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Mn注入n型Ge单晶的磁性研究

Mn注入n型Ge单晶的磁性研究

作     者:刘力锋 陈诺夫 尹志岗 杨霏 周剑平 

作者单位:中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 

会议名称:《第五届中国功能材料及其应用学术会议》

会议日期:2004年

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

基  金:国家自然科学基金资助项目(60176001) 国家重大基础研究计划资助项目(G20000365) 

关 键 词:离子注入 铁磁性 MnxGe1-x 

摘      要:利用离子注入方法,以离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品分别在400和600℃氮气氛下进行热处理。利用交变梯度样品磁强计室温下对样品进行了磁性测量,利用X射线衍射法分析了样品的结构特性,俄歇电子能谱法分析了热处理样品的组分特性。磁性测试结果表明热处理后的样品表现出室温下的铁磁性。结合样品的组分、结构特征进行磁性分析后认为样品在热处理后形成铁磁性半导体MnxGe1-x结构可能是样品表现室温铁磁性的主要原因。

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