影响。仿真结果表明,多模波导长度和非对称臂长度误差分别小于±2μm和±4μm时,偏振分束器的消光比和插入损耗仍能保持较好的结果;而要保持20dB以上的偏振消光比,多模波导宽度误差应小于±500nm,非对称臂宽度误差应小于±4nm(宽臂)和±2.5nm(窄臂)。非对称臂宽度对工艺的要求比较高,拟利用热光效应改变波导折射率来补偿波导尺寸变化引起的相位误差,以便下一步制备出高性能的硅基二氧化硅偏振分束器。

关键词：光学器件硅基二氧化硅波导偏振分束器有限差分-束传播法误差分析

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纳米碳化硅颗粒的团聚及分散的研究进展

材料工程 2013年第9期41卷 84-90页

作者：刘亚虎蔡雪原朱延超张琳娇杨建红兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所兰州730000

介绍了微粒团聚机理、团聚类型及其区别;在介绍软团聚处理方法的基础上,综述了pH值、悬浮液黏度及分散剂类型对纳米碳化硅分散效果的影响;阐述了自然碳化硅的带电状态、化学成分及其表面改性情况;在列举了添加分散剂前后纳米碳化硅等电... 详细信息

介绍了微粒团聚机理、团聚类型及其区别;在介绍软团聚处理方法的基础上,综述了pH值、悬浮液黏度及分散剂类型对纳米碳化硅分散效果的影响;阐述了自然碳化硅的带电状态、化学成分及其表面改性情况;在列举了添加分散剂前后纳米碳化硅等电点(IEP)的基础上,重点分析了一种新的分散剂—甲苯酰-聚乙烯亚胺的分子结构及工作原理,同时从吸附量、悬浮液黏度及Zeta电位三个方面与传统分散剂作了对比;最后,根据人们对团聚机理的认识及纳米碳化硅分散的研究现状,在未来的研究中不仅要侧重于纳米碳化硅性质、颗粒微观结构的研究,而且要注重纳米碳化硅的工业生产和制备以及分散剂的优化。

关键词：纳米碳化硅团聚分散剂 pH值黏度 Zeta电位

Exponential dependence of potential barrier height on biased voltages of inorganic/organic static induction transistor

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Journal of Semiconductors 2010年第4期31卷 20-24页

作者：张雍杨建红蔡雪原汪再兴 Institute of Microelectronics School of Physical Science and TechnologyLanzhou University School of Electronic and Information Engineering Lanzhou Jiaotong University

The exponential dependence of the potential barrier height Фc on the biased voltages of the inorganic/organic static induction transistor （SIT/OSIT） through a normalized approach in the low-current regime is presented. It shows a more accurate description than the linear expression of the potential barrier height. Through the verification of the numerical calculated and experimental results, the exponential dependence of Фc on the applied biases can be used to derive the I-V characteristics. For both SIT and OSIT, the calculated results, using the presented relationship, are agreeable with the experimental results. Compared to the previous linear relationship, the exponential description Of Фc can contribute effectively to reduce the error between the theoretical and experimental results of the I-V characteristics.

关键词： SIT OSIT potential barrier height normalized approach I-V characteristics

基于双层电子传输层钙钛矿太阳能电池的物理机制

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物理学报 2022年第20期71卷 363-370页

作者：周玚任信钢闫业强任昊杜红梅蔡雪原黄志祥安徽大学信息材料与智能感知安徽省实验室合肥230601 目标探测与特征提取安徽省重点实验室六安237000 安徽大学空间电磁环境安徽高校重点实验室合肥230601 成都运达科技股份有限公司成都611731 安庆师范大学电子工程与智能制造学院安庆246133

近年来基于钙钛矿材料的太阳能电池以其优异的光电转换效率,成为了最具有发展潜力的光伏器件.受制于制备工艺及界面传输层的材料,钙钛矿太阳能电池存在体内、界面缺陷和能级错位等问题,导致非辐射复合损耗增加,妨碍其效率进一步提升及... 详细信息

近年来基于钙钛矿材料的太阳能电池以其优异的光电转换效率,成为了最具有发展潜力的光伏器件.受制于制备工艺及界面传输层的材料,钙钛矿太阳能电池存在体内、界面缺陷和能级错位等问题,导致非辐射复合损耗增加,妨碍其效率进一步提升及工作稳定性.因此,降低能级错位及界面缺陷态等损耗对于实现高效钙钛矿太阳能电池至关重要.本文研究了钙钛矿太阳能电池中双层电子传输层及其阶梯状导带结构对器件性能的影响,揭示了活性层与传输层之间的导带偏移量对两者之间界面复合及性能提升的机理.另外,研究了体内与界面缺陷态密度对单层及双层电子传输层结构下电池性能的影响,发现在高缺陷态密度下,双层结构比单层结构具有更高的效率.研究表明双层电子传输层结构不仅能改善界面能级错位损耗,还可以降低电池性能受体内及界面缺陷影响,对制备高性能太阳能电池具有指导意义.

