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A住宅小区物业管理顾客满意度研究

A住宅小区物业管理顾客满意度研究

作者：李凤岩东北大学

学位级别：硕士

近年来,随着物业管理行业迅猛发展,随之出现了小区顾客对物业管理不满意,物业纠纷时有发生的问题。住宅小区的物业管理逐渐成为了影响居民居住质量的重要组成部分。基于此,如何科学地测评和分析住宅小区物业管理顾客满意度,帮助物业管... 详细信息

近年来,随着物业管理行业迅猛发展,随之出现了小区顾客对物业管理不满意,物业纠纷时有发生的问题。住宅小区的物业管理逐渐成为了影响居民居住质量的重要组成部分。基于此,如何科学地测评和分析住宅小区物业管理顾客满意度,帮助物业管理企业改进服务质量,切实提高顾客满意程度,增强企业竞争能力,已成为物业服务企业亟待解决的课题。本文以典型住宅物业开发商开发小区即A住宅小区为研究对象,主要从物业管理公司的角度出发,在研究了国内外有关物业管理顾客满意度的研究成果之后,以"物业管理" "顾客满意度"为核心概念,首次以A住宅小区不同特征的顾客满意度研究为切入点,以物业管理和顾客满意度理论为基础,通过文献分析和问卷调研法,针对A住宅小区不同特征的顾客对物业管理的满意度展开研究。首先,统计分析A住宅小区物业管理的顾客满意度;其次,分析不同特征总体的差异、各因素对顾客满意度与忠诚度相关性;然后,设计和实施A住宅小区物业管理顾客满意度研究方案。在充分了解A住宅小区的情况下,设计A住宅小区不同特征顾客对物业管理满意度的问卷,发放和回收问卷;最后依据上述研究提出改进A住宅小区物业管理提高不同特征顾客满意度的解决对策。该研究兼顾A住宅小区物业管理的不同特征顾客满意度,较好地解决了顾客满意度忽略不同群体所产生的差异问题。该研究不但可以进一步丰富物业管理理论,而且还可以将顾客满意度理论与物业管理理论有机的结合起来,提升A住宅小区的整体物业管理水平的同时,提高顾客满意度。通过A住宅小区物业管理顾客满意度的研究,进一步提升B集团沈阳公司18个住宅小区物业服务质量和顾客满意度,同时,为B集团实现全国布局,跨越式发展提供有力补充,进而为促进沈阳物业管理行业发展提供参考。

关键词：物业管理顾客满意度住宅小区

掺Na制备柔性聚酰亚胺衬底CIGS薄膜太阳电池

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光电子．激光 2010年第2期21卷 222-226页

作者：姜伟龙张力何青刘玮于涛逢金波李凤岩李长健孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津30007D

研究了Na掺入对低温沉积柔性聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的结构和电学特性影响。研究结果表明:Na元素的掺入使Ga元素的扩散受到了阻滞,但对CIGS薄膜晶粒尺寸没有明显的影响,少量的Na可提高CIGS薄膜的载流子浓度和降低电阻率... 详细信息

研究了Na掺入对低温沉积柔性聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的结构和电学特性影响。研究结果表明:Na元素的掺入使Ga元素的扩散受到了阻滞,但对CIGS薄膜晶粒尺寸没有明显的影响,少量的Na可提高CIGS薄膜的载流子浓度和降低电阻率;Na的掺入可明显提高CIGS薄膜太阳电池的器件特性,通过优化掺Na工艺,制备的柔性PI衬底—CIGS薄膜太阳电池的最高转换效率达到10.4%。

关键词： Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜柔性聚酰亚胺(PI)衬底 Na掺入高转换效率

镓(Ga)的含量及分布对CIGS薄膜电池量子效率的影响

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人工晶体学报 2006年第1期35卷 131-134页

作者：李伟孙云刘伟李凤岩周琳南开大学光电子薄膜器件与技术研究所

采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制C IGS薄膜的带隙,采用镓元素梯度分布,使C IGS薄膜带隙呈现... 详细信息

采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制C IGS薄膜的带隙,采用镓元素梯度分布,使C IGS薄膜带隙呈现抛物线状分布,电池的量子效率得到明显提高,制备出的C IGS薄膜电池开路电压与转换效率都得到很大程度的改善,电池最高转换效率已达9.4%。

关键词：镓梯度分布铜铟镓硒太阳电池固态源硒化法量子效率

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倒置型OLED的新型复合阴极研究

光电子．激光 2004年第1期15卷 5-8页

作者：杨广华吴春亚李娟孟志国郭斌周祯华李凤岩熊绍珍南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071

利用光学薄膜辅助设计系统软件进行了一种黑膜的模拟计算,据模拟结果制备了黑膜,测试分析了其减反性能并进行了性能改进的初步研究。同金属Al电极相比,此黑膜可使环境光反射率从90%左右降低到20%,经过衬底优化后反射率最低为13%。

关键词：薄膜型有机发光器件 OLED复合电极黑膜减反射倒置型

CIGS电池缓冲层CdS的制备工艺及物理性能

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太阳能学报 2006年第7期27卷 682-686页

作者：敖建平孙云刘琪何青孙国忠刘芳芳李凤岩南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 南昌航空工业学院材料系南昌330034

在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中，化学沉积CdS半导体薄膜，薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系，表明薄膜的生长速度是由OH^-和SC（NH2）2的扩散传质为控制步骤。CAS薄膜的电阻率在10^4-- 10^5Ω·Cm之间。CAS薄膜的品格在乙... 详细信息

