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血清纤维化指标与门脉灌注指数在慢乙肝及肝硬化评估中的联合应用

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血清纤维化指标与门脉灌注指数在慢乙肝及肝硬化评估中的联合应用

作者：朱阳军浙江大学

学位级别：硕士

目的：探讨血清纤维化指标与门静脉灌注指数(PPI)在慢性乙型肝炎(chronic hepatitis B, CHB)病情程度评估及肝硬化功能储备预测中的联合应用价值。方法：回顾分析72例乙型肝炎患者,其中慢性乙型肝炎29例(轻度19例,中度10例),肝硬化43例... 详细信息

目的：探讨血清纤维化指标与门静脉灌注指数(PPI)在慢性乙型肝炎(chronic hepatitis B, CHB)病情程度评估及肝硬化功能储备预测中的联合应用价值。方法：回顾分析72例乙型肝炎患者,其中慢性乙型肝炎29例(轻度19例,中度10例),肝硬化43例(代偿性13例,失代偿性30例),并对肝硬化患者进行Child-Pugh积分。随机选取20例健康志愿者作为正常对照。分别测定血清纤维化指标(PIIIP、CIV、LN、HA),并通过核素肝脏灌注显像获得PPI。利用PASW Statics 18.0软件,对各组间各参数均数进行One-way ANOVA分析,及将各参数与Child-Pugh积分进行Pearson相关分析。结果：1.正常与CHB及肝硬化组间血清纤维化指标及PPI的比较情况：CHB中度及代偿性肝硬化组HA均值高于正常对照及CHB轻度组(P0.05)。CHB中度至失代偿性肝硬化组PPI均值均低于正常对照及CHB轻度组,且随病情加重PPI均值逐级降低(P<0.05)。2.血清纤维化指标及PPI与肝硬化功能储备的关系：在肝硬化组,PⅢP(r=0.419)及HA(r=0.565)与Child-Pugh积分正相关(P<0.01),而PPI与Child-Pugh积分负相关(r=-0.383,P<0.05)。结论：HA、PIIIP及PPI均能较为有效地评估CHB患者病情程度和/或预测肝硬化患者的肝脏功能储备情况;其中HA侧重于预测功能储备,而PPI侧重于评估病情程度。总之,联合应用HA, PIIIP及PPI能够获得更为全面的有关病情程度及功能储备方面的信息,对CHB及肝硬化的诊治具有重要的参考价值。

关键词：肝炎,乙型,慢性肝硬化血清纤维化指标门静脉灌注指数

肾动态显像法与双血浆法在移植肾GFR测定中的对比

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中华核医学杂志 2007年第4期27卷 243-244页

作者：朱阳军杜晓英李林法张军浙江大学医学院附属第一医院核医学科杭州310003 浙江大学医学院附属第一医院肾内科杭州310003

目的比较肾动态显像法与双血浆法测定的移植肾^(99)Tc^m-DTPA 肾小球滤过率(dGFR和 tGFR),以评价 dGFR 反映移植肾滤过功能的可靠性。方法选取73例肾移植患者,分别采用肾动态显像法和双血浆法测定其^(99)Tc^m-DTPA GFR。分析经体表面积... 详细信息

目的比较肾动态显像法与双血浆法测定的移植肾^(99)Tc^m-DTPA 肾小球滤过率(dGFR和 tGFR),以评价 dGFR 反映移植肾滤过功能的可靠性。方法选取73例肾移植患者,分别采用肾动态显像法和双血浆法测定其^(99)Tc^m-DTPA GFR。分析经体表面积标准化的 dGFR 与 tGFR 间的关系,并建立直线回归方程。结果 dGFR 均值略低于 tGFR 均值(t=-2.010,P<0.05),dGFR 与 tGFR 呈显著正相关(r=0.759,P<0.01),直线回归方程:tGFR=0.6455×dGFR+25.514。结论 dGFR 与 tGFR 具有较好的一致性,肾动态显像法能够准确评价移植肾的滤过功能。

