半导体器件抗辐射涂层研究
作者单位：沈阳化工学院数理系 东北大学理学院材料物理与化学研究所
会议名称：《TFC'07全国薄膜技术学术研讨会》
会议日期：2007年
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：随着核技术、空间技术的发展,大量电子设备和系统被置于核反应辐射和其它核环境下进行工作。核反应时产生的中子、γ射线和核电磁脉冲以及空间辐射中的电子、质子和高能粒子都能造成电子器件及电子系统的损伤。其中,1975 年发现的单粒子效应是重要核辐射效应;其主要是由高能质子、中子、α粒子和重荷粒子等引起半导体器件的软错误,目前已成为影响运行在轨道系统的微电