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通过改变氧空位的含量优化氧化镓基阻变存储器的性能

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信息记录材料 2024年第9期25卷 30-33页

作者：梁毅杰张帆吴真平北京邮电大学理学院北京100876

阻变存储器由于其结构简单、运行速度快、功耗低、与互补金属氧化物半导体工艺兼容等优点,近年来得到了广泛的应用。本文提出了一种通过氮气退火调控氧空位含量,进而提高非晶氧化镓阻变存储器性能的方法。在磁控溅射的氧化镓阻变存储器... 详细信息

阻变存储器由于其结构简单、运行速度快、功耗低、与互补金属氧化物半导体工艺兼容等优点,近年来得到了广泛的应用。本文提出了一种通过氮气退火调控氧空位含量,进而提高非晶氧化镓阻变存储器性能的方法。在磁控溅射的氧化镓阻变存储器中观察到优异的双极电阻开关行为,具有超过10~4的大记忆窗口、长达1500 s的保持时间和10~8的循环次数。X射线光电子能谱表征表明,氮气退火的氧化镓薄膜电阻开关性能的提高是由于更高的氧空位密度。这些结果表明了这种器件在未来高密度非易失性存储器应用中的巨大潜力。

关键词：半导体材料学阻变存储器氧化镓氮气退火氧空位

超宽禁带半导体β-Ga_2O_3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展

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物理学报 2019年第7期68卷 7-42页

作者：郭道友李培刚陈政委吴真平唐为华浙江理工大学物理系光电材料与器件中心杭州310018 北京邮电大学理学院信息功能材料与器件实验室北京100876 北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室北京100876

β-Ga_2O_3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.本文介绍了Ga_20_3材料的晶体结构、基本物性与器件应用,并... 详细信息

β-Ga_2O_3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.本文介绍了Ga_20_3材料的晶体结构、基本物性与器件应用,并综述了β-Ga_2O_3在深紫外透明导电电极和日盲紫外探测器中的最新研究进展.Sn掺杂的Ga_2O_3薄膜电导率可达到32.3 S/cm,透过率大于88%,但离商业化的透明导电电极还存在较大差距.在日盲紫外探测器应用方面,基于异质结结构的器件展现出更高的光响应度和更快的响应速度,ZnO/Ga_2O_3核/壳微米线的探测器综合性能最佳,在-6 V偏压下其对254 nm深紫外光的光响应度达1.3×10~3A/W,响应时间为20μs.

关键词： Ga2O3 超宽带隙半导体日盲探测器深紫外透明电极

ε-Ga_(2)O_(3)/SiC异质结自驱动型日盲光电探测器

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北京邮电大学学报 2022年第3期45卷 44-49页

作者：王月晖张清怡申佳颖甘明丰吴真平北京邮电大学理学院北京100876

构建合适的异质结是改善光电探测器性能的一种有效方法,为了提升超宽禁带半导体Ga_(2)O_(3)薄膜日盲光电探测器的光电性能,采用金属有机化学气相沉积技术在SiC单晶衬底上成功异质外延了高质量的ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,并制备了ε-Ga_(2)O_(... 详细信息

构建合适的异质结是改善光电探测器性能的一种有效方法,为了提升超宽禁带半导体Ga_(2)O_(3)薄膜日盲光电探测器的光电性能,采用金属有机化学气相沉积技术在SiC单晶衬底上成功异质外延了高质量的ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,并制备了ε-Ga_(2)O_(3)/SiC异质结光电探测器。探究外延薄膜的晶体结构和吸收光谱可知,单一取向的ε-Ga_(2)O_(3)薄膜对日盲区紫外光表现出强烈的吸收特性。得益于较强的内建电场,制备的异质结光电探测器件具有出色的自驱动光电响应特性。在无外置电场条件下具有稳定的深紫外光响应,其具有暗电流低、灵敏度高的特点。在0V偏压、254nm紫外光辐照下,探测器光暗电流比高达10^(4),光响应度达到0.3mA/W,比探测率达到1.45×10^(10)cm·√Hz/W。ε-Ga_(2)O_(3)/SiC自驱动光电探测器的成功研制可为实现零能耗探测器件的制备提供理论思路和实验指导。