关键词：肾移植肾小球滤过率放射性核素显像

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一种新型FS-CIGBT器件设计及仿真

半导体技术 2013年第8期38卷 593-597页

作者：谈景飞王波朱阳军中国科学院微电子研究所北京100029 江苏物联网研究发展中心江苏无锡214135

由于新型高压场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-CIGBT)器件结构与普通IGBT器件结构相比,增加了一层p阱及n阱的结构,因此会产生电势的自钳位效应,保护器件正面结构,防止出现高压失效现象,提高器件的可靠性,同时会降低器件的正向导通压降以及... 详细信息

由于新型高压场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-CIGBT)器件结构与普通IGBT器件结构相比,增加了一层p阱及n阱的结构,因此会产生电势的自钳位效应,保护器件正面结构,防止出现高压失效现象,提高器件的可靠性,同时会降低器件的正向导通压降以及开关损耗。鉴于新结构器件的优势,借助仿真软件Sentaurus TCAD,设计了新型FS-CIGBT器件的各项结构参数以及工艺制造流程,并仿真模拟了其各项电学特性参数。仿真得到FS-CIGBT的击穿电压为8 129 V,在额定电流密度25 A/cm2条件下,导通压降为3.6 V,器件关断损耗为103 mJ/cm2,且各项特性参数均优于普通结构的IGBT器件的特性。

关键词：场终止型绝缘栅双极晶体管(FS—CIGBT) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 自钳位仿真电学特性可靠性

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基于ANSYS的IGBT模块的失效模式

半导体技术 2014年第2期39卷 147-153,158页

作者：董少华朱阳军丁现朋中国科学院微电子研究所北京100029 山东大学物理学院济南250100

功率循环(PC)试验和温度循环(TC)试验是对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块进行可靠性考核的两个基本试验,可以有效暴露出器件封装所存在的问题。基于ANSYS有限元分析软件,分别研究了IGBT模块在功率循环和温度循环两种不同的试验情况下的... 详细信息

功率循环(PC)试验和温度循环(TC)试验是对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块进行可靠性考核的两个基本试验,可以有效暴露出器件封装所存在的问题。基于ANSYS有限元分析软件,分别研究了IGBT模块在功率循环和温度循环两种不同的试验情况下的温度分布与应力、应变分布的情况。研究表明在这两种情况下IGBT模块的失效模式是不同的。功率循环条件下器件的温差较小,但温度、应力往往集中分布在引线键合点及其下方,一般失效会发生在引线键合点处。而温度循环下温度分布均匀,但高低温温差较大,更能考察器件在严酷的环境条件下的可靠性,由于每层结构的边缘位置处剪切应力较大,失效常常由每层结构的边缘部位开始,一般会发生芯片和陶瓷基板的断裂和焊料层疲劳等失效现象。

关键词： IGBT模块功率循环温度循环有限元分析失效模式

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晶体管红外热像图的热谱分析方法

Journal of Semiconductors 2005年第7期26卷 1364-1368页

作者：朱阳军苗庆海张兴华卢烁今山东大学物理与微电子学院济南250100

使用自编的分析软件,根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析,给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线.一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况,并可直接读取发射区的峰值结温和最低结温,还可以计算出... 详细信息

使用自编的分析软件,根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析,给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线.一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况,并可直接读取发射区的峰值结温和最低结温,还可以计算出平均结温.晶体管热谱是表示晶体管结温不均匀性的一种与热像图不同的新方法.

关键词：晶体管热谱峰值结温红外热像图归一化面积

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pn结中的小电流过趋热效应及理论模拟计算

Journal of Semiconductors 2006年第9期27卷 1595-1599页

作者：苗庆海朱阳军张兴华卢烁今山东大学物理与微电子学院济南250100

晶体管在耗散功率时,结温分布一般不均匀.在晶体管子管并联模型的基础上,经过实验和理论模拟计算及验证发现结温分布不均匀时,高温区的电流密度大于低温区的电流密度;测试电流越小,高温区与低温区电流密度的比值越大,电流越集中在高温区... 详细信息

晶体管在耗散功率时,结温分布一般不均匀.在晶体管子管并联模型的基础上,经过实验和理论模拟计算及验证发现结温分布不均匀时,高温区的电流密度大于低温区的电流密度;测试电流越小,高温区与低温区电流密度的比值越大,电流越集中在高温区,且集中区域的面积随着测试电流的减小而缩小,这种现象称为小电流过趋热效应.利用这一特性可以研究晶体管结温分布的不均匀性,计算结温分布的不均匀度,对半导体器件可靠性分析具有重要的意义.

