ZnO/金刚石/硅高频界面声波器件研究
作者单位：四川压电与声光技术研究所
会议名称：《2007’促进西部发展声学学术交流会》
会议日期：2007年
学科分类：08[工学] 0804[工学-仪器科学与技术]
摘 要：本文报道了时 ZnO/金刚石/硅多层结构的界面波器件研究结果,给出了界面波的相速度与 ZnO 膜的膜厚变化的若干实验数据.界面渡器件的实际性能是:工作频率达1.34GHz,损耗4dB;工作频率达2.093GHz,带宽7.4MHz, 损耗7.9dB.中心频率达2.1GHz,带宽17.3MHz,损耗10.2dB.