GaN HEMT开关器件物理基大信号模型研究
作者单位：电子科技大学电子科学与工程学院 电子科技大学长三角研究院(湖州)
会议名称：《2023年全国微波毫米波会议》
会议日期：2023年
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
关 键 词：GaN HEMT 开关 准物理基分区模型(QPZD)
摘 要：开关是无线收发系统的重要组成部分,准确的开关非线性模型对于高功率开关优化设计有指导意义。本文基于准物理基区域划分电流模型(UESTC-QPZD)和Angelov电容模型,通过改进电流模型的源漏对称性和深夹断区的电容模型,建立了适用于微波频段的开关模型,测试结果表明该模型可以很好的表征开关开态和关态下的小信号/大信号和射频功率特性。