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负性光刻胶刻蚀工艺研究

光子学报 2003年第12期32卷 1422-1425页

作者：董小春杜春雷中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室四川成都610209

对负性光刻胶的蚀刻特性进行了详尽的数学阐述 ,推导出了光致抗蚀剂层的刻蚀速度同曝光量以及光刻材料吸收系数之间的微分关系以该微分方程为理论依据 ,通过对光刻显影过程进行模拟 ,得出了蚀刻最佳浮雕面形所需的光刻条件 ,并以“重... 详细信息

对负性光刻胶的蚀刻特性进行了详尽的数学阐述 ,推导出了光致抗蚀剂层的刻蚀速度同曝光量以及光刻材料吸收系数之间的微分关系以该微分方程为理论依据 ,通过对光刻显影过程进行模拟 ,得出了蚀刻最佳浮雕面形所需的光刻条件 ,并以“重铬酸盐—明胶”为光刻材料进行实验。

关键词：负性光刻胶面形控制明胶

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准分子激光刻蚀聚碳酸酯材料研究

光电工程 2004年第2期31卷 4-7页

作者：赵泽宇侯德胜董小春杜春雷中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室四川成都610209

准分子激光刻蚀聚合物一般认为是由于聚合物材料吸收光子能量而升温,同时分子链上的化学键也会因吸收光子能量而断裂。本文在讨论分析了准分子激光烧蚀聚合物机理的基础上,通过对不同能量密度情况下得到的不同烧蚀深度的实验结果进行... 详细信息

准分子激光刻蚀聚合物一般认为是由于聚合物材料吸收光子能量而升温,同时分子链上的化学键也会因吸收光子能量而断裂。本文在讨论分析了准分子激光烧蚀聚合物机理的基础上,通过对不同能量密度情况下得到的不同烧蚀深度的实验结果进行分析计算,得出聚碳酸酯(PC)材料对波长248nm激光的吸收系数为4.17×104cm-1,能量阈值为49.8 mJ/cm2。

关键词：准分子光刻聚碳酸酯激光烧蚀

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连续面形微光学元件的深刻蚀工艺

光电工程 2003年第3期30卷 13-16页

作者：唐雄贵杜春雷邱传凯董小春潘丽中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室四川成都610209

利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀技术,在石英上刻蚀深连续面形微光学元件。分析了影响深刻蚀工艺的烘焙条件、气体组分、自偏压和刻蚀温度等主要工艺参数,并对影响深刻蚀稳定性、均匀性、刻蚀污染与损伤等因素进行了探讨。通过实验,在石... 详细信息

利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀技术,在石英上刻蚀深连续面形微光学元件。分析了影响深刻蚀工艺的烘焙条件、气体组分、自偏压和刻蚀温度等主要工艺参数,并对影响深刻蚀稳定性、均匀性、刻蚀污染与损伤等因素进行了探讨。通过实验,在石英上制作出深达55微米的浮雕微柱透镜,其面形峰值误差小于3%。

关键词：微光学元件深刻蚀等高子刻蚀连续面形

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基于亚波长光学谐振腔的纳米聚焦器件

光电工程 2010年第4期37卷 147-150页

作者：赵同凯魏兴战董小春电子科技大学成都610054 中国科学院光电技术研究所成都610209

提出了一种基于亚波长金属光学谐振腔的纳米聚焦器件。通过利用亚波长金属结构激发表面等离子体波在谐振腔中发生干涉,形成驻波条纹,并被耦合进相邻的锥形微尖结构中,从而在锥形尖端进行聚焦,焦斑的尺寸达100nm。研究表明:通过改变亚波... 详细信息

提出了一种基于亚波长金属光学谐振腔的纳米聚焦器件。通过利用亚波长金属结构激发表面等离子体波在谐振腔中发生干涉,形成驻波条纹,并被耦合进相邻的锥形微尖结构中,从而在锥形尖端进行聚焦,焦斑的尺寸达100nm。研究表明:通过改变亚波长光学谐振腔的长度,可以对聚焦能量进行连续调制。利用电磁仿真软件FDTD进行了针对性仿真,描绘出该器件的强度分布图,揭示出其内在工作机理,并总结出能量聚焦的规律。

关键词：亚波长谐振腔表面等离子体纳米聚焦

“综合实践活动”辅助语文教学的途径研究——以宁城县黑里河镇中学为例

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“综合实践活动”辅助语文教学的途径研究——以宁城县黑里河镇中...

