检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

耐擦写能力测试评估中的样本数选取方法

半导体技术 2009年第11期34卷 1114-1117页

作者：简维廷张启华中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海201203

介绍了非挥发性记忆体产品在进行耐擦写能力测试评估时如何合理地选取样本数的方法。在集成电路的可靠性测试中,样本数通常被理解为样品数,即芯片的颗数。对样本数进行了新的定义,将样本数定义为"芯片颗数×扇区数"。这种定义吻合产品... 详细信息

介绍了非挥发性记忆体产品在进行耐擦写能力测试评估时如何合理地选取样本数的方法。在集成电路的可靠性测试中,样本数通常被理解为样品数,即芯片的颗数。对样本数进行了新的定义,将样本数定义为"芯片颗数×扇区数"。这种定义吻合产品可靠性测试对样本的基本定义,可以适用于所有的集成电路可靠性测试,尤其适用于非挥发性记忆体的耐擦写能力测试评估。为了保证相同的测试信心度,考虑到在耐擦写能力测试中周边电路对耐擦写能力测试结果的影响,依照对样本数新的定义,在进行样本数等值选取计算的时候,引入了一个全新的补偿因子f,并且给出了样本数等值计算的公式。实验结果表明,在引入补偿因子f后,样本数等值计算结果更加可靠。

关键词：非挥发性记忆体耐擦写能力测试可靠性风险评估样本数

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

栅氧化层经时击穿物理模型应用分析

半导体技术 2010年第2期35卷 154-158页

作者：简维廷赵永张荣哲中芯国际集成电路制造有限公司上海201203

讨论了栅氧化层击穿的统计模型,并对业界广泛应用的1/E模型、E模型以及幂指数模型中栅氧化层击穿的物理机理进行了仔细研究,指出了各个模型应用的局限性,结合实验数据分析,明确给出了各个模型的应用范围。详细讨论了电场加速因子与激活... 详细信息

讨论了栅氧化层击穿的统计模型,并对业界广泛应用的1/E模型、E模型以及幂指数模型中栅氧化层击穿的物理机理进行了仔细研究,指出了各个模型应用的局限性,结合实验数据分析,明确给出了各个模型的应用范围。详细讨论了电场加速因子与激活能在三个模型中的不同物理含义,总结了电场加速因子、激活能随着栅氧化层厚度变化的发展趋势以及所对应的击穿机理,据此提出了通过激活能与电场加速因子选择和验证所用加速模型是否合理的方法。此方法为判断测试条件是否合理,分析测试结果的内在含义提供了更直接、有用的参考信息。

关键词：栅氧化层经时击穿激活能电场加速因子 1/E模型幂指数模型

TEM样品制备辅助研究介质层可靠性失效机理

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 2009年第5期34卷 498-501页

作者：李明段淑卿郭强简维廷中芯国际集成电路制造上海有限公司上海201203

研究了TEM样品制备条件对Cu/低k制程ILDTDDB失效样品及含更低介电常数(k=2.7)介质层样品的TEM成像质量的影响,发现在一定的样品制备条件下低介电常数介质的疏松特性可在TEM成像时得到增强显示,进而揭示了某Cu/低k制程ILDTDDB可靠性失效... 详细信息

研究了TEM样品制备条件对Cu/低k制程ILDTDDB失效样品及含更低介电常数(k=2.7)介质层样品的TEM成像质量的影响,发现在一定的样品制备条件下低介电常数介质的疏松特性可在TEM成像时得到增强显示,进而揭示了某Cu/低k制程ILDTDDB可靠性失效样品的失效机理为芯片制造过程中介质层沉积温度异常导致其疏松特性增强,介电常数降低,从而导致其电绝缘性能下降而引起TDDB可靠性测试项目失效。

关键词：透射电子显微镜样品制备低介电常数材料介质层TDDB可靠性测试

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电迁移加速测试模型参数分析及其趋势研究

半导体技术 2009年第11期34卷 1110-1113页

作者：简维廷赵永张荣哲中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海201203

对电迁移加速测试模型Black方程中参数的内在物理含义进行了研究,指出参数数值本身代表着电迁移的不同失效机理;对其在不同技术节点的数据进行了系统总结,给出了加速参数随着技术发展的变化趋势与合理范围,可以利用加速参数对工艺中的... 详细信息

对电迁移加速测试模型Black方程中参数的内在物理含义进行了研究,指出参数数值本身代表着电迁移的不同失效机理;对其在不同技术节点的数据进行了系统总结,给出了加速参数随着技术发展的变化趋势与合理范围,可以利用加速参数对工艺中的问题提供改进方向,为判断测试结果,测试条件和测试结构是否合理提供了参考基准;讨论了威布尔分布在电迁移测试中应用的可行性与优点,威布尔分布的形状参数为判断测试结果是否合理提供了更直接、有用的参考信息。

