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高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

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半导体技术 2008年第S1期33卷 98-101页

作者：周建军张继华陈堂胜任春江焦刚李忠辉陈辰杨传仁南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/Al GaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度Si N MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对Al GaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响... 详细信息

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/Al GaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度Si N MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对Al GaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响。使用高介电BST材料作为栅绝缘层可以改善器件的线性特性和跨导特性,提高器件栅的正向工作电压,并有效降低Al GaN/GaN HEMT器件的夹断电压。同时,由于只引入很薄一层高介电材料作为栅绝缘层,器件的高频特性没有显著降低,BST/Al GaN/GaN MIS HEMT器件的电流增益截止频率达到23GHz。

关键词： AlGaN/GaN HEMT BST MIS 高介电材料

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彭阳县廉租房建设用电有保障 002

Field plated 0.15μm GaN HEMTs for millimeter-wave application

固原日报

作者：张鹏飞任春江

本报讯（通讯员张鹏飞任春江）日前，笔者在彭阳县政府廉租房及经济适用房建设工地采访时看到，现场机器轰鸣，人来车往，一派繁忙景象。彭阳县建设与环境保护局负责人指着不远处正在忙碌的几名电力工人说：“还得感谢电力部门的大力支...

本报讯（通讯员张鹏飞任春江）日前，笔者在彭阳县政府廉租房及经济适用房建设工地采访时看到，现场机器轰鸣，人来车往，一派繁忙景象。彭阳县建设与环境保护局负责人指着不远处正在忙碌的几名电力工人说：“还得感谢电力部门的大力支持，如果没有可靠的电力作保障，工程进展?

关键词：

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Journal of Semiconductors 2013年第6期34卷 49-53页

作者：任春江李忠辉余旭明王泉慧王雯陈堂胜张斌 National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules Nanjing Electron Devices Institute

SiN dielectrically-defined 0.15μm field plated GaN HEMTs for millimeter-wave application have been *** AlGaN/GaN hetero-structure epitaxial material for HEMTs fabrication was grown on a 3-inch SiC substrate with an Fe doped GaN buffer layer by metal-organic chemical *** beam lithography was used to define both the gate footprint and the cap of the gate with an integrated field *** recessing was performed to control the threshold voltage of the *** fabricated GaN HEMTs exhibited a unit current gain cut-off frequency of 39 GHz and a maximum frequency of oscillation of 63 ***-pull measurements carried out at 35 GHz showed a power density of 4 W/mm with associated power gain and power added efficiency of 5.3 dB and 35%,respectively,for a 0.15 mm gate width device operated at a 24 V drain *** developed 0.15μm gate length GaN HEMT technology is suitable for Ka band applications and is ready for millimeter-wave power MMICs development.

关键词： AlGaN/GaN HEMT Ohmic contact ICP etching field plate millimeter-wave application

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余热利用技术与应用

上海节能 2009年第5期 2-7页

作者：任庚坡任春江魏玉剑上海市节能监察中心

分析了上海重点用能企业余热资源潜力、这些潜力所存在的主要行业及其特点。针对目前情况,详细介绍了钢铁、化工和建材行业主要余热利用技术与案例分析:(1)低热值煤气燃气轮机技术、(2)转炉负能炼钢技术、(3)热管技术和(4)余热锅炉技术... 详细信息

分析了上海重点用能企业余热资源潜力、这些潜力所存在的主要行业及其特点。针对目前情况,详细介绍了钢铁、化工和建材行业主要余热利用技术与案例分析:(1)低热值煤气燃气轮机技术、(2)转炉负能炼钢技术、(3)热管技术和(4)余热锅炉技术。最后分析了余热利用的困难,提出了相关建议。

关键词：余热潜力技术应用建议

C波段连续波60W AIGaN/GaN功率管及其应用

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C波段连续波60W AIGaN/GaN功率管及其应用

Jack-up异向滑动高压软管支架设计研究

2013年全国微波毫米波会议

作者：钟世昌陈堂胜景少红任春江陈辰高涛南京电子器件研究所单片集成电路及模块电路国家重点实验室

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的A1GaN/GGaN C波... 详细信息

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的A1GaN/GGaN C波段内匹配功率管在28V漏电压,5.3.9GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出77.6W,.带内功率增益大于10dB,最大功率附加效率52.9%,充分展示了GaN功率器件在性能上的优势。

关键词： GaN 功率管内匹配功率附加效率

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船舶标准化与质量 2022年第6期 48-51页

作者：任春江张建杰吴中华赵优优大连中远海运重工有限公司大连船舶重工集团有限公司

“VIVEKANAND”系列自升式钻井平台是大连中远海运重工有限公司为英国FORESIGHT公司建造的新制海洋工程项目,本文以“VIVEKANAND”系列自升式钻井平台为例,对该平台的“异向滑动高压软管支架”的设计原理进行阐述,明确“异向滑动高压软... 详细信息

“VIVEKANAND”系列自升式钻井平台是大连中远海运重工有限公司为英国FORESIGHT公司建造的新制海洋工程项目,本文以“VIVEKANAND”系列自升式钻井平台为例,对该平台的“异向滑动高压软管支架”的设计原理进行阐述,明确“异向滑动高压软管支架”具体的设计理念及操作流程,为后续的钻井平台的建造做好技术储备。

关键词： Jack-up 高压软管支架

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高功率GaN微波功率放大模块及其应用

高功率GaN微波功率放大模块及其应用

SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究

2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：唐世军徐永刚陈堂胜任春江钟世昌陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46%。实现... 详细信息

采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46%。实现了低电流、高效、高可靠性、可实用的功率模块。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大模块

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SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究

0.5μm AlGaN/GaN HEMT及其应用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李忠辉董逊任春江李亮焦刚陈辰陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×10/V·s（室温）。采用上述材料制作1 mm栅宽HEMTs器件,8 GHz、45 V工作时输出功率密度10.52 W/mm,功率增... 详细信息

利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×10/V·s（室温）。采用上述材料制作1 mm栅宽HEMTs器件,8 GHz、45 V工作时输出功率密度10.52 W/mm,功率增益7.62 dB,功率附加效率45.8%,表明该外延材料具有较好的微波应用潜力。

关键词：碳化硅氮化镓高电子迁移率晶体管

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固体电子学研究与进展 2011年第5期31卷 433-437页

作者：任春江王泉慧刘海琪王雯李忠辉孔月婵蒋浩钟世昌陈堂胜张斌南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度,提... 详细信息

报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度,提高器件性能和可靠性。研制的GaN HEMT器件fT为15 GHz,fmax为24 GHz,6 GHz下的MSG为17 dB,满足C波段及以下频段应用要求。对1.25 mm栅宽GaN HEMT在2 GHz、28 V工作电压下的负载牵引,最佳功率匹配的功率附加效率66%,对应输出功率以及功率增益分别为38.0 dBm和17.3 dB。对大栅宽GaN HEMT器件的版图进行了优化以利于散热,并将其应用于输出功率60 W的L波段功率模块末级开发。

关键词： I线步进光刻铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管场板难熔栅