作者：董小春内蒙古师范大学

学位级别：硕士

本论文以宁城县黑里河镇中学语文综合实践活动的开展情况为研究对象,解决语文教学中遇到的问题,探索新的有利于提高语文教学效果的教学方法,通过“综合实践活动”辅助语文教学,探索语文教学方法的更新,教学理念的转变,在语文课堂教学中... 详细信息

本论文以宁城县黑里河镇中学语文综合实践活动的开展情况为研究对象,解决语文教学中遇到的问题,探索新的有利于提高语文教学效果的教学方法,通过“综合实践活动”辅助语文教学,探索语文教学方法的更新,教学理念的转变,在语文课堂教学中从“识字与写字”“阅读”“口语交际”“写作”几个模块入手开展语文综合实践活动,并根据区域特点开发适合我校语文教学的课程资源,丰富语文教学内容,提高学生的学习兴趣,进而提高学生的语文素养。在对黑里河镇中学“综合实践活动”在语文教学方面开展情况进行总结的基础上,探讨黑里河镇中学“综合实践活动”辅助语文教学的有效途径并在教学实践中加以验证,是本论文的基本写作思路。以此论文分为五部分。引言部分对论文的研究目的、意义,研究方法及国内外研究现状进行阐述。正文的第一部分阐述黑里河镇中学实施“综合实践活动”辅助语文教学的现状,并从实施过程中存在的主要问题及成效两方面进行论述。第二部分探讨黑里河镇中学“综合实践活动”辅助语文教学方面存在问题的原因:一是语文教学规律把握不够严谨;二是教师专业水平的限制;三是应试教育思想的影响;四是家庭教育的缺失。第三部分根据黑里河镇中学语文教学存在的实际问题,从“识字与写字”“阅读”“口语交际”“写作”几个模块入手,在全新的语文课程理念的指引下,更新教学方法,探索“综合实践活动”辅助语文教学的有效途径,实现全面提高学生语文素养的目标。第四部分从学生的学习兴趣,习惯养成及语文素养的提高几方面对“综合实践活动”辅助语文教学的途径进行有效性评估。希望通过自身的探索为黑里河镇中学语文教学现状的改变提供帮助,也为更多的语文教师提供借鉴。

关键词：综合实践活动中学语文教学语文素养

精确控制大数值孔径微透镜列阵面形的显影阈值方法

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光学学报 2004年第7期24卷 869-872页

作者：董小春杜春雷中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室成都610209

提出了一种可对大矢高、非球面微透镜阵列面形进行精确控制的新方法。针对不同面形的微透镜阵列 ,该方法首先对光致抗蚀剂表面的曝光分布进行设计 ,然后 ,利用光致抗蚀剂显影过程中的阈值特性 ,对微透镜的面形实行控制。当抗蚀剂显影速... 详细信息

提出了一种可对大矢高、非球面微透镜阵列面形进行精确控制的新方法。针对不同面形的微透镜阵列 ,该方法首先对光致抗蚀剂表面的曝光分布进行设计 ,然后 ,利用光致抗蚀剂显影过程中的阈值特性 ,对微透镜的面形实行控制。当抗蚀剂显影速率接近 0时 ,即可获得设计的微透镜面形。该方法不仅大大提高了微透镜阵列矢高的加工范围 ,而且还减小了光刻材料显影特性对微透镜面形的影响 ,提高了微透镜阵列的面形控制精度 ,在实验中获得了矢高达 114 μm的微透镜阵列。最终实现了大浮雕深度、大数值孔径、非球面微列阵光学元件的面形控制。