关键词：电迁移 Black方程激活能对数正态分布威布尔分布

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

产品ESD快速低成本测试方法

半导体技术 2009年第12期34卷 1216-1219页

作者：冯军宏简维廷张荣哲中芯国际上海201203

静电防护(ESD)测试是半导体集成电路可靠性的重要项目,存在ESD问题会对产品的可靠性造成致命的影响。而由于目前产品的ESD测试,必须经过成品封装后才能进行,这样就无法快速进行产品的ESD认证和评估。介绍了ESD测试中如何利用陶瓷双列直... 详细信息

静电防护(ESD)测试是半导体集成电路可靠性的重要项目,存在ESD问题会对产品的可靠性造成致命的影响。而由于目前产品的ESD测试,必须经过成品封装后才能进行,这样就无法快速进行产品的ESD认证和评估。介绍了ESD测试中如何利用陶瓷双列直插式封装(ceramic DIP或SB)来快速实现产品的ESD测试。对于一些多管脚芯片产品,举例说明了一种共地连接、分组测试的方法,克服了该封装有管脚数量限制的局限性。该方法简单、低成本、并且可以快速完成。可以极大地减少相对于传统ESD评估或认证的时间和成本,随之也大大缩短了产品的研发认证周期。

关键词：静电防护共地连接分组测试双列直插陶瓷封装

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

大规模集成电路制造洁净厂房消防设计

消防科学与技术 2015年第4期34卷 474-478页

作者：李三良蔡娜简维廷中芯国际集成电路制造有限公司上海201203

从近年大规模集成电路制造洁净厂房消防设计案例及日常运行的实际经验出发,结合国内相关标准及国际标准的相关规定,对大规模集成电路制造洁净厂房消防设计中的一些要点进行了探讨,并给出相应的建议性设计方式及依据,包括火灾危险性等级... 详细信息

从近年大规模集成电路制造洁净厂房消防设计案例及日常运行的实际经验出发,结合国内相关标准及国际标准的相关规定,对大规模集成电路制造洁净厂房消防设计中的一些要点进行了探讨,并给出相应的建议性设计方式及依据,包括火灾危险性等级、耐火等级及防火分区的确定,火灾自动报警系统、自动灭火系统、机械排烟系统及其他需特殊设备设施消防保护等的设计要求及需特别注意的要点。

关键词：消防设计集成电路制造洁净厂房耐火极限吸气式感烟系统

非挥发性记忆体Read Disturb测试方法的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 2010年第5期35卷 507-510页

作者：张启华简维廷丁育林中芯国际集成电路制造有限公司上海201203

DDF是一种高容量的NAND Flash。以DDF产品为例,研究和讨论了它的Read Disturb测试方法。受测试时间的限制,只能选择局部的存储区间进行DDF的Read Disturb测试。这样局部区间的测试结果是否能够代表整个芯片的性能,设计了一套实验,对这... 详细信息

DDF是一种高容量的NAND Flash。以DDF产品为例,研究和讨论了它的Read Disturb测试方法。受测试时间的限制,只能选择局部的存储区间进行DDF的Read Disturb测试。这样局部区间的测试结果是否能够代表整个芯片的性能,设计了一套实验,对这个课题进行了研究和讨论。依据非挥发性记忆体产品的特性,主要以阈值电压的分布为参考来评价DDF芯片性能的一致性和性能恶化趋势的一致度。最后的实验结果证明了这种测试方法的正确性和合理性。这种分析方法也可以用于其他非挥发性记忆体产品的其他可靠性测试项目的评估。

关键词：非挥发性记忆体可靠性测试读取扰动阈值电压分布

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

集成电路制程可靠性介绍(一)

集成电路应用 2009年第1期26卷 51-52页

作者：郭强简维廷黄宏嘉中芯国际

集成电路制程可靠性是通过特殊设计的电子器件结构来研究集成电路制程工艺相关的可靠性失效模式的物理模型、寿命评估方法，并针对主要失效机理提出对策措施、消除制程开发和生产阶段中的可靠性问题，从而保证集成电路在特定使用年限内... 详细信息

集成电路制程可靠性是通过特殊设计的电子器件结构来研究集成电路制程工艺相关的可靠性失效模式的物理模型、寿命评估方法，并针对主要失效机理提出对策措施、消除制程开发和生产阶段中的可靠性问题，从而保证集成电路在特定使用年限内的可靠性。表1从可靠性观点的角度，列出了和关键模块相关的失效模式。本文将对这些失效模式的物理图像、模型及重要现象作一简单介绍。

关键词：可靠性问题集成电路制程工艺失效模式物理模型器件结构特殊设计评估方法

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

集成电路制程可靠性介绍(二)

集成电路应用 2009年第3期26卷 47-48页

作者：郭强简维廷黄宏嘉中芯国际

在1／2月刊《集成电路制程可靠性介绍（一）》中，我们介绍了HCI、NBTI和TDDB三种主要的失效模式，本文将继续简单介绍其他几种失效模式的物理图像、模型及重要现象。

关键词：集成电路可靠性制程失效模式 TDDB NBTI 物理图像 HCI