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面向太赫兹通信的共振隧穿二极管研究

面向太赫兹通信的共振隧穿二极管研究

作     者:苏娟 吴错 康凌风 邓泽佳 李俊泽 林长星 谭为 

会议名称:《2024年全国微波毫米波会议(中国微波年会)》

会议日期:2024年

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

关 键 词:共振隧穿二极管 太赫兹振荡源 太赫兹通信 

摘      要:太赫兹通信技术是实现6G愿景的关键底层技术之一,针对不同应用场景选择合适固态收发技术成为发展趋势。共振隧穿二极管(RTD,resonant tunneling diode)作为一种基于量子隧穿效应的微纳半导体器件,利用其负微分电阻和直流非线性,可同时实现太赫兹的产生和探测,具有室温工作、高频、高效率、电路架构简洁、体积小、易集成等特点,成为紧凑型太赫兹高频段(≥300 GHz)通信系统的理想选择之一。本文通过300 GHz缝隙天线共振结构RTD振荡源的设计和制备,及相应RTD太赫兹发射模块1 Gbps的太赫兹通信实验演示,展示了RTD太赫兹振荡源在未来近程高速太赫兹无线通信系统研发中的应用潜力。

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