关键词：显影阈值正性光致抗蚀剂光刻模型面形控制

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光刻胶烘培特性研究

光电工程 2005年第3期32卷 17-19,24页

作者：李淑红杜春雷董小春中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室中国科学院研究生院北京100039

通过研究光刻胶厚度与烘培过程中光敏混合物(PAC)浓度分布的关系,对光刻胶前烘模型进行了修正,得出了光刻胶内 PAC 相对浓度与光刻胶厚度、烘培温度和烘培时间之间的函数关系。设计了求解光刻胶激活能 E0和 Arrhenius 系数 Ar的实验方案... 详细信息

通过研究光刻胶厚度与烘培过程中光敏混合物(PAC)浓度分布的关系,对光刻胶前烘模型进行了修正,得出了光刻胶内 PAC 相对浓度与光刻胶厚度、烘培温度和烘培时间之间的函数关系。设计了求解光刻胶激活能 E0和 Arrhenius 系数 Ar的实验方案,并以 AZ50XT 正型紫外光刻胶为例开展了实验研究。结果表明,对不同厚度的光刻胶,可以通过调整烘培温度或烘培时间达到所需要的 PAC 浓度。

关键词：微光学光刻胶前烘模型特性分析光敏混合物

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工件台移动直线性对掩模移动曝光的影响

光电工程 2007年第11期34卷 55-60页

作者：佟军民胡松董小春严伟余国彬中国科学院光电技术研究所中国科学院研究生院北京100039 河南许昌职业技术学院河南许昌461000

针对工件台制造和装配过程中产生的移动直线性误差,建立了掩模沿曲线移动时曝光量与曲线和移动距离之间关系的数学模型。通过对实测工件台移动直线性误差规律的分析,确定了近似的移动曲线函数。利用MATLAB进行数值模拟的方法,分别模拟... 详细信息

针对工件台制造和装配过程中产生的移动直线性误差,建立了掩模沿曲线移动时曝光量与曲线和移动距离之间关系的数学模型。通过对实测工件台移动直线性误差规律的分析,确定了近似的移动曲线函数。利用MATLAB进行数值模拟的方法,分别模拟了沿理想直线移动、不同幅值和不同移动距离的曲线移动时,所获得元件的面形,并分析了面形误差的影响因素和"竹节"误差产生的原因。最后得出结论:通过控制移动距离为一倍的掩模图形重复周期,并减小工件台移动直线性误差,对控制元件的面形精度和"竹节"误差最为有利。

关键词：掩模移动曝光技术曲线移动 “竹节”形误差面形精度

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微透镜列阵成像光刻技术

红外与激光工程 2010年第3期39卷 469-472页

作者：张为国董小春杜春雷中国科学院光电技术研究所四川成都610209

介绍了一种利用微透镜列阵投影成像光刻的周期微纳结构加工方法。该方法采用商业打印机在透明薄膜上打印的毫米至厘米尺寸图形为掩模,以光刻胶作为记录介质,以微透镜列阵为投影物镜将掩模缩小数千倍成像在光刻胶上,曝光显影后便可制备... 详细信息

介绍了一种利用微透镜列阵投影成像光刻的周期微纳结构加工方法。该方法采用商业打印机在透明薄膜上打印的毫米至厘米尺寸图形为掩模,以光刻胶作为记录介质,以微透镜列阵为投影物镜将掩模缩小数千倍成像在光刻胶上,曝光显影后便可制备出微米、亚微米特征尺寸的周期结构列阵。基于该方法建立了微透镜列阵成像光刻系统,并以制备800nm线宽、50mm×50mm面积的图形列阵为例,实现了目标图形的光刻成形,曝光时间仅为几十秒,图形边沿粗糙度低于100nm。该方法系统结构简单、掩模制备简易、曝光时间短;为周期微纳结构的低成本、高效率制备提供了有效途径。

关键词：微纳光学成像光刻微透镜列阵微纳结构