透明导电CdIn204薄膜加磁Seebeck效应的研究
作者单位：重庆大学应用物理系
会议名称：《中国真空学会第六届全国会员代表大会暨学术会议》
会议日期：2004年
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
关 键 词：CdIn2O4薄膜 磁控溅射 温差电动势率 Seebeck效应
摘 要：CdIn2O4(简称CIL膜)是一种n型宽带隙简并化氧化物半导体三元化合物薄膜材料。它具有许多优异的光学和电学性质,如它在可见光范围内的透光率高达91.7%,而电阻率却低于10-4Ωcm,并且该膜具有红外高反射率、耐磨性以及稳定的化学性能使其具有广泛的应用前景:如可应用于制造建筑玻璃、光电器件、保温薄膜材料、电致变色器件,从而引起了人们的极大兴趣。我们利用了直流磁控反应溅射法在Ar和O2混合气氛中从Cd-In合金靶上制备了CIO薄膜,并测量了CIO薄膜由温差所产生的Seebeck效应,温差电动势率最高值达0.16mv/k;在薄膜垂直方向上加入磁场,从而改变了载流子--电子在薄膜内部的运动路径,使其原来电子的运动路径呈直线,由于加入磁场,薄膜内部的电子将受到洛仑兹力而发生偏转,而以螺旋线的方式前进,导致薄膜两端的温差电动势增大,从而进一步提高了CIO薄膜的温差电动势率,得到更加明显的加磁Seebeck效应,这在实际应用于热能和电能的转换上,以及温差发电和温差制冷方面有参考价值。本文从实验和理论上作了详细的探讨。