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Au/p-CdZnTe欧姆接触的电学测量及界面特性分析

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功能材料 2008年第6期39卷 1050-1051,1055页

作者：张连东聂中明傅莉查钢强介万奇西北工业大学材料学院陕西西安710072

采用化学镀金法在高阻p-CZT(CdZnTe)晶片表面制备Au电极,并用改进的圆环传输线模型(Ring-CTLM)测量了CZT电极的接触电阻,探讨了大气气氛下退火温度对CZT电极欧姆特性的影响。实验结果表明,200℃退火可以显著改善欧姆特性,使接触电阻率c... 详细信息

采用化学镀金法在高阻p-CZT(CdZnTe)晶片表面制备Au电极,并用改进的圆环传输线模型(Ring-CTLM)测量了CZT电极的接触电阻,探讨了大气气氛下退火温度对CZT电极欧姆特性的影响。实验结果表明,200℃退火可以显著改善欧姆特性,使接触电阻率cρ显著减小,采用Ring-CTLM模型测得CZT与金电极接触电阻率为0.1524Ω.cm2。通过XPS分析了CZT与Au电极接触界面的成分,发现在Au/p-CdZnTe界面处形成了CdTeO3层,该界面层可起到载流子复合中心的作用,构建的新模型很好地解释了化学镀金法在p-CdZnTe晶片表面形成欧姆接触的机理。

关键词： CdZnTe晶片化学镀金接触电阻率测量 CdTeO3界面层

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探测器级CdZnTe晶体变温特性研究

功能材料 2011年第3期42卷 441-443,447页

作者：徐亚东何亦辉王涛查钢强傅莉介万奇西北工业大学凝固技术国家重点实验室陕西西安710072

采用未经准直能量为5.48MeV的241 Amα粒子,研究了温度在230～300K范围内,不同电场作用下CdZnTe晶体的脉冲响应信号,分析了载流子传输特性随温度变化的规律。对比了室温(298K)以及280K下探测器对241 Am@59.5keVγ射线的响应光谱。同时... 详细信息

采用未经准直能量为5.48MeV的241 Amα粒子,研究了温度在230～300K范围内,不同电场作用下CdZnTe晶体的脉冲响应信号,分析了载流子传输特性随温度变化的规律。对比了室温(298K)以及280K下探测器对241 Am@59.5keVγ射线的响应光谱。同时分析了1500V/cm电场作用下探测器漏电流随温度的变化规律。研究表明,对于性能优异的CdZnTe晶体,载流子迁移率寿命积随温度变化较小。而对于存在de-trapping(去俘获)缺陷的CdZnTe样品,光生载流子在晶体中的传输会显著减缓,且随温度的降低,其对脉冲波形的影响加剧。而温度降低可以减少提高探测器的能量分辨率。

关键词： CdZnTe α粒子脉冲响应光谱载流子传输漏电流

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pH值对CBD-CdS薄膜性能的影响

功能材料 2009年第2期40卷 197-200页

作者：崔岩介万奇高俊宁查钢强何鉴波西北工业大学材料学院陕西西安710072

重点考察了化学水浴沉积法（CBD）制备CdS多晶薄膜时pH值对薄膜质量的影响规律。分别采用SEM、XRD、UV光谱仪和台阶仪研究了薄膜的表面形貌、晶体结构、透过率和厚度特征。研究表明，当PH值在8．43～10．09间变化时，薄膜为立方晶型，随... 详细信息

重点考察了化学水浴沉积法（CBD）制备CdS多晶薄膜时pH值对薄膜质量的影响规律。分别采用SEM、XRD、UV光谱仪和台阶仪研究了薄膜的表面形貌、晶体结构、透过率和厚度特征。研究表明，当PH值在8．43～10．09间变化时，薄膜为立方晶型，随着PH值的降低，晶粒出现择优生长，薄膜透过率逐渐升高，吸收边蓝移，禁带宽度增大。当pH值为8．43时得到的薄膜光学禁带宽度为2．44eV，接近其本征值。