在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中，化学沉积CdS半导体薄膜，薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系，表明薄膜的生长速度是由OH^-和SC（NH2）2的扩散传质为控制步骤。CAS薄膜的电阻率在10^4-- 10^5Ω·Cm之间。CAS薄膜的品格在乙酸胺浓度较小时，为六方晶和立方晶混合结构；乙酸胺浓度较大时，为立方晶结构。利用六方晶与立方晶混合的CAS制备的CIGS太阳电池，光电转换效率最大可达12．1％，3．5×3．6cm^3小面积组件为6．6％。立方相CAS制备的最佳电池效率达到12．17％。两种晶相结构的CAS薄膜对CIGS太阳电池的性能影响没有明显的差别。

关键词： CBD CdS薄膜 CIGS太阳电池

利用Raman散射光谱研究铜铟镓硒薄膜表面的掺杂调节作用

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光谱学与光谱分析 2007年第4期27卷 716-719页

作者：刘玮孙云李凤岩何青李长健田建国南开大学物理科学学院光子学中心天津300071 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室天津300071

主要研究了采用溅射后硒化方法制备CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳电池的吸收体材料中的表面层掺杂调节问题。并利用Raman散射谱分析研究了样品表面层特征峰的移用,研究结果表明:CIGS薄膜表面层由富In表面层调节为富CuGa表面层后,Raman特征峰... 详细信息

主要研究了采用溅射后硒化方法制备CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳电池的吸收体材料中的表面层掺杂调节问题。并利用Raman散射谱分析研究了样品表面层特征峰的移用,研究结果表明:CIGS薄膜表面层由富In表面层调节为富CuGa表面层后,Raman特征峰位向高波数移动,表明薄膜表面的Ga含量随之变化,并导致表面能带的相应改变,经计算证实了富CuGa表面层样品较之富In表面层样品具有更高的表面能带,从而改善了以此材料为吸收层的太阳电池器件性能,Voc提高了74mV,填充因子上升8%,最终使器件转换效率η相应提高了约2%。提高了Voc与FF。同时表明Raman散射谱作为一种灵敏的表面表征手段,在研究太阳电池吸收层表面状态时十分有力。

关键词： Raman谱 CIGS薄膜材料表面能带

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聚酰亚胺衬底CIGS薄膜附着性的改善

光电子．激光 2010年第11期21卷 1657-1659页

作者：姜伟龙何青刘玮于涛刘芳芳逄金波李凤岩李长健孙云南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071

为改善聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的附着性,提出在NaF沉积前预先在Mo层上蒸发沉积100nm厚的In-Ga-Se(IGS)薄膜的新掺Na工艺。结果表明:这种IGS-NaF-CIGS式新工艺可显著改善CIGS薄膜的附着,而且CIGS薄膜材料和器件特性没有... 详细信息

为改善聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的附着性,提出在NaF沉积前预先在Mo层上蒸发沉积100nm厚的In-Ga-Se(IGS)薄膜的新掺Na工艺。结果表明:这种IGS-NaF-CIGS式新工艺可显著改善CIGS薄膜的附着,而且CIGS薄膜材料和器件特性没有显著退化;新工艺促进了NaInSe2的生成,减少了In-Se二元相的残余,但也造成薄膜电阻率的升高和电池填充因子的下降,进而导致制备的PI衬底CIGS电池的转换效率由9.8%降至9.0%。综合考虑附着性的改善和器件效率的轻微下降,新工艺利大于弊,有很好的应用前景。

关键词： Cu(In,Ga)Se2(CIGS) 聚酰亚胺(PI) Na掺入附着性

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ZnO薄膜对CIGS太阳电池性能的影响

太阳能学报 2004年第4期25卷 419-425页

作者：李伟何青敖建平刘芳芳李凤岩周志强刘维一孙云南开大学信息学院光电子研究所天津300071

采用交流磁控溅射制备高阻ZnO和直流溅射ZnO∶Al薄膜,研究几种溅射工艺条件与ZnO薄膜性能关系以及对铜铟镓硒(CIGS)光伏电池的影响。通过不同的工艺参数改变控制,得到了性能优良的ZnO薄膜,同时表明电池窗口层ZnO薄膜工艺参数对铜铟硒电... 详细信息

采用交流磁控溅射制备高阻ZnO和直流溅射ZnO∶Al薄膜,研究几种溅射工艺条件与ZnO薄膜性能关系以及对铜铟镓硒(CIGS)光伏电池的影响。通过不同的工艺参数改变控制,得到了性能优良的ZnO薄膜,同时表明电池窗口层ZnO薄膜工艺参数对铜铟硒电池性能影响至关重要。尤其是ZnO薄膜的电阻率和迁移率,这两项指标的优化可以使电池的填充因子有10%以上的提高。不论是高阻ZnO还是低阻ZnO薄膜对电池的填充因子都有着重要的影响,采用优化工艺所制备的CIGS光伏电池窗口层ZnO薄膜以后,目前研制的电池转换效率已达到12 1%。

关键词： ZnO薄膜太阳电池效率性能优化

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CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析

人工晶体学报 2004年第5期33卷 841-844页

作者：薛玉明孙云李凤岩朴英美刘维一周志强李长健南开大学光电子所天津300071

本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGs)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值△EC、△EV。其中,CdS／CIGS的导带边失调值ΔEc对... 详细信息

本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGs)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值△EC、△EV。其中,CdS／CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0-0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好。

关键词：铜铟硒薄膜太阳电池异质结结构制备半导体材料能带边失调值