聚酰亚胺衬底CIGS薄膜附着性的改善

作     者：姜伟龙 何青 刘玮 于涛 刘芳芳 逄金波 李凤岩 李长健 孙云 

作者机构：南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2010年第21卷第11期

页      面：1657-1659页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：天津市科技创新专项资金资助项目(06FZZDGX01200) 天津市重点科技攻关专项资助项目(05YFGZGX03400) 高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(200800551008) 国家自然科学基金资助项目(60906033) 

主　　题：Cu(In,Ga)Se2(CIGS) 聚酰亚胺(PI) Na掺入 附着性 

摘      要：为改善聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的附着性,提出在NaF沉积前预先在Mo层上蒸发沉积100nm厚的In-Ga-Se(IGS)薄膜的新掺Na工艺。结果表明:这种IGS-NaF-CIGS式新工艺可显著改善CIGS薄膜的附着,而且CIGS薄膜材料和器件特性没有显著退化;新工艺促进了NaInSe2的生成,减少了In-Se二元相的残余,但也造成薄膜电阻率的升高和电池填充因子的下降,进而导致制备的PI衬底CIGS电池的转换效率由9.8%降至9.0%。综合考虑附着性的改善和器件效率的轻微下降,新工艺利大于弊,有很好的应用前景。