关键词：钙钛矿太阳能电池双层电子传输层界面复合缺陷态密度

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产品回收过程中最优路径的确定

华中理工大学学报 2000年第3期28卷 27-29页

作者：蔡雪原胡于进胡军军李成刚华中理工大学机械科学与工程学院

基于产品零部件之间的连接关系 ,建立了产品拆卸逻辑网络图表示模型 ,引入了实现最优拆卸的评价准则及相关的最大回收收益计算方法 ,提出了实现产品最大回收收益的最优拆卸路径生成算法。

关键词：产品回收层次分析最优路径拆卸模型报废产品

Threshold voltage adjustment of organic thin film transistor by introducing a polysilicon floating gate

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Journal of Semiconductors 2010年第3期31卷 50-53页

作者：吴承龙杨建红蔡雪原单晓锋 Institute of Microelectronics School of Physical Science and TechnologyLanzhou University

The structure of organic thin film transistors （OTFTs） is optimized by introducing a floating gate into the gate dielectric to reduce the threshold voltage of OTFTs. Then the optimized device is simulated, and the simulation results show that the threshold voltage of optimized device is reduced by about 10 V. The reduction of the threshold voltage is helpful and useful for the application of OTFTs in many areas. In addition, this way of reducing the threshold voltage of OTFT is compatible with traditional silicon technology and can be used in manufacturing.

关键词： pentacene OTFT device optimization Pool-Frenkel mobility simulation

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产品回收过程中最大收益的确定

机械科学与技术 2001年第1期20卷 80-83页

作者：蔡雪原胡于进胡军军李成刚华中科技大学机械学院CAD中心武汉430074

基于产品零部件之间的连接关系 ,建立了产品拆卸逻辑网络图表示模型 ,阐述了层次回收法的思想 ,针对拆卸多方案问题 ,提出了逆向切割算法和最优拆卸路径生成算法 ,并在此基础上讨论了产品最大回收收益的计算方法。最后以驱动桥为例 ,验... 详细信息

基于产品零部件之间的连接关系 ,建立了产品拆卸逻辑网络图表示模型 ,阐述了层次回收法的思想 ,针对拆卸多方案问题 ,提出了逆向切割算法和最优拆卸路径生成算法 ,并在此基础上讨论了产品最大回收收益的计算方法。最后以驱动桥为例 ,验证了本方法的正确性。

关键词：层次分析法逆向切割算法驱动桥最大收益产品回收产品拆卸

D-PSO算法的单变量测试参数集成电路筛选方法

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电子测量与仪器学报 2024年第6期38卷 25-33页

作者：詹文法余储贤胡心怡郑江云张庆平蔡雪原安庆师范大学电子工程与智能制造学院安庆246133 安庆师范大学计算机与信息学院安庆246133

针对集成电路尺寸缩小和复杂度提升导致的筛选成本提高问题,提出了一种针对单变量测试参数的集成电路筛选方法。具体先使用归并排序算法将参数值与集成电路编号拼接成数组,确保后续筛选的准确性,并按照参数值对数据进行排序。然后,利用K... 详细信息

针对集成电路尺寸缩小和复杂度提升导致的筛选成本提高问题,提出了一种针对单变量测试参数的集成电路筛选方法。具体先使用归并排序算法将参数值与集成电路编号拼接成数组,确保后续筛选的准确性,并按照参数值对数据进行排序。然后,利用K-means算法对测试数据的异常值进行预处理,对测试数据进行初步优化。最后,通过结合导数与粒子群优化算法创新性地提出了D-PSO算法,D-PSO算法增强了拐点位置定位的敏感性和准确性,能够精确地定位拐点,达到直接筛选出参数数据相近集成电路的目的。通过仿真实验的结果证明了该算法的收敛速度远高于其他算法,并能够准确、快速的筛选集成电路,在保持测试精度的同时,实现了测试集的优化和相似性筛选,有效降低了集成电路筛选成本。

关键词：芯片筛选 K-means算法 D-PSO算法拐点检测

非平衡格林函数法在纳米MOS器件分析中的应用

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非平衡格林函数法在纳米MOS器件分析中的应用