基于HfO_(2)插层的Ga_(2)O_(3)基金属-绝缘体-半导体结构日盲紫外光电探测器

作     者：董典萌 汪成 张清怡 张涛 杨永涛 夏翰驰 王月晖 吴真平 Dong Dian-Meng;Wang Cheng;Zhang Qing-Yi;Zhang Tao;Yang Yong-Tao;Xia Han-Chi;Wang Yue-Hui;Wu Zhen-Ping

作者机构：北京邮电大学理学院信息功能材料与器件实验室北京100876 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2023年第72卷第9期

页      面：161-170页

核心收录：

学科分类：081702[工学-化学工艺] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:12074044) 信息光子学与光通信国家重点实验室开放基金(批准号:IPOC2021ZT05)资助的课题 

主　　题：氧化镓 紫外探测 金属-绝缘体-半导体 表面钝化 

摘      要：作为一种新兴的超宽带隙半导体, Ga_(2)O_(3)在开发高性能的日盲紫外光电探测器方面具有独特的优势.金属-半导体-金属结构因其制备方法简单、集光面积大等优点在Ga_(2)O_(3)日盲紫外光电探测器中得到了广泛的应用.本文在传统的金属-半导体-金属结构Ga_(2)O_(3)日盲紫外光电探测器的基础上,利用原子层沉积技术引入高介电性和绝缘性的氧化铪(HfO_(2))作为绝缘层和钝化层,制备出带有HfO_(2)插层的金属-绝缘体-半导体结构的Ga_(2)O_(3)日盲紫外光电探测器,显著降低了暗电流,提升了光暗电流比,同时提高了器件的比探测率和响应速度,为未来Ga_(2)O_(3)在高性能弱光探测器件制备提供了一种新通用策略.