关键词： CdS薄膜化学水浴沉积(CBD) 太阳能电池

温度对碲锌镉光子计数探测器计数性能的影响及机理研究

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红外与激光工程 2019年第10期48卷 240-245页

作者：李颖锐吴森郭玉席守智符旭查钢强介万奇西北工业大学凝固技术国家重点实验室辐射探测材料与器件工信部重点实验室陕西西安710071 陕西迪泰克新材料有限公司陕西西安710071

基于线阵光子计数探测器模块,实现了碲锌镉探测器的光子计数应用。研究了大剂量X射线下碲锌镉探测器的计数性能,发现碲锌镉光子计数探测器根据其典型计数性能可分为两类:C1,C2。分析了这两类典型的光子计数探测器的计数性能与X射线能谱... 详细信息

基于线阵光子计数探测器模块,实现了碲锌镉探测器的光子计数应用。研究了大剂量X射线下碲锌镉探测器的计数性能,发现碲锌镉光子计数探测器根据其典型计数性能可分为两类:C1,C2。分析了这两类典型的光子计数探测器的计数性能与X射线能谱响应特性、前放脉冲信号上升时间以及碲锌镉探测器缺陷水平的内在联系,在此基础上研究了温度对C2类碲锌镉光子计数探测器计数性能的影响规律,升高温度可以抑制探测器的极化失效,提高计数率,且当温度升高至33℃时,探测器计数性能可得到显著改善。最后利用线阵光子计数探测器模块,获得了不同温度下C2类碲锌镉光子计数探测器的多能区成像结果,升高温度可以显著增加其图像衬度,提高成像质量。该研究为通过控制外部条件提高碲锌镉光子计数探测器性能提供了有效手段。

关键词：碲锌镉光子计数极化效应温度多能区成像

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CdZnTe像素探测器的制备与表征

原子能科学技术 2015年第7期49卷 1320-1324页

作者：王闯查钢强齐阳郭榕榕王光祺介万奇西北工业大学凝固技术国家重点实验室陕西西安710072 陕西迪泰克新材料有限公司陕西西安710072

本文采用CdZnTe单晶制成像素探测器,并对其能谱响应特性及均匀性进行了系统表征。通过I-V和能谱响应测试,测定了晶体的电阻率和载流子迁移率与寿命的积,并用红外透过显微成像观察了晶体内Te夹杂的分布特性。采用光刻、剥离和真空蒸镀技... 详细信息

本文采用CdZnTe单晶制成像素探测器,并对其能谱响应特性及均匀性进行了系统表征。通过I-V和能谱响应测试,测定了晶体的电阻率和载流子迁移率与寿命的积,并用红外透过显微成像观察了晶体内Te夹杂的分布特性。采用光刻、剥离和真空蒸镀技术,在CdZnTe晶片上制备了8×8的像素电极,用丝网印刷和贴片技术通过导电银胶实现像素电极与读出电路的准确连接,制备出CdZnTe像素探测器。对像素探测器的测试表明,-300V下单像素最大漏电流小于0.7nA,对241 Am 59.5keV的能量分辨率可达5.6%,优于平面探测器。进一步分析了晶体内Te夹杂等缺陷对探测器漏电流和能谱响应特性的影响规律,结果表明,Te夹杂的聚集会显著增加漏电流,并降低探测器的能量分辨率。

关键词： CdZnTe 像素探测器能量分辨率

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CdZnTe平面核辐射探测器研究

人工晶体学报 2009年第3期38卷 620-624页

作者：于晖介万奇查钢强杜园园王涛徐亚东西北工业大材料学院西安710072

采用垂直Bridgman方法生长的CdZnTe晶体,定向切割成12 mm×7 mm×2.5 mm单晶片。通过研磨、抛光、腐蚀、电极制备、钝化、退火等一系列工艺,制成了Au/CdZnTe/Al平面探测器。重点研究了快速退火对电极接触特性的影响。测试了Au/CdZnTe/A... 详细信息

