孔隙率对烧结纳米银传热性能影响研究
作者单位：北京工业大学机电学院
会议名称：《北京力学会第26届学术年会》
会议日期：2020年
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
摘 要：烧结纳米银是最有希望用于第三代半导体碳化硅(SiC)器件中芯片互联的焊料。它具有多孔的微结构,会对器件的传热性能产生一定的影响。本文以烧结纳米银为研究对象,通过数值模拟对不同孔隙率烧结纳米银的传热性能进行研究。