关键词： pn结晶体管结温电流密度结温均匀性有效面积

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基于实际结温分布中小电流过趋热效应的验证

Journal of Semiconductors 2007年第7期28卷 1112-1116页

作者：朱阳军苗庆海张兴华卢烁今山东大学物理与微电子学院 School of Computer Engineering Nanyang Technological UniversitySingapore 639798Singapore

对于从红外热像图得到的实际的晶体管结温分布,通过热谱分析方法获得该温度分布对应的热谱曲线,进而建立了晶体管子管并联模型,并在此基础上,经过实验和理论计算证实了pn结中小电流过趋热效应存在的真实性.当结温分布不均匀时,对于通过p... 详细信息

对于从红外热像图得到的实际的晶体管结温分布,通过热谱分析方法获得该温度分布对应的热谱曲线,进而建立了晶体管子管并联模型,并在此基础上,经过实验和理论计算证实了pn结中小电流过趋热效应存在的真实性.当结温分布不均匀时,对于通过pn结的电流,小电流比大电流更具有趋热性.即电流越小,高温区与低温区电流密度的比值越大,电流越集中在高温区,且集中区域的面积随着电流的减小而缩小.利用这一特性可以研究器件热电不稳定性,结温分布的不均匀性及不均匀度,峰值结温的估算等,这对于半导体器件可靠性分析具有重要的意义.

关键词：热谱曲线电流密度过趋热性有效面积

A novel electrical measurement method of peak junction temperature based on the excessive thermotaxis effect of low current

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Journal of Semiconductors 2009年第9期30卷 41-44页

作者：朱阳军苗庆海张兴华韩郑生 Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences School of Physics Shandong University

It has been a scientific and technological problem in the field of microelectronics for several decades that the electrical method is used to measure the peak junction temperature of power transistors. Based on the excessive thermotaxis effect of low current, a novel electrical measurement method of the peak junction temperature is presented in this paper. The method is called the thermal spectrum analysis method of transistors, simply designated TSA （thermal spectrum analysis method）. Unlike the common method which uses a single measuring current, TSA uses multi-step currents to measure temperature-sensitive parameters. Based on the excessive thermotaxis effect of low current and the sub-transistor parallel model, the peak junction temperature and non-uniform property of junction temperature distribution are analyzed successfully.

关键词： peak junction temperature multi-step current excessive thermotaxis effect of low current power transistor

绝缘栅双极型晶体管感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究

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物理学报 2016年第15期65卷 253-259页

作者：谭骥朱阳军卢烁今田晓丽滕渊杨飞张广银沈千行中国科学院微电子研究所中国科学院大学北京100029 江苏物联网研究发展中心无锡214135

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)多用于感性负载下的电力电子线路中,这导致了在器件关断过程中集电极电压上升阶段时集电极电流仍然保持在额定电流值,从而造成大量的能量损耗.集电极电压的上升过程可以看作是栅极电流对集电极与栅极之间的电容... 详细信息

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)多用于感性负载下的电力电子线路中,这导致了在器件关断过程中集电极电压上升阶段时集电极电流仍然保持在额定电流值,从而造成大量的能量损耗.集电极电压的上升过程可以看作是栅极电流对集电极与栅极之间的电容(即米勒电容)充电的过程.本文提出一种解析模型,通过计算米勒电容值随时间的变化来预测IGBT在关断过程中集电极电压值的变化.在对米勒电容的计算上,不仅考虑了电容值与其端电压之间的依赖关系,同时也考虑到关断过程中耗尽区存在的大量载流子对电容值的影响,使得模型更加准确.最后,运用数值计算仿真软件对绝缘栅双极型晶体管的关断过程进行了模拟,对本文提出的模型进行了验证.仿真结果与模型计算结果显示出良好的一致性.

关键词：绝缘栅双极型晶体管感性负载电压变化率米勒电容