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金刚石多晶薄膜场致发射的初步研究

金刚石多晶薄膜场致发射的初步研究

A STUDY OF MULTI-ENERGY ION IMPLANTATION

中国电子学会真空电子学分会第十届年会

作者：何国鸿陈抗生毛敏跃王渭源浙江大学信息与电子工程学系中科院上海冶金所传感技术国家重点实验室

一、引言最近的研究表明,(111)晶向的金刚石具有负的电子亲合势。这一特性可使得金刚石,尤其是N型金刚石,在极低的电场强度下(小于1伏/微米)就能获得电子发射;而一般逸出功为4.5eV的金属要得到场发射,表面场强至少要求达到1000伏/微米... 详细信息

一、引言最近的研究表明,(111)晶向的金刚石具有负的电子亲合势。这一特性可使得金刚石,尤其是N型金刚石,在极低的电场强度下(小于1伏/微米)就能获得电子发射;而一般逸出功为4.5eV的金属要得到场发射,表面场强至少要求达到1000伏/微米。因此,金刚石有可能成为一种性能很好的冷阴极材料。我们用微波低压气相沉积方法在硅衬底上生长出多晶金刚石薄膜,对其进行了场发射电学性能测量,得到与***等人的实验相近的结果。我们

关键词：场致发射金刚石多晶体薄膜多晶金刚石薄膜

来源： cnki会议评论

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Journal of Electronics(China) 1987年第1期4卷 39-45页

作者：王德宁王渭源 Shanghai Institute of Metallurgy Academia Sinica Shanghai Institute of Metallurgy Academia Sinica

A new calculation method of multi-energy ion implantation, i.e 'equivalent area method', has beenstudied. An arbitrary density conceutration or energy profile can be achieved, according to requirements ofthe device, by this method. It providea the basis of fabricating thin-film flat impurity profile devices. By use of this method, the Si-RAPD device with rectangular impurity profile, the Si-RAPD device witha particular low-high-low structure and the GaAs MESFET or IMPATT device with 'horse head' typestructure are designed and calculated. All results are satisfactary and the design of the new type device can bepredicted by this method. The calculated results in this paper are well in agreement with the experimentalvalues in literature.

关键词： Pro A STUDY OF MULTI-ENERGY ION IMPLANTATION GaAs high RAPD exp ATT very

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微机械电容式加速度计的开环工作模式

功能材料与器件学报 1999年第4期5卷 281-287页

作者：李宝清陆德仁王渭源中国科学院上海冶金研究所传感技术国家重点实验室上海200050

在微机械电容式加速度计中利用静电力反馈使加速度计处于闭环力平衡模式工作，能提高加速度计的线性度。本文阐述了静电力在开环工作模式中的作用，导出了相关的灵敏度公式，报导了实验结果和成功地将原闭环工作的±１ｇ量程加速度计... 详细信息

在微机械电容式加速度计中利用静电力反馈使加速度计处于闭环力平衡模式工作，能提高加速度计的线性度。本文阐述了静电力在开环工作模式中的作用，导出了相关的灵敏度公式，报导了实验结果和成功地将原闭环工作的±１ｇ量程加速度计直接变为低量程的微机械电容式加速度计的实例，其量程为±０．０１ｇ，线性度优于０－２％。

关键词：微机械加速度计开环工作模式电容式

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正偏离Bragg定律的二元化合物靶中离子射程参数研究

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物理学报 1983年第7期 925-932页

作者：王德宁王渭源中国科学院上海冶金研究所

研究了正偏离Bragg定律,即计算Se（E）值高于实测Se（E）的二元系化合物靶的离子射程特性。文中应用“regular”观点引入了“双原子模型”,在二元化合物靶的射程计算中,不仅考虑相同“原子对”对离子的阻止本领S11（E）,S22（E）,而且... 详细信息

研究了正偏离Bragg定律,即计算Se（E）值高于实测Se（E）的二元系化合物靶的离子射程特性。文中应用“regular”观点引入了“双原子模型”,在二元化合物靶的射程计算中,不仅考虑相同“原子对”对离子的阻止本领S11（E）,S22（E）,而且考虑不同“原子对”对离子的阻止本领S12（E）,S21（E）。文中还应用Berthelot关系,使S12（E）=S21（E）=(S11（E）·S22（E）)1/2,则二元系靶的阻止本领及总的射程为 NS（E）=1/2[(N1S11（E）)1/2+(N2S22（E）1/2)]2,R=4/a[x-A1(arctg（2x+f）/△1/2-arctg(f/△1/2))-B1（ln（x+g）2/g2·e/（x2+fx+e）） -b/2ln（x2+fx+e/e）。这里X=E1/2,E为离子注入能量,所有其它常数是与离子和靶的质量、原子序数有关的常数。结合文献[1]提出的R与Rp,Rp与△Rp的关系式,可计算得正偏离系统的投影射程Rp及其偏差量△Rp。并对各关系式的物理意义作了阐明。

关键词：几何平均值二元化合物正偏离 Bragg 阻止本领中离子参数研究

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HIGFET器件的静态特性研究(英文)