关键词： ε-Ga_(2)O_(3) 异质结日盲光电探测器自驱动

La_(0.67)Ca_(0.33)MO_3/YBa_2Cu_3O_(7-δ)三明治结构薄膜的表面与界面微结构

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常熟理工学院学报 2006年第2期20卷 31-34页

作者：吴真平南京大学物理系江苏南京210093

用磁控溅射方法生长三明治结构的YBa2Cu3O7-δ/La0.67Ca0.33MnO3/YBa2Cu3O7-δ(YBCO/LCMO/YBCO)薄膜。该薄膜为完全(001)取向。掠入射X射线反射结果表明,YBCO/LCMO的界面有互扩散,其扩散长度为几个纳米。表层与界面的方均粗糙度(rms)随... 详细信息

用磁控溅射方法生长三明治结构的YBa2Cu3O7-δ/La0.67Ca0.33MnO3/YBa2Cu3O7-δ(YBCO/LCMO/YBCO)薄膜。该薄膜为完全(001)取向。掠入射X射线反射结果表明,YBCO/LCMO的界面有互扩散,其扩散长度为几个纳米。表层与界面的方均粗糙度(rms)随着YBCO层的厚度而变化,这与原子力显微镜的测量结果一致;进一步研究表明方均粗糙度与薄膜的失配应变弛豫相关。

关键词： YBa2Cu3O7-δ/La0.67C80.33MnO3/YBa2Cu3O7-δ三层膜表层和界面结构掠入射X射线反射

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简政放权,建筑市场如何规范自律?

建筑设计管理 2014年第9期31卷 44-46页

作者：李武英吴真平

7月1日，住建部发布2014年92号文《关于推进建筑业发展和改革的若干意见》（以下简称《意见》），揭示当前建筑业普遍存在的问题，并对今后发展方向作了指引，提出“简政放权，开放市场，坚持放管并重，消除市场壁垒，构建统一开放、竞... 详细信息

7月1日，住建部发布2014年92号文《关于推进建筑业发展和改革的若干意见》（以下简称《意见》），揭示当前建筑业普遍存在的问题，并对今后发展方向作了指引，提出“简政放权，开放市场，坚持放管并重，消除市场壁垒，构建统一开放、竞争有序、诚信守法、监管有力的全国建筑市场体系；创新和改进政府对建筑市场、质量安全的监督管理机制，加强事中事后监管，强化市场和现场联动，落实各方主体责任，确保工程质量安全；转变建筑业发展方式，推进建筑产业现代化，促进建筑业健康协调可持续发展”的发展目标。为了进一步贯彻落实《意见》精神，8月14日，上海市勘察设计行业协会组织沪上30多家设计院就《意见》展开认真学习和解读。会议由上海市勘察设计行业协会秘书长姜国翔主持。

关键词：建筑市场建筑业发展建筑产业诚信守法事后监管市场壁垒勘察设计行业工程质量安全勘察设计协会勘察设计单位

外延应力调控(111)取向La_(0.66)Sr_(0.33)MnO_(3)外延薄膜的物理性质

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信息记录材料 2022年第2期23卷 18-19页

作者：祁明群吴真平北京邮电大学理学院北京100876

系统地研究了用脉冲激光沉积法(PLD)在(111)取向SrTiO_(3)单晶衬底上外延生长La_(0.66)Sr_(0.33)MnO_(3)薄膜的电学和磁阻性能。利用综合物性测量系统(PPMS)测量研究了薄膜导电性和相应物性随薄膜厚度的变化规律。磁化和电阻作为温度函... 详细信息

系统地研究了用脉冲激光沉积法(PLD)在(111)取向SrTiO_(3)单晶衬底上外延生长La_(0.66)Sr_(0.33)MnO_(3)薄膜的电学和磁阻性能。利用综合物性测量系统(PPMS)测量研究了薄膜导电性和相应物性随薄膜厚度的变化规律。磁化和电阻作为温度函数的测量结果表明,从铁磁状态到顺磁状态的转变温度与薄膜厚度直接相关。电阻率(ρ(T))的温度依赖性已经用理论公式进行了拟合。在3 T的外加磁场下,在200 K下测量了10 nm厚膜的34.5%的磁电阻。

