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First-principles calculation of structural and elastic properties of Pd_(3-x)Rh_xV alloys
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Transactions of Nonferrous Metals Society of China 2011年 第2期21卷 388-394页
作者： 王桃芬 陈平 邓永和 唐璧玉 湘潭大学物理系低维材料及其应用技术教育部重点实验室 湘潭411105 湖南科技大学物理系 湘潭411201
The structural stability, electronic and elastic properties of Pd3-xRhxV alloys with L12 and D022 structures were investigated theoretically by the first-principles calculations. The results reveal that with the incre... 详细信息
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BCN三元化合物的简单生长模型
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物理学报 2000年 第3期49卷 518-521页
作者： 唐璧玉 杨国伟 任志昂 蔡孟秋 湘潭大学物理系 湘潭411105
提出了BCN三元化合物生长的简单模型.结果表明:元素的表面覆盖率、总体生长率、N元素的生长率和化合物中含N量由N流量与B和C流量和之比决定,且总体生长率存在最大值.在N流量与B和C流量和之比为定值时,B和C的流量比对此影响甚小。
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新一簇B-C-N系列材料
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材料导报 1999年 第6期13卷 42-43页
作者： 唐璧玉 傅建娥 蔡孟秋 湘潭大学物理系 湘潭411105
氮化碳和轻元素B、C、N及其化合物组成的新一族材料巴成为凝聚态物理和材料科学领域中新的研究热点。介绍了新一簇系列材料的概况和最新研究进展,并对本领域的研究动态和发展前景进行了展望。
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强流脉冲电子束与固体介质相互作用的研究
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强激光与粒子束 1993年 第2期5卷 198-202页
作者： 江兴流 唐璧玉 宋志敏 兰州大学现代物理系 兰州730000
采用强流脉冲电子束轰击固体介质样品,研究了强流脉冲电子束与固体介质的相互作用。对晶体中出现的开裂和有机聚合物中出现的树枝状径迹进行了讨论,认为电子束的能量及电荷沉积导致了上述现象。
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陶瓷基底上金刚石涂层的研究
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机械工程材料 1997年 第6期21卷 38-39,54页
作者： 唐璧玉 颜永红 夏金童 陈宗璋 湖南大学化学化工学院 湖南长沙410082
研究了几种陶瓷基底上金刚石薄膜涂层的成核生长特性及其力学性能，首次从界面能量角度分析了基底材料对涂层沉积和性能的影响。试验结果和理论分析表明，Si3N4陶瓷是一种理想的刀具基底材料。
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SP^2 乱层碳上金刚石薄膜的成核的研究
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真空 1998年 第1期35卷 9-11页
作者： 唐璧玉 陈宗璋 靳九成 湖南大学化学化工系 湖南大学测试中心
利用化学气相沉积技术在预沉积的ＳＰ２乱层碳上实现了金刚石薄膜的成核和生长，分析研究了成核的特征和机制。在金刚石难以沉积的刀具基底上，ＳＰ２乱层碳的预沉积不仅促进了金刚石的成核和生长，并使成核期大约３０ｍｉｎ，比一般情... 详细信息
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硬质合金YG8上金刚石薄膜的成核研究
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材料科学与工程 1998年 第1期16卷 41-42,12页
作者： 唐璧玉 靳九成 陈宗璋 湖南大学
利用调节基底表面碳流量的方法促进了热丝ＣＶＤ中硬质合金ＹＧ８上金刚石薄膜的成核，使成核期大为缩短，根据扫描电镜和拉曼光谱对沉积结果的分析，研究了ＹＧ８上金刚石薄膜成核的机理。
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金刚石晶粒和薄膜的侧向沉积
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材料导报 1996年 第6期10卷 49-52页
作者： 唐璧玉 靳九成 陈宗璋 湖南大学化工系 长沙410082
将传统的灯丝热解化学气相沉积系统改装成侧向沉积系统,并在其中进行了金刚石薄膜的正、侧向沉积。研究表明,侧向沉积的成核密度和生长率与正向沉积的情况基本相同,而侧向沉积系统中金刚石颗粒和薄膜的沉积速率要比传统的沉积系统的高,... 详细信息
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定向金刚石膜的合成及机理探索
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半导体光电 2000年 第2期21卷 150-152页
作者： 唐璧玉 杨国伟 任志昂 蔡孟秋 湘潭大学物理系 湘潭411105
采用热丝化学汽相淀积 (CVD) ,未用别的辅助措施 ,合成了 (10 0 )晶面的金刚石膜。结合CVD金刚石成核的微观过程 ,探讨了定向金刚石膜的形成机理。发现和研究了表面扩散对CVD金刚石成核的重要影响。
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第一性原理研究氧空位对Ag在MgO(001)面吸附的影响
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原子与分子物理学报 2009年 第1期26卷 163-170页
作者： 余伟阳 王时茂 胡玉林 唐璧玉 河南理工大学物理化学系 焦作454001 湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及其应用技术教育部重点实验室 湘潭411105
采用基于密度泛函理论的第一性原理研究方法,应用Vienna Ab-initio Simulation Package(VASP),计算了氧空位对Ag原子在MgO(001)面吸附的影响.通过成键过程中电荷密度的变化以及电荷转移的讨论,从原子尺度上分析了MgO(001)面空位点Fs和F... 详细信息
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