高功率GaN微波功率放大模块及其应用
作者单位：南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室
会议名称：《2010’全国半导体器件技术研讨会》
会议日期：2010年
学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46%。实现了低电流、高效、高可靠性、可实用的功率模块。