CVD工艺中气体流型的研究
作者单位：北京有色金属研究总院北京国晶辉红外光学科技有限公司
会议名称：《第五届中国功能材料及其应用学术会议》
会议日期：2004年
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
摘 要：化学气相沉积(CVD)法可制备高纯度、近似元件形状、大面积的块体材料,与114备薄膜的CVD过程相比,该过程存在长时间沉积稳定性、厚度均匀性及光学质量均匀性等问题.本文采用简化装置对CVD工艺过程进行物理模拟,探讨不同工艺参数下沉积室内部气体流型的变化,分析流型对沉积过程的影响.