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糖尿病患者C肽和胰岛素RIA的临床价值

放射免疫学杂志 1994年第3期7卷 157-158页

作者：陈淑清罗家齐彭兰英任春江刘文军空军兰州医院

胰岛β细胞合成胰岛素原后分裂为胰岛素和C肽。两者以等分子数释放入循环中。测定任一者均可反映胰岛β细分泌功能。用葡萄糖等剌激物兴奋β细胞后观察其分泌动态称为胰岛素或C肽释放试验。为了解糖尿病患者的胰岛β细胞生理功能，我们... 详细信息

胰岛β细胞合成胰岛素原后分裂为胰岛素和C肽。两者以等分子数释放入循环中。测定任一者均可反映胰岛β细分泌功能。用葡萄糖等剌激物兴奋β细胞后观察其分泌动态称为胰岛素或C肽释放试验。为了解糖尿病患者的胰岛β细胞生理功能，我们对56例糖尿病患者及30例正常人血清C肽和胰岛素水平进行了测定，现将结果报告如下。

关键词： C肽糖尿病患者胰岛素水平临床价值 RIA 胰岛β细胞结果报告分泌生理功能分子

Design, fabrication and characterising of 100 W GaN HEMT for Ku-band application

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Journal of Semiconductors 2016年第8期37卷 49-54页

作者：任春江钟世昌李宇超李忠辉孔月婵陈堂胜 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanjing Electron Devices InstituteNanjing 210016 China

Ku-band GaN power transistor with output power over 100 W under the pulsed operation mode is pre- sented. A high temperature A1N nucleation together with an Fe doped GaN buffer was introduced for the developed GaN HEMT. The A1GaN/GaN hetero-structure deposited on 3 inch SiC substrate exhibited a 2DEG hall mobility and density of -2100 cm2/（V.s） and 1.0 x 10^13 cm-2, respectively, at room temperature. Dual field plates were introduced to the designed 0.25μm GaN HEMT and the source connected field plate was optimized for minimizing the peak field plate near the drain side of the gate, while maintaining excellent power gain performance for Ku-band application. The load-pull measurement at 14 GHz showed a power density of 5.2 W/mm for the fabricated 400 μm gate periphery GaN HEMT operated at a drain bias of 28 V. A Ku-band internally matched GaN power transistor was developed with two 10.8 mm gate periphery GaN HEMT chips combined. The GaN power transistor exhibited an output power of 102 W at 13.3 GHz and 32 V operating voltage under pulsed operation mode with a pulse width of 100 μs and duty cycle of 10%. The associated power gain and power added efficiency were 9.2 dB and 48%, respectively. To the best of the authors＇ knowledge, the PAE is the highest for Ku-band GaN power transistor with over 100 W output power.

关键词： Ku-band PAE A1GaN/GaN GaN HEMT field plate

高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT

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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT

氮化镓HEMT器件的新型Cold FET模型

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：任春江李忠辉焦刚钟世昌董逊薛舫时陈辰陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8 GHz输出功率密度10.52 W/mm的HEM器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气（2DEG）面密度为1.0×10... 详细信息

利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8 GHz输出功率密度10.52 W/mm的HEM器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气（2DEG）面密度为1.0×10cm,迁移率达1 880 cm/V·s。在该材料上研制了栅长0.35μm带场板的AlGaN/GaNHEMT,小信号测试表明器件f为31.6 GHz,最高振荡频率f为36.8 GHz。研制的1 mm栅宽器件8 GHz、45 V工作电压下饱和输出功率为10.52 W,功率增益和功率附加效率分别为7.62 dB和45.8%。

关键词：氧化镓铝/氮化镓高电子迁移率晶体管电流崩塌

来源： cnki会议评论

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电子器件 2008年第6期31卷 1765-1768页

作者：郑惟彬李晨李辉陈堂胜任春江单片集成电路与模块国家重点试验室南京210016 中国电子科技集团公司基础部北京100038

改进等效寄生电感的提取对提高小信号等效电路模型的仿真精度具有重要意义,尤其是氮化镓器件(GaN)。针对传统的等效寄生电感提取方法,本文推导了用于GaN HEMT器件的新型Cold FET模型及参数提取。通过对栅宽分别为200μm和1 000μm GaN H... 详细信息

改进等效寄生电感的提取对提高小信号等效电路模型的仿真精度具有重要意义,尤其是氮化镓器件(GaN)。针对传统的等效寄生电感提取方法,本文推导了用于GaN HEMT器件的新型Cold FET模型及参数提取。通过对栅宽分别为200μm和1 000μm GaN HEMT的仿真/测试,表明:新的Cold FET模型可用于GaN HEMT器件等效寄生电感的提取。这将有助于场效应晶体管模型的研究。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 Cold FET模型

