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可控合成NbSe2纳米片及超级电容器性能研究

可控合成NbSe2纳米片及超级电容器性能研究

作     者:刘晓利 许冬冬 盛雪曦 包建春 

作者单位:南京师范大学化学与材料科学学院 

会议名称:《中国化学会第30届学术年会-第二十九分会:电化学材料》

会议日期:2016年

学科分类:080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0702[理学-物理学] 

关 键 词:2D纳米材料 TMDs 半导体超级电容器 

摘      要:2D纳米材料由于其独特的性能和潜在的应用前景,引起广泛的关注。除石墨烯外,过渡金属硫属化合物如NbSe、NbS、NbTe、TaSe是超导体作为一类典型的片层材料被广泛用作各种储能材料。本文以NbCl5和Se为前驱物,BTBC为还原剂,在油胺体系氩气气氛下合成了NbSe纳米片,并测试其超级电容器性能3。在电流密度为0.5Ag时,其比电容为193.5Fg。即使在循环1000次后比电容仍能保持86.78%,表明NbSeNSs用于构建高性能的电化学能量存储装置。

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