关键词：锰氧化物电阻率磁阻居里温度矫顽场

基于HfO_(2)插层的Ga_(2)O_(3)基金属-绝缘体-半导体结构日盲紫外光电探测器

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物理学报 2023年第9期72卷 161-170页

作者：董典萌汪成张清怡张涛杨永涛夏翰驰王月晖吴真平北京邮电大学理学院信息功能材料与器件实验室北京100876

作为一种新兴的超宽带隙半导体, Ga_(2)O_(3)在开发高性能的日盲紫外光电探测器方面具有独特的优势.金属-半导体-金属结构因其制备方法简单、集光面积大等优点在Ga_(2)O_(3)日盲紫外光电探测器中得到了广泛的应用.本文在传统的金属-半导... 详细信息

作为一种新兴的超宽带隙半导体, Ga_(2)O_(3)在开发高性能的日盲紫外光电探测器方面具有独特的优势.金属-半导体-金属结构因其制备方法简单、集光面积大等优点在Ga_(2)O_(3)日盲紫外光电探测器中得到了广泛的应用.本文在传统的金属-半导体-金属结构Ga_(2)O_(3)日盲紫外光电探测器的基础上,利用原子层沉积技术引入高介电性和绝缘性的氧化铪(HfO_(2))作为绝缘层和钝化层,制备出带有HfO_(2)插层的金属-绝缘体-半导体结构的Ga_(2)O_(3)日盲紫外光电探测器,显著降低了暗电流,提升了光暗电流比,同时提高了器件的比探测率和响应速度,为未来Ga_(2)O_(3)在高性能弱光探测器件制备提供了一种新通用策略.

关键词：氧化镓紫外探测金属-绝缘体-半导体表面钝化

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GaAs衬底上生长的SrTiO3薄膜的应变与界面结构

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Solar-blind avalanche photodetector based on epitaxial Ga_(2)O_(3)/La_(0.8)Ca_(0.2)MnO_(3) pn heterojunction with ultrahigh gain

中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议

作者：张艳琪李旭智吴小山吴真平郝建华南京大学固体微结构物理国家重点实验室香港理工大学应用物理系

＜正＞利用脉冲激光分子束外延技术,我们成功在（001）GaAs单晶衬底上外延生长SrTiO3（STO）薄膜。薄膜沉积前,先将GaAs衬底在真空状态条件下原位加热到650°C保持2分钟,以去除表面吸附。生长的薄膜厚度约50纳米。原子力显微镜观察表明...

＜正＞利用脉冲激光分子束外延技术,我们成功在（001）GaAs单晶衬底上外延生长SrTiO3（STO）薄膜。薄膜沉积前,先将GaAs衬底在真空状态条件下原位加热到650°C保持2分钟,以去除表面吸附。生长的薄膜厚度约50纳米。原子力显微镜观察表明薄膜表面平整,少许够状凹坑散布在薄膜表面,表面粗糙度小于1纳米;X射线衍射测量表面薄膜是单取向的;X射线Phi扫描获得4个几乎等强度的（103）衍射峰,对应的衍射峰相对GaAs（103）分隔45度。表面STO薄膜的生长面偏离GaAs晶格面45度;在假定四方应变的条件下,我们导出了薄膜的晶格参数为a=0.387nm,c=0.3987nm,四方应变度为0.3%:

关键词：

来源： cnki会议评论

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Chinese Optics Letters 2023年第5期21卷 82-87页

作者：李宁张清怡杨永涛唐源骏张涛申佳颖王月晖张帆张杨吴真平 State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications&School of Science Beijing University of Posts and TelecommunicationsBeijing 100876China Institute of Modern Optics Nankai UniversityTianjin 300071China Tianjin Key Laboratory of Micro-Scale Optical Information Science and Technology Tianjin 300071China

Ga_(2)O_(3)-based avalanche photodetectors(APDs) have gained increasing attention because of their excellent photoelectric conversion capability in the UV solar-blind region. Integrating high-quality epitaxial Ga_(2)O_(3) with p-type semiconductor remains an open challenge associated with the integration difficulty on alleviating its defects and dislocations. Herein,we construct an APD consisting of epitaxial β-Ga_(2)O_(3)/La_(0.8)Ca_(0.2)MnO_(3) heterostructure. The pn junction APDs exhibit a high responsivity of 568 A/W as well as an enhanced avalanche gain of up to 3.0 × 10~5 at a reverse bias voltage of 37.9 V. The integration capability demonstrated in this work provides exciting opportunities for further development of high-performance Ga_(2)O_(3)-based electronics and optoelectronics.

关键词： avalanche photodetector Ga_(2)O_(3) solar-blind pn junction