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毫米波AlGaN/GaN HEMT噪声模型研究

毫米波AlGaN/GaN HEMT噪声模型研究

作     者:毛书漫 徐跃杭 

作者单位:电子科技大学电子工程学院 

会议名称:《2017年全国微波毫米波会议》

会议日期:2017年

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

关 键 词:毫米波 噪声模型 PUCEL POSPIESZALSKI GaN HEMT 栅极泄漏电流 

摘      要:低噪声放大器是微波/毫米波通信系统中不可或缺的组成部分。为了能够在微波乃至毫米波频段实现低噪声放大器精准而又高效的设计,建立准确的噪声模型至关重要。本文主要基于PUCEL和POSPIESZALSKI噪声模型考察了毫米波频段Al Ga N/Ga N HEMT的噪声特性,验证了它们在毫米波频段的适用性,同时通过对比考察了它们对栅极泄漏电流给整体噪声特性带来影响的表征能力。

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