固体电子学研究与进展 1989年第4期 478-478页

作者：王德宁顾聪王渭源中国科学院上海冶金研究所

In this paper, the 2DEG (or 2DHG) density-electric field expression is introduced based on the analysis in energy-band diagram of HIGFETs and the triangular well approximation. In combinating GSW velocity field equation, the analytic formulas of the static characteristics, such as ID-VD, IDS-VDS, gm.,gD, CG and fT are obtained for n- of p- channel HIGFETs at low field region. In the meantime, using the effective variable channel length model, the analytic formulas of the static characteristicc at high field region are also achieved. According to these formulas, the effect of the device structure parameters (such as channel length, etc.) or device electric parameters( such as drain or source resistance, etc.) on the static characteristics can be easily found. And the optimum simulation of device is able to be carried out, which will effectively promote the development of the device manufacture. The theoretical calculated results are in good agreement with the experimental data published in literatures.

关键词：静态特性 HIGFET

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微系统技术

科学中国人 2003年第9期 26-27页

作者：封松林王渭源王跃林祝向荣中科院上海微系统与信息技术研究所

微系统(Micro System)也称微机电系统(MEMS)或微机械加工(Micro Mechining)是指集成了微电子和微机械的系统，或除此外还将微光学，化学、生物等其他微元件集成在一起的系统(集成微光机电生化系统)。微系统不用传统的加工方式制造，而... 详细信息

微系统(Micro System)也称微机电系统(MEMS)或微机械加工(Micro Mechining)是指集成了微电子和微机械的系统，或除此外还将微光学，化学、生物等其他微元件集成在一起的系统(集成微光机电生化系统)。微系统不用传统的加工方式制造，而是以批量化的微电子制造技术为基础，加上特有的三维加工技术，并与IC集成在一起，组成一个可以完成信息获取、处理及执行功能的完整信息系统。这一思想无论是科学意义还是经济效益都是重大的。微系统技术的发展为解决未来信息系统的微型化问题提供了一条有效途径。

关键词：微系统技术微机电系统(MEMS) 电子制造技术信息系统微机械加工生化系统加工方式加工技术信息获取经济效益科学意义集成微电子微光学光机电微型化元件量化 IC

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***中高能Mg~+单注入和高能Mg~+、低能Si~+双注入的特性及应用

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真空科学与技术学报 1987年第5期 307-311页

作者：欧海疆蒋新元赵崎华王渭源中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室

本工作测量了S. I. GaAs中高能Mg+注入和高能Mg~+、低能Si~+双注入退火后的特性。实验表明,在双注入的情况下,由注入Si+形成的有源层,其电子浓度分布受高能注入Mg~+隐埋层调节;利用Mg隐埋层,消除了Si~+注入退火后的载流子分布尾,从而制... 详细信息

本工作测量了S. I. GaAs中高能Mg+注入和高能Mg~+、低能Si~+双注入退火后的特性。实验表明,在双注入的情况下,由注入Si+形成的有源层,其电子浓度分布受高能注入Mg~+隐埋层调节;利用Mg隐埋层,消除了Si~+注入退火后的载流子分布尾,从而制得了跨导较高的GaAs MESFET,并改善了阈值电压均匀性。

关键词：双注入埋层 S.I.GaAs Mg MESFET Si

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反应离子深刻蚀(RIE)技术的研究

传感器世界 1996年第5期2卷 31-35页

作者：孙承龙戈肖鸿王渭源姜建东中国科学院上海冶金研究所复旦大学

本文概述了微机械的发展前景和反应离子刻蚀技术在微机械研究中的应用.采用NF_3T SF_6/CCI_2F_2混合气体,在平板型反应离子刻蚀仪上,对硅进行了反应离子深刻蚀的研究,获得了一批经验数据.研制出了直径500μm,厚度为24.7μm的微型硅齿轮... 详细信息

本文概述了微机械的发展前景和反应离子刻蚀技术在微机械研究中的应用.采用NF_3T SF_6/CCI_2F_2混合气体,在平板型反应离子刻蚀仪上,对硅进行了反应离子深刻蚀的研究,获得了一批经验数据.研制出了直径500μm,厚度为24.7μm的微型硅齿轮,刻蚀出厚度为50μm,侧向腐蚀为2μm的硅微细圆形.

关键词：反应离子深刻蚀微机械硅蚀刻微型机器人

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GaAs中S2+分子离子注入（英文）

固体电子学研究与进展 1989年第4期 444-444页

作者：范伟东,王渭源中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海冶金研究所

Molecular ion S2+ implantation into GaAs has been investigated to form very thin active layers. After implantation, the transient annealing(TA) and furnace annealing (FA) were used. The measurements of activation efficiency, mobility, carrier concentration profiles were carried out. The experiments show that after TA, the activation efficiency, mobility and carrier distribution are almost the same between S+ and S2+ implanted samples with an implantation energy of 50keV and 100keV,adose of 3×1013 cm-2 and 1.5×1013cm-2 *** shows that the damage of S2+-implan-ted samples can be removed by TA, and a very thin active layer can be formed by the implantation of S2+ at 50keV.

关键词：离子注入 S2