采用垂直Bridgman方法生长的CdZnTe晶体,定向切割成12 mm×7 mm×2.5 mm单晶片。通过研磨、抛光、腐蚀、电极制备、钝化、退火等一系列工艺,制成了Au/CdZnTe/Al平面探测器。重点研究了快速退火对电极接触特性的影响。测试了Au/CdZnTe/Al平面探测器的能谱响应特性。结果表明:在室温偏压为350 V条件下,探测器的241Am 59.54 keV光谱能量分辨为3.95%(2.35 keV FWHM)。

关键词： CdZnTe 平面探测器快速退火能量分辨率

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钛合金球化行为及球化动力学的研究进展

热加工工艺 2018年第8期47卷 24-28页

作者：王蕊宁孙润军查钢强西安工程大学纺织与材料学院陕西西安710048 西北工业大学材料科学与工程学院陕西西安710072

球化是促使钛合金晶粒细化最有效直接的作用机制,钛合金动态球化和静态球化行为的研究对高性能细晶钛合金产品的制备有重要的意义。文中综述了钛合金的球化行为、球化机制及其球化动力学的研究现状,分析了钛合金球化研究目前存在的问题... 详细信息

球化是促使钛合金晶粒细化最有效直接的作用机制,钛合金动态球化和静态球化行为的研究对高性能细晶钛合金产品的制备有重要的意义。文中综述了钛合金的球化行为、球化机制及其球化动力学的研究现状,分析了钛合金球化研究目前存在的问题,并结合国内外研究现状,对下一步钛合金晶粒细化研究的趋势及亟需解决的问题提出了思考。

关键词：球化行为球化动力学钛合金

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退火处理对CdZnTe晶体光电性能的影响

人工晶体学报 2014年第2期43卷 269-274页

作者：何亦辉介万奇周岩刘惠敏徐亚东王涛查钢强西北工业大学凝固技术国家重点实验室西安710072

研究了生长态CdZnTe晶体在经历了不同温度和时间的Cd／Zn和Te气氛退火后，其光电性能的变化规律。研究表明，在Cd／Zn气氛下退火180h后，CdznTe晶体中直径在5μm以上的Te夹杂的密度减小了1个数量级，晶体的体电阻率由10^10Ω·cm减小至... 详细信息

研究了生长态CdZnTe晶体在经历了不同温度和时间的Cd／Zn和Te气氛退火后，其光电性能的变化规律。研究表明，在Cd／Zn气氛下退火180h后，CdznTe晶体中直径在5μm以上的Te夹杂的密度减小了1个数量级，晶体的体电阻率由10^10Ω·cm减小至～10^7Ω·cm。同时发现，Cd／Zn源区的温度决定了退火后晶体在500～4000cm^-1范围内红外透过率曲线的平直状态，这可能与晶体中的Cd间隙缺陷浓度相关，而与晶体中的载流子浓度和夹杂／沉淀相状态无关。在Te气氛下退火时，发现晶体的红外透过率的平直状态与晶体电阻率的对数lg（p）呈近似线性关系，同样可归因于退火过程中Cd间隙缺陷的浓度变化。

关键词： CdZnTe晶体红外透过率 Cd间隙退火

Au/p-CZT晶体的光致发光以及电学性能研究

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人工晶体学报 2006年第3期35卷 669-672,659页

作者：李强介万奇傅莉汪晓芹查钢强曾冬梅杨戈西北工业大学材料学院西安710072

对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱,结果表明NH4F/H2O2作为CZT晶体表面钝化剂,钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度,同时减小了与Cd空位复合有关的深能级杂质浓度。用Agilent 4339B高阻仪进行CZT晶片I-V特性测试以及Agile... 详细信息

对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱,结果表明NH4F/H2O2作为CZT晶体表面钝化剂,钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度,同时减小了与Cd空位复合有关的深能级杂质浓度。用Agilent 4339B高阻仪进行CZT晶片I-V特性测试以及Agilent 4294A高精度阻抗分析仪进行CZT晶片的C-V特性测试,结果表明钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,减小了漏电流。主要原因是在CZT表面钝化生成的TeO2氧化层增加接触势垒高度,并减小了电荷因隧道效应而穿过氧化层的几率。

关键词： CZT晶体 PL谱 I-V特性 C-V特性