胃溃疡患者血清胃动素、肽YY、IgG和铁蛋白的研究

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天津医药 1998年第8期26卷 460-462页

作者：任春江许昌泰王奕中国人民解放军第四七三医院检验科 730070 第四军医大学全军基因诊断技术应用研究所中国人民解放军第四七三医院血液科 730070

为探讨胃溃疡患者血清胃动素(MTL)、肽YY(PYY)、免疫球蛋白G(IgG)及铁蛋白(FRT)含量及变化的临床意义,选胃溃疡患者18例,男11例,女7例,平均46.6岁。均经纤维胃镜检查和X线钡餐检查确诊,并排除胃肠道肿瘤和内分泌疾病。病变部位:胃窦部1... 详细信息

为探讨胃溃疡患者血清胃动素(MTL)、肽YY(PYY)、免疫球蛋白G(IgG)及铁蛋白(FRT)含量及变化的临床意义,选胃溃疡患者18例,男11例,女7例,平均46.6岁。均经纤维胃镜检查和X线钡餐检查确诊,并排除胃肠道肿瘤和内分泌疾病。病变部位:胃窦部12例、胃底部3例、胃体部3例。按胃壁分布:胃小弯14例、胃大弯2例、前壁1例和后壁1例。按胃溃疡的病期分为活动期(A期)13例和愈合期(H期)5例。另选健康对照者26例,男17例,女9例,平均44.4岁。均于确诊后3日内的上午07∶00时空腹采血,用放射免疫法测定血清MTL、PYY、IgG和FRT。与对照者比较,胃溃疡患者血清MTL(207.32±98.45对316.29±98.36ng/L,P0.05)升高不明显。MTL与PYY升高呈正相关(r=0.4436,P0.05),A期血清MTL和PYY较H期高,但无统计学差异(P>0.05)。10例胃溃疡患者临床治愈后复查,仅IgG下降(P<0.05),而FRT、MTL和PYY无明显变化。结果提示胃溃疡时患者血清MTL、PYY、IgG和FRT可以发生改变,测定这些物质对研究胃溃疡时的内分泌变化有一定参考价值。

关键词：胃溃疡促胃动素免疫球蛋白G 铁蛋白

磁控溅射AlN介质的14W/mm AlGaN/GaN MIS-HEMT

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中国电子科学研究院学报 2009年第2期4卷 157-160页

作者：任春江陈堂胜焦刚耿涛薛舫时陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了凹槽栅和场板结构。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在2GHz、75V工作电压下,研制的200... 详细信息

介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了凹槽栅和场板结构。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在2GHz、75V工作电压下,研制的200μm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率密度达到了14.4W/mm,器件功率增益和功率附加效率分别为20.51dB和54.2%。

关键词： AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 MIS 电流崩塌

S波段SiC MESFET微波功率MMIC

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S波段SiC MESFET微波功率MMIC

2～11GHz GaN HEMT功率MMIC

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：柏松陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬蒋幼泉陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFE和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波... 详细信息

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFE和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8～3.4 GHz的频带内小信号增益大于12 dB,漏电压为32 V时带内脉冲输出功率超过5 W。SiCMMIC小信号特性达到了设计预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MIM电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。

关键词：碳化硅金属半导体场效应晶体管微波功率单片微波集成电路

来源： cnki会议评论

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固体电子学研究与进展 2009年第1期29卷 F0003-F0003页

作者：陈辰张斌陈堂胜焦刚任春江单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其输出功率密度大、工作电压高和输出阻抗高等特点,在微波通信、雷达等领域有着广泛的应用前景,将成为下一代高频固态微波功率器件.

关键词：功率密度 MMIC HEMT GaN 高电子迁移率晶体管南京电子器件研究所微波单片集成电路输出阻抗

基于3英寸0.25μm工艺的GaN HEMT宽带功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 F0003-F0003页

作者：张斌陈堂胜任春江余旭明单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在：GaN HEMT可工作于高电压下，同样的输出功率工作电流较小，大大简化了系统电源和电磁兼容设计；高密度的输出功率使得... 详细信息

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在：GaN HEMT可工作于高电压下，同样的输出功率工作电流较小，大大简化了系统电源和电磁兼容设计；高密度的输出功率使得芯片面积和器件的封装得以减小；GaN HEMT更高的输出阻抗，扩展了器件工作带宽；

关键词： HEMT 0.25μm工艺功率密度 MMIC GaN 宽带电磁兼